公开(公告)号：CN107409455A

公开(公告)日：2017-11-28

申请号：CN201680014312.5

申请日：2016-03-03

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 田中哲宪 ,  中村涉 ,  冈崎庄治 ,  藤原正树

IPC: H05B33/10 ,  B23K26/064 ,  B23K26/402 ,  B23K26/57 ,  H01L21/02 ,  H01L27/12 ,  H01L51/50 ,  H05B33/02

CPC classification number: H01L51/56 ,  B23K26/064 ,  B23K26/57 ,  B23K2101/36 ,  H01L21/02 ,  H01L27/12 ,  H01L51/50 ,  H01L51/5012 ,  H01L2251/56 ,  H05B33/10

Abstract: 具备：元件形成工序，在透明的支承基板8上形成基板层10之后，在该基板层10上形成薄膜元件；和元件剥离工序，通过从支承基板8的与形成有基板层10和薄膜元件的一侧相反的一侧照射激光La和Lb，使基板层10和薄膜元件从支承基板8剥离，在元件剥离工序中，从相互不同的多个方向照射激光La、Lb。

公开(公告)号：CN105453269B

公开(公告)日：2019-04-05

申请号：CN201480043627.3

申请日：2014-08-05

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 藤原正树 ,  田中耕平

IPC: H01L27/146 ,  H01L27/144

Abstract: 薄膜晶体管基板(2)具备：辅助电容电极(7)；栅极绝缘膜(8)，其以覆盖辅助电容电极(7)的方式设于绝缘基板(4)上；漏极电极(11)，其设于栅极绝缘膜(8)上和氧化物半导体层(9)上；平坦化膜(13)，其设于钝化膜(12)上；电容电极(14)，其设于平坦化膜(13)上；层间绝缘膜(16)，其设于平坦化膜(13)上；以及像素电极(17)，其形成于层间绝缘膜(16)上，经由接触孔(18)与漏极电极(11)电连接。

公开(公告)号：CN105453269A

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201480043627.3

申请日：2014-08-05

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 藤原正树 ,  田中耕平

IPC: H01L27/146 ,  H01L27/144

CPC classification number: H01L27/14658 ,  H01L27/14601 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/14616 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14676

Abstract: 薄膜晶体管基板(2)具备：辅助电容电极(7)；栅极绝缘膜(8)，其以覆盖辅助电容电极(7)的方式设于绝缘基板(4)上；漏极电极(11)，其设于栅极绝缘膜(8)上和氧化物半导体层(9)上；平坦化膜(13)，其设于钝化膜(12)上；电容电极(14)，其设于平坦化膜(13)上；层间绝缘膜(16)，其设于平坦化膜(13)上；以及像素电极(17)，其形成于层间绝缘膜(16)上，经由接触孔(18)与漏极电极(11)电连接。

公开(公告)号：CN107409455B

公开(公告)日：2019-04-12

申请号：CN201680014312.5

申请日：2016-03-03

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 田中哲宪 ,  中村涉 ,  冈崎庄治 ,  藤原正树

IPC: H05B33/10 ,  B23K26/064 ,  B23K26/402 ,  B23K26/57 ,  H01L21/02 ,  H01L27/12 ,  H01L51/50 ,  H05B33/02

Abstract: 具备：元件形成工序，在透明的支承基板8上形成基板层10之后，在该基板层10上形成薄膜元件；和元件剥离工序，通过从支承基板8的与形成有基板层10和薄膜元件的一侧相反的一侧照射激光La和Lb，使基板层10和薄膜元件从支承基板8剥离，在元件剥离工序中，从相互不同的多个方向照射激光La、Lb。