公开(公告)号：CN107004603B

公开(公告)日：2021-03-09

申请号：CN201580064209.7

申请日：2015-11-19

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 菊池哲郞 ,  今井元 ,  越智久雄 ,  藤田哲生 ,  北川英树 ,  铃木正彦 ,  川岛慎吾 ,  大东彻

IPC: H01L21/336 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/28 ,  H01L29/417 ,  H01L29/786

Abstract: 半导体装置包括基板以及支撑于基板的薄膜晶体管。薄膜晶体管具有氧化物半导体层、形成于栅极及氧化物半导体层之间的栅极绝缘层、以及电性连接于氧化物半导体层的源极以及漏极。栅极绝缘层包含由氧化物半导体层覆盖的第一部分、以及与第一部分邻接且未由氧化物半导体层、源极以及漏极的任一者覆盖的第二部分。第二部分较第一部分薄，第二部分与第一部分的厚度的差超过0nm且为50nm以下。

公开(公告)号：CN107004720A

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：CN201580064371.9

申请日：2015-11-19

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 铃木正彦 ,  川岛慎吾 ,  今井元 ,  越智久雄 ,  藤田哲生 ,  北川英树 ,  菊池哲郞 ,  大东彻

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768

Abstract: 一种半导体装置(200A)，具备：含有栅极电极(3)、氧化物半导体层(5)、栅极绝缘层(4)以及源极电极(7S)及漏极电极(7D)的薄膜晶体管(201)；以覆盖薄膜晶体管(201)且与薄膜晶体管(201)的通道区域(5c)相接的方式配置的层间绝缘层(11)；配置于层间绝缘层(11)上的透明导电层(19)，源极及漏极电极(7)各自含有铜，所述源极及漏极电极(7)与层间绝缘层(11)之间配置有含有铜与铜以外的至少一种金属元素的铜合金氧化膜(10)，层间绝缘层(11)隔着铜合金氧化膜(10)而覆盖漏极电极(7D)，透明导电层(19)于形成在层间绝缘层(11)的接触孔(CH1)内，未隔着铜合金氧化膜(10)而与漏极电极(7D)直接相接。

公开(公告)号：CN107004718A

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：CN201580063805.3

申请日：2015-11-19

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 铃木正彦 ,  今井元 ,  越智久雄 ,  藤田哲生 ,  北川英树 ,  菊池哲郞 ,  川岛慎吾 ,  大东彻

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/00 ,  G09F9/30 ,  H01L21/28 ,  H01L21/283 ,  H01L21/304 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532

Abstract: 一种半导体装置(100A)，具备：基板(1)；将氧化物半导体层5作为活性层的薄膜晶体管(101)；含有铜的至少一层金属配线层(7S、7D)；配置于至少一层金属配线层(7S、7D)的上面的含有铜的金属氧化膜(8)；隔着金属氧化膜(8)而覆盖至少一层金属配线层的绝缘层(11)；于形成在绝缘层(11)的开口部内，未隔着金属氧化膜(8)而与至少一层金属配线层的一部分直接相接的导电层(19)。

公开(公告)号：CN101523282A

公开(公告)日：2009-09-02

申请号：CN200780037619.8

申请日：2007-10-19

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 藤田哲生 ,  中田幸伸

IPC: G02F1/1343 ,  G02F1/1335 ,  G02F1/1368

CPC classification number: G02F1/133555 ,  G02F2001/13629 ,  G02F2201/123

Abstract: 本发明提供一种有源矩阵基板、有源矩阵基板的制造方法、液晶显示装置和电子设备。本发明的有源矩阵基板(30)具有在绝缘基板(10)上设置的多个TFT元件(2)、和与所述各TFT元件(2)电连接的像素电极(7)。所述像素电极(7)包括：第一透明电极层(7a)、在所述第一透明电极层(7a)上叠层且面积小于该第一透明电极层(7a)的反射电极层(7b)、和以至少覆盖所述反射电极层(7b)的方式叠层的第二透明电极层(7c)。由此，能够实现抑制闪烁的发生、显示品质高的半透过型液晶显示装置。

公开(公告)号：CN107004719B

公开(公告)日：2020-07-03

申请号：CN201580064210.X

申请日：2015-11-19

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 北川英树 ,  大东彻 ,  今井元 ,  越智久雄 ,  藤田哲生 ,  菊池哲郞 ,  川岛慎吾 ,  铃木正彦

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/28 ,  H01L21/283 ,  H01L21/306 ,  H01L21/312 ,  H01L21/316 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532

Abstract: 一种半导体装置(100A)，具备：含有栅极电极(3)、氧化物半导体层(5)、栅极绝缘层(4)以及源极电极(7S)及漏极电极(7D)的薄膜晶体管(101)；以覆盖薄膜晶体管(101)且与薄膜晶体管(101)的通道区域(5c)相接的方式配置的层间绝缘层(11)；配置于层间绝缘层(11)上的透明导电层(19)，源极电极(7S)及漏极电极(7D)各自具有铜层(7a)，进一步具备配置于源极及漏极电极与层间绝缘层(11)之间的铜氧化膜(8)，层间绝缘层(11)隔着铜氧化膜(8)而覆盖漏极电极(7D)，透明导电层(19)于形成在层间绝缘层(11)的接触孔(CH1)内，未隔着铜氧化膜(8)而与漏极电极(7D)的铜层(7a)直接相接。

公开(公告)号：CN102449545A

公开(公告)日：2012-05-09

申请号：CN201080022935.X

申请日：2010-04-20

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 冈崎敢 ,  坂井健彦 ,  森下克彦 ,  川岛慎吾 ,  千叶大 ,  藤田哲生

IPC: G02F1/1343

CPC classification number: G02F1/134363 ,  G02F2001/134318

Abstract: 本发明提供一种液晶显示装置，能够改善具有至少一对梳齿状电极的垂直取向模式下的泛白现象。本发明的液晶显示装置，具有相互相对配置的一对基板和被夹持在上述一对基板之间的液晶层，上述一对基板中的一个基板具有梳齿状的一对电极，上述一对电极在俯视时在像素内相互相对配置，上述液晶层包括p型向列型液晶，并且由上述一对电极之间产生的电场驱动，上述p型向列型液晶在无电压施加时与上述一对基板面垂直地取向，上述液晶显示装置在像素内具有上述一对电极的间隔相互不同的两个以上的区域。

公开(公告)号：CN101384951B

公开(公告)日：2011-02-02

申请号：CN200780005684.2

申请日：2007-01-09

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 藤冈和巧 ,  齐藤全亮 ,  田中俊行 ,  富永真克 ,  藤田哲生 ,  末广祐治 ,  中原圣 ,  吉川和广

IPC: G02F1/1368 ,  G02F1/1335 ,  G02F1/1343

CPC classification number: G02F1/133555 ,  G02F1/133371 ,  G02F2001/133397 ,  G02F2001/13606

Abstract: 本发明公开了一种包括有源矩阵基板(20a)的半透型液晶显示装置(50a)。有源矩阵基板(20a)包括：多条源极线(2)、经由TFT(5)与各条源极线(2)相连接的第一透明电极(2c)、设在第一透明电极(2c)上具有开口部(12a)的层间绝缘膜(12)、在层间绝缘膜(12)上经由开口部(12a)与第一透明电极(2c)相连接的反射电极(6a)以及与反射电极(6a)和第一透明电极(2c)重叠、与反射电极(6a)和第一透明电极(2c)相连接的第二透明电极(7a)。在各个像素中，反射电极(6a)第二透明电极(7a)的外端部E相一致。

公开(公告)号：CN107004718B

公开(公告)日：2021-02-19

申请号：CN201580063805.3

申请日：2015-11-19

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 铃木正彦 ,  今井元 ,  越智久雄 ,  藤田哲生 ,  北川英树 ,  菊池哲郞 ,  川岛慎吾 ,  大东彻

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/00 ,  G09F9/30 ,  H01L21/28 ,  H01L21/283 ,  H01L21/304 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532

Abstract: 一种半导体装置(100A)，具备：基板(1)；将氧化物半导体层5作为活性层的薄膜晶体管(101)；含有铜的至少一层金属配线层(7S、7D)；配置于至少一层金属配线层(7S、7D)的上面的含有铜的金属氧化膜(8)；隔着金属氧化膜(8)而覆盖至少一层金属配线层的绝缘层(11)；于形成在绝缘层(11)的开口部内，未隔着金属氧化膜(8)而与至少一层金属配线层的一部分直接相接的导电层(19)。

公开(公告)号：CN109496281A

公开(公告)日：2019-03-19

申请号：CN201780046585.2

申请日：2017-07-25

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 藤田哲生 ,  近间义雅 ,  原义仁 ,  中田幸伸

IPC: G02F1/1368 ,  G02F1/1333 ,  G02F1/1343 ,  G06F3/041 ,  G06F3/044 ,  G09F9/00 ,  G09F9/30

Abstract: 本发明目的在于提供一种具有触控面板的显示装置，即使对于大型化以及高清晰化的面板，也能够得到期望的触摸检测性能。本发明的具有触摸面板的显示装置包括有源矩阵基板(1)。有源矩阵基板(1)在基板(40)上包括多个像素电极、多个对向电极(21)以及设置于像素电极与对向电极(21)之间的绝缘膜(46)。另外，有源矩阵基板(1)包括与多个对向电极(21)的任意一个连接的多条信号线(22)、与多个像素电极的每一个连接的多个开关元件以及设置于像素电极与信号线(22)以及开关元件之间的有机系绝缘膜(45)。信号线(22)连接于基板(40)。

公开(公告)号：CN107004719A

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：CN201580064210.X

申请日：2015-11-19

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 北川英树 ,  大东彻 ,  今井元 ,  越智久雄 ,  藤田哲生 ,  菊池哲郞 ,  川岛慎吾 ,  铃木正彦

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/28 ,  H01L21/283 ,  H01L21/306 ,  H01L21/312 ,  H01L21/316 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532

Abstract: 一种半导体装置(100A)，具备：含有栅极电极(3)、氧化物半导体层(5)、栅极绝缘层(4)以及源极电极(7S)及漏极电极(7D)的薄膜晶体管(101)；以覆盖薄膜晶体管(101)且与薄膜晶体管(101)的通道区域(5c)相接的方式配置的层间绝缘层(11)；配置于层间绝缘层(11)上的透明导电层(19)，源极电极(7S)及漏极电极(7D)各自具有铜层(7a)，进一步具备配置于源极及漏极电极与层间绝缘层(11)之间的铜氧化膜(8)，层间绝缘层(11)隔着铜氧化膜(8)而覆盖漏极电极(7D)，透明导电层(19)于形成在层间绝缘层(11)的接触孔(CH1)内，未隔着铜氧化膜(8)而与漏极电极(7D)的铜层(7a)直接相接。