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公开(公告)号:CN106062972A
公开(公告)日:2016-10-26
申请号:CN201580012467.0
申请日:2015-02-12
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L31/056 , H01L31/0236 , H01L31/0747
Abstract: 提供一种与以往相比能够提高特性和可靠性的光电转换元件和光电转换元件的制造方法。光电转换元件具备基体(10)、电极部(20)以及反射部(30),其中所述基体(10)具有:半导体基板(1);第一i型半导体膜(2),设置于半导体基板(1)的一个表面的一部分;第一导电类型半导体膜(3),设置于第一i型半导体膜(2)上;第二i型半导体膜(4),设置于表面的另一部分;以及第二导电类型半导体膜(5),设置于第二i型半导体膜(4)上,所述电极部(20)具有:第一电极层(21),设置于第一导电类型半导体膜(3)上;以及第二电极层(22),设置于第1第二导电类型半导体膜(5)上,所述反射部(30)设置于被第一电极层(21)和第二电极层(22)夹着的间隙区域(A)。
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公开(公告)号:CN102696114B
公开(公告)日:2015-02-11
申请号:CN201080060734.9
申请日:2010-12-17
Applicant: 夏普株式会社 , 国立大学法人京都大学
IPC: H01L31/0232
CPC classification number: H01L31/02327
Abstract: 光电转换元件(10)包括半导体层(13)和在半导体层(13)的内部形成的光子晶体(21),光子晶体(21)是在半导体层(13)的内部配置有与半导体层(13)的介质相比折射率小的纳米棒(19)而形成的,当令光子晶体(21)的共振峰的波长为λ时,纳米棒(19)以λ/4以上λ以下的间距、二维且周期性地配置,作为表示由光子晶体(21)与外界的耦合引起的共振效果的大小的Q值的Qv与作为表示半导体层(13)的介质的共振效果的大小的Q值的Qα处于满足0.2Qv≤Qα≤5.4Qv的范围,其中,该Qv与表示光子晶体(21)与外界的耦合的强度的系数кv的倒数成比例,该Qα与半导体层(13)的介质的光的吸收系数αa的倒数成比例。由此,能够提高具备光子晶体结构的光电转换元件的光的吸收率。
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公开(公告)号:CN102362215A
公开(公告)日:2012-02-22
申请号:CN200980158269.X
申请日:2009-10-29
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02F1/1335
CPC classification number: G02F1/133514 , G02F1/133504 , G02F1/133617 , G02F2201/305
Abstract: 在液晶显示面板(39)中,在接受光的对置基板(32)的内侧面(32N)一侧,包括提高从该内侧面(32N)向外部的出射效率的衍射光栅(DG)。
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公开(公告)号:CN102356348A
公开(公告)日:2012-02-15
申请号:CN200980158112.7
申请日:2009-10-16
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02F1/1335 , G02B5/20
CPC classification number: G02B5/201 , G02F1/133504 , G02F1/133512 , G02F1/133617 , G02F2001/133562
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够抑制对比度下降且能够提高光的利用效率的液晶显示面板。液晶显示面板(10)的彩色滤光片(17)包括:形成有开口部(21a)的黑矩阵(21)、配置于红色显示区域R的开口部(21a)内的红色荧光体层(22)及红色滤光层(23)、配置于绿色显示区域G的开口部(21a)内的绿色荧光体层(24)及绿色滤光层(25)、和配置于蓝色显示区域B的开口部(21a)内的透明树脂层(26)及蓝色滤光层(27)。在透明树脂层(26)的光出射面形成有多个凸部(26c),透明树脂层(26)具有不同于与光出射面接触的蓝色滤光片层(27)的折射率。透明树脂层(26)是光扩散层,能够增大蓝色光的视角。
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公开(公告)号:CN102272814A
公开(公告)日:2011-12-07
申请号:CN201080004032.9
申请日:2010-01-22
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G09F9/30 , G02F1/1333 , G02F1/1335 , G02F1/13363
Abstract: 本发明提供一种显示装置。本发明的液晶显示装置(显示装置)(100)具备包括多个光传感器元件的显示面板(20),具有通过该光传感器元件检测装置表面上的图像来检测出来自外部的输入位置的区域传感器功能。在显示面板(20)的图像显示面侧设置有正面侧偏光板(40a),在正面侧偏光板(40a)上,配置有λ/2相位差板(50b)和λ/4相位差板(50a),该λ/2相位差板(50b)和λ/4相位差板(50a)依此重叠,且上述λ/2相位差板(50b)的光轴(滞相轴)与上述λ/4相位差板(50a)的光轴(滞相轴)具有相互交叉的位置关系。将叠层上述λ/2相位差板(50b)和上述λ/4相位差板(50a)而成的相位差板称为宽频带λ/4相位差板(50)。由此,能够实现能够抑制起因于显示图像的光的反射,能够以更高的精度检测输入位置的带光传感器的显示装置。
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公开(公告)号:CN102272814B
公开(公告)日:2013-10-16
申请号:CN201080004032.9
申请日:2010-01-22
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G09F9/30 , G02F1/1333 , G02F1/1335 , G02F1/13363
Abstract: 本发明提供一种显示装置。本发明的液晶显示装置(显示装置)(100)具备包括多个光传感器元件的显示面板(20),具有通过该光传感器元件检测装置表面上的图像来检测出来自外部的输入位置的区域传感器功能。在显示面板(20)的图像显示面侧设置有正面侧偏光板(40a),在正面侧偏光板(40a)上,配置有λ/2相位差板(50b)和λ/4相位差板(50a),该λ/2相位差板(50b)和λ/4相位差板(50a)依此重叠,且上述λ/2相位差板(50b)的光轴(滞相轴)与上述λ/4相位差板(50a)的光轴(滞相轴)具有相互交叉的位置关系。将叠层上述λ/2相位差板(50b)和上述λ/4相位差板(50a)而成的相位差板称为宽频带λ/4相位差板(50)。由此,能够实现能够抑制起因于显示图像的光的反射,能够以更高的精度检测输入位置的带光传感器的显示装置。
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公开(公告)号:CN102804040A
公开(公告)日:2012-11-28
申请号:CN201080025884.6
申请日:2010-03-19
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02F1/1335 , G02F1/13357
CPC classification number: G02F1/133617 , G02F1/133512 , G02F1/133514
Abstract: 红色彩色滤光片(13R)包括:在荧光发光所发出的红色光(R)的波段以外的低波段的大部分波段中具有吸收波段的第一吸收剂;和具有低波段的大部分波段以外的剩余部分的波段中包括的与蓝色光(B)的波段重叠的吸收波段的第二吸收剂。
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公开(公告)号:CN102714233A
公开(公告)日:2012-10-03
申请号:CN201080060793.6
申请日:2010-12-22
Applicant: 夏普株式会社 , 国立大学法人京都大学
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/0232 , H01L31/0248 , H01L31/04 , H01L31/0547 , Y02E10/52
Abstract: 本发明的光电转换元件(1)包括光电转换层(2)和光子晶体,该光子晶体是以具有光子带隙的方式在光电转换层(2)的内部形成的光子晶体,该光子晶体在光电转换层(2)内周期性地配置有与光电转换层(2)的介质相比折射率小的纳米棒(30),并且以在上述光子带隙生成缺陷能级的方式形成有缺陷(31),当令与上述缺陷能级对应的共振峰的波长为λ时,纳米棒(30)以λ/7以上λ/2以下的间距二维地配置,表示上述光子晶体与外界的耦合的强度的系数кv与表示光电转换层(2)的光的吸收系数α大致相等。
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公开(公告)号:CN102696114A
公开(公告)日:2012-09-26
申请号:CN201080060734.9
申请日:2010-12-17
Applicant: 夏普株式会社 , 国立大学法人京都大学
CPC classification number: H01L31/02327
Abstract: 光电转换元件(10)包括半导体层(13)和在半导体层(13)的内部形成的光子晶体(21),光子晶体(27)是在半导体层(13)的内部配置有与半导体层(13)的介质相比折射率小的纳米棒(19)而形成的,当令光子晶体(27)的共振峰的波长为λ时,纳米棒(19)以λ/4以上λ以下的间距、二维且周期性地配置,作为表示由光子晶体(27)与外界的耦合引起的共振效果的大小的Q值的Qv与作为表示半导体层(13)的介质的共振效果的大小的Q值的Qα处于满足0.2Qv≤Qα≤5.4Qv的范围,其中,该Qv与表示光子晶体(27)与外界的耦合的强度的系数кv的倒数成比例,该Qα与半导体层(13)的介质的光的吸收系数αa的倒数成比例。由此,能够提高具备光子晶体结构的光电转换元件的光的吸收率。
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公开(公告)号:CN101796344B
公开(公告)日:2012-07-25
申请号:CN200880105731.5
申请日:2008-09-08
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02F1/13357 , F21V8/00 , F21V5/00 , F21V5/02 , G02B5/02 , F21Y101/02
CPC classification number: G02B6/0053 , G02B6/0023 , G02B6/0051
Abstract: 来自利用LED的光源(4)的光射入与微棱镜阵列片(3)成为一体的导光板(2)的光射入面(2c),在导光板(2)的顶面(2b)的光源(4)附近的区域上粘接有使光扩散的扩散膜(7)。
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