公开(公告)号：CN119193245A

公开(公告)日：2024-12-27

申请号：CN202411710006.8

申请日：2024-11-27

Applicant: 大连奥首科技有限公司

Inventor： 吕晶 ,  侯军 ,  任浩楠 ,  王欣欣

IPC: C11D1/78 ,  C11D3/22 ,  C11D3/28 ,  C11D3/30 ,  C11D3/32 ,  C11D3/33 ,  C11D3/37 ,  C11D3/60 ,  H01L21/67 ,  H01L21/02 ,  C23G1/00

Abstract: 本发明提供一种半导体钴制程CMP后清洗液、其制备方法与应用，半导体钴制程CMP后清洗液，包括重量配比如下的各组分：环糊精PEG氨基酸类化合物1‑15份；缓蚀剂0.1‑1份；磷酸酯类化合物5‑15份；有机弱碱10‑20份；超纯水60‑80份。本发明还公开了半导体钴制程CMP后清洗液的制备方法，及其在半导体芯片清洗领域的应用。本发明半导体钴制程CMP后清洗液不含强碱、强酸，仍能有效清除有机残留物、颗粒等污染物，且对芯片无腐蚀。本发明半导体钴制程CMP后清洗液对清洗工艺无特殊要求，仅在浸泡的工艺下，即可使芯片上所粘附的有机污染物、各种颗粒洗脱完全，后续仅经过纯水冲洗即可，水洗后无脏污残留。

公开(公告)号：CN119193245B

公开(公告)日：2025-04-04

申请号：CN202411710006.8

申请日：2024-11-27

Applicant: 大连奥首科技有限公司

Inventor： 吕晶 ,  侯军 ,  任浩楠 ,  王欣欣

IPC: C11D1/78 ,  C11D3/22 ,  C11D3/28 ,  C11D3/30 ,  C11D3/32 ,  C11D3/33 ,  C11D3/37 ,  C11D3/60 ,  H01L21/67 ,  H01L21/02 ,  C23G1/00

Abstract: 本发明提供一种半导体钴制程CMP后清洗液、其制备方法与应用，半导体钴制程CMP后清洗液，包括重量配比如下的各组分：环糊精PEG氨基酸类化合物1‑15份；缓蚀剂0.1‑1份；磷酸酯类化合物5‑15份；有机弱碱10‑20份；超纯水60‑80份。本发明还公开了半导体钴制程CMP后清洗液的制备方法，及其在半导体芯片清洗领域的应用。本发明半导体钴制程CMP后清洗液不含强碱、强酸，仍能有效清除有机残留物、颗粒等污染物，且对芯片无腐蚀。本发明半导体钴制程CMP后清洗液对清洗工艺无特殊要求，仅在浸泡的工艺下，即可使芯片上所粘附的有机污染物、各种颗粒洗脱完全，后续仅经过纯水冲洗即可，水洗后无脏污残留。