一种激光辅助电喷射原位打印装置

    公开(公告)号:CN109159422B

    公开(公告)日:2020-09-11

    申请号:CN201811175787.X

    申请日:2018-10-10

    Abstract: 本发明属于先进制造技术领域,提供了一种激光辅助电喷射原位打印装置包括电喷射打印模块、激光功能化处理模块。电喷射打印模块的“功能材料墨水”在压力作用下从喷针口流出,在电流体动力学效应下,形成稳定的泰勒锥喷并射出稳定的精细射流,喷射在基体上形成打印层。激光功能化处理模块用来对打印层进行原位复合处理,同步实现打印结构的原位高温固化、原位结晶等功能化处理。本发明直接在所需基体上实现功能结构与器件,消除了传统方法转印、粘贴、拼接等二次定位误差难题,避免了胶粘工艺引发的结合力弱、灵敏度低等问题,提高了打印结构的精度和结合强度,既保证打印微纳结构的精确性,又实现了功能材料的原位功能化。

    一种激光辅助电喷射原位打印装置

    公开(公告)号:CN109159422A

    公开(公告)日:2019-01-08

    申请号:CN201811175787.X

    申请日:2018-10-10

    Abstract: 本发明属于先进制造技术领域,提供了一种激光辅助电喷射原位打印装置包括电喷射打印模块、激光功能化处理模块。电喷射打印模块的“功能材料墨水”在压力作用下从喷针口流出,在电流体动力学效应下,形成稳定的泰勒锥喷并射出稳定的精细射流,喷射在基体上形成打印层。激光功能化处理模块用来对打印层进行原位复合处理,同步实现打印结构的原位高温固化、原位结晶等功能化处理。本发明直接在所需基体上实现功能结构与器件,消除了传统方法转印、粘贴、拼接等二次定位误差难题,避免了胶粘工艺引发的结合力弱、灵敏度低等问题,提高了打印结构的精度和结合强度,既保证打印微纳结构的精确性,又实现了功能材料的原位功能化。

    一种PZT/Si扩散键合方法
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN107482114A

    公开(公告)日:2017-12-15

    申请号:CN201710653766.3

    申请日:2017-08-03

    CPC classification number: H01L41/312

    Abstract: 本发明属于先进制造技术领域,提供了一种PZT/Si扩散键合方法。首先,在PZT块材表面制备电极层,并在电极层表面沉积PZT膜,形成PZT元件;然后,在一定温度条件下,通过对PZT元件与硅衬底施加压力,使PZT膜中的铅元素与硅发生扩散反应,形成具有一定深度和高结合力的扩散键合层,从而实现PZT元件/硅的稳固结合;最后,利用后续机械研磨和抛光工艺,获得所需厚度的PZT压电层。该键合方式PZT/Si的结合强度高、工艺简单、实施方便、成本低,利于商业化推广应用。

    一种电喷射打印曲面压电陶瓷的方法

    公开(公告)号:CN110509395A

    公开(公告)日:2019-11-29

    申请号:CN201910780346.0

    申请日:2019-08-22

    Abstract: 本发明属于先进制造技术领域,提供一种电喷射打印曲面压电陶瓷的方法,首先为压电陶瓷浆料提供稳定的压力,以保证浆料按固定流量从喷口流出,同时在喷口处对压电陶瓷浆料施加电场,使之形成稳定的精细射流;然后将曲面基底固定在曲面基底六轴联动模块的夹具上,保证曲面基底在打印过程中始终与喷针射流保持垂直且距离喷口不变;通过协同控制曲面基底六轴联动模块和电场、流场的变化实现精细射流按需打印,并最终实现曲面压电陶瓷的电喷射打印成型。本发明实现复杂曲面陶瓷的按需打印制造,保证打印射流的稳定性和打印曲面的均匀一致性,避免传统制造工艺精度低、粘贴难度大等问题以及压电陶瓷和基体的粘接胶蠕变、结合强度弱等问题。

    一种电喷射三维打印原位热处理装置

    公开(公告)号:CN109129821A

    公开(公告)日:2019-01-04

    申请号:CN201811175665.0

    申请日:2018-10-10

    Abstract: 本发明属于先进制造技术领域,一种电喷射三维打印原位热处理装置。原位电喷射打印模块实现墨水在电流体动力效应下喷射出稳定的精细射流,形成打印层,通过按轨迹运动打印基体至所需形状。原位加热模块在原位对打印层进行快速高温热处理,使液态打印层在原位固化,并去除有机溶剂和应力。原位冷却模块在原位快速将打印平板降温至室温,以实现在固化的打印层上进行下一层的电喷射打印。通过在原位逐层进行电喷射打印和原位热处理的方式,实现微纳米尺度三维结构的逐层打印制造。本发明免除移位热处理工艺步骤,避免移位热处理过程中再次对位的精度误差,直接原位高精度三维微纳结构打印制造,简化工艺步骤,提高打印效率和质量,降低加工成本。

    一种压电复合元件电极制备方法

    公开(公告)号:CN108063182A

    公开(公告)日:2018-05-22

    申请号:CN201711200925.0

    申请日:2017-11-27

    CPC classification number: H01L41/29 H01L41/253 H01L41/337

    Abstract: 本发明属于先进制造技术领域,提供一种压电复合元件电极制备方法。首先,通过机械研磨的方法对压电复合元件表面进行预处理,使之具有良好的平面度及合适的粗糙度。其次,对PZT压电复合元件表面改性以增加其表面能,具体为采用紫外线照射复合元件表面,使其表面产生含氧极性官能团,提高压电复合元件表面与金属层之间的结合强度。最后,溅射微米级的金属薄膜作为压电复合元件的电极。本发明制备得到的压电复合元件表面电极电阻低、结合强度高、焊接性强,利于大批量生产及商业化推广应用。

    一种PZT/Si扩散键合装置
    7.
    发明授权

    公开(公告)号:CN107611254B

    公开(公告)日:2019-08-09

    申请号:CN201710653811.5

    申请日:2017-08-03

    Abstract: 本发明提供了一种PZT/Si扩散键合装置,属于先进制造技术领域。一种PZT/Si扩散键合装置,包括基座、螺栓紧固件、压块、挠性压板及螺母紧固件;所述的基座的中心处加工有矩形通槽,用于放置待键合的PZT元件和硅衬底;所述的压块置于待键合的PZT元件和硅衬底上,用于压紧待键合的PZT元件和硅衬底于矩形通槽中;所述的挠性压板通过螺栓紧固件和螺母紧固件固定在基座上,并压紧放置于矩形通槽内的压块。此装置可保证PZT元件与硅片间键合压力均匀,使PZT/Si扩散键合充分,提高键合强度和键合质量,此外,此装置具有结构简单、易于操作等优点。

    一种PZT/Si扩散键合方法
    8.
    发明授权

    公开(公告)号:CN107482114B

    公开(公告)日:2019-08-09

    申请号:CN201710653766.3

    申请日:2017-08-03

    Abstract: 本发明属于先进制造技术领域,提供了一种PZT/Si扩散键合方法。首先,在PZT块材表面制备电极层,并在电极层表面沉积PZT膜,形成PZT元件;然后,在一定温度条件下,通过对PZT元件与硅衬底施加压力,使PZT膜中的铅元素与硅发生扩散反应,形成具有一定深度和高结合力的扩散键合层,从而实现PZT元件/硅的稳固结合;最后,利用后续机械研磨和抛光工艺,获得所需厚度的PZT压电层。该键合方式PZT/Si的结合强度高、工艺简单、实施方便、成本低,利于商业化推广应用。

    曲面压电陶瓷电流体喷射打印成型装置

    公开(公告)号:CN110509394B

    公开(公告)日:2020-08-14

    申请号:CN201910780327.8

    申请日:2019-08-22

    Abstract: 本发明属于先进制造技术领域,提供一种曲面压电陶瓷电流体喷射打印成型装置,包括电喷射压电陶瓷模块和曲面基底六轴联动模块两部分。所述的电喷射压电陶瓷模块实现陶瓷浆料微纳米级精细射流稳定形成,并实时监控射流状况;所述的曲面基底六轴联动模块实现基底的曲面轨迹运动和喷针的高度调整以及定位移动。本发明的有益效果为能够实现不同种曲面陶瓷的按需打印制造,避免了传统制造工艺精度低、粘贴难度大等问题以及压电陶瓷和基体的粘接胶蠕变、结合强度弱等问题,提高复杂曲面传感和驱动器件的灵敏性和可靠性,并具有适应范围广、操作简单、成本低的优势。

    一种纳米梁结构的打印制造方法

    公开(公告)号:CN107601425B

    公开(公告)日:2020-06-16

    申请号:CN201710678423.2

    申请日:2017-08-10

    Abstract: 本发明属于先进制造技术领域,一种纳米梁结构的打印制造方法,将内层功能液体与外层高粘度液体输送至同轴打印喷头,在同轴喷头上施加电压,电场力同时作用于同轴内、外层液体,外层液体锥‑射流形变产生的粘滞力与内层液体的电场剪切力叠加,共同作用于内层液体,内层和外层流体形成纳米级和微米级的包裹射流,将包裹同轴射流打印到预制支撑体的衬底上,并同时施加热场作用,内层纳米结构和外层高粘度流体在热场作用下分别固化和半固化,然后将外层高粘度包裹材料去除,在预制支撑体的衬底上形成仅由内层功能材料构成的纳米梁结构。本发明的方法具有工艺简单、一致性高、可批量制造等优点,为高性能纳米梁器件的低成本、快速制造提供有效手段。

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