公开(公告)号：CN108063182B

公开(公告)日：2019-08-09

申请号：CN201711200925.0

申请日：2017-11-27

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 王大志 ,  周鹏 ,  李凯 ,  石鹏 ,  凌四营 ,  任同群 ,  梁军生

IPC: H01L41/253 ,  H01L41/29 ,  H01L41/337

Abstract: 本发明属于先进制造技术领域，提供一种压电复合元件电极制备方法。首先，通过机械研磨的方法对压电复合元件表面进行预处理，使之具有良好的平面度及合适的粗糙度。其次，对PZT压电复合元件表面改性以增加其表面能，具体为采用紫外线照射复合元件表面，使其表面产生含氧极性官能团，提高压电复合元件表面与金属层之间的结合强度。最后，溅射微米级的金属薄膜作为压电复合元件的电极。本发明制备得到的压电复合元件表面电极电阻低、结合强度高、焊接性强，利于大批量生产及商业化推广应用。

公开(公告)号：CN107611254B

公开(公告)日：2019-08-09

申请号：CN201710653811.5

申请日：2017-08-03

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 王大志 ,  石鹏 ,  慈元达 ,  周鹏 ,  凌四营 ,  任同群 ,  梁军生 ,  韦运龙

IPC: H01L41/312 ,  B81C3/00

Abstract: 本发明提供了一种PZT/Si扩散键合装置，属于先进制造技术领域。一种PZT/Si扩散键合装置，包括基座、螺栓紧固件、压块、挠性压板及螺母紧固件；所述的基座的中心处加工有矩形通槽，用于放置待键合的PZT元件和硅衬底；所述的压块置于待键合的PZT元件和硅衬底上，用于压紧待键合的PZT元件和硅衬底于矩形通槽中；所述的挠性压板通过螺栓紧固件和螺母紧固件固定在基座上，并压紧放置于矩形通槽内的压块。此装置可保证PZT元件与硅片间键合压力均匀，使PZT/Si扩散键合充分，提高键合强度和键合质量，此外，此装置具有结构简单、易于操作等优点。

公开(公告)号：CN107482114B

公开(公告)日：2019-08-09

申请号：CN201710653766.3

申请日：2017-08-03

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 王大志 ,  石鹏 ,  慈元达 ,  周鹏 ,  凌四营 ,  任同群 ,  梁军生 ,  韦运龙

IPC: H01L41/312

Abstract: 本发明属于先进制造技术领域，提供了一种PZT/Si扩散键合方法。首先，在PZT块材表面制备电极层，并在电极层表面沉积PZT膜，形成PZT元件；然后，在一定温度条件下，通过对PZT元件与硅衬底施加压力，使PZT膜中的铅元素与硅发生扩散反应，形成具有一定深度和高结合力的扩散键合层，从而实现PZT元件/硅的稳固结合；最后，利用后续机械研磨和抛光工艺，获得所需厚度的PZT压电层。该键合方式PZT/Si的结合强度高、工艺简单、实施方便、成本低，利于商业化推广应用。

公开(公告)号：CN107611254A

公开(公告)日：2018-01-19

申请号：CN201710653811.5

申请日：2017-08-03

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 王大志 ,  石鹏 ,  慈元达 ,  周鹏 ,  凌四营 ,  任同群 ,  梁军生 ,  韦运龙

IPC: H01L41/312 ,  B81C3/00

Abstract: 本发明提供了一种PZT/Si扩散键合装置，属于先进制造技术领域。一种PZT/Si扩散键合装置，包括基座、螺栓紧固件、压块、挠性压板及螺母紧固件；所述的基座的中心处加工有矩形通槽，用于放置待键合的PZT元件和硅衬底；所述的压块置于待键合的PZT元件和硅衬底上，用于压紧待键合的PZT元件和硅衬底于矩形通槽中；所述的挠性压板通过螺栓紧固件和螺母紧固件固定在基座上，并压紧放置于矩形通槽内的压块。此装置可保证PZT元件与硅片间键合压力均匀，使PZT/Si扩散键合充分，提高键合强度和键合质量，此外，此装置具有结构简单、易于操作等优点。

公开(公告)号：CN107482114A

公开(公告)日：2017-12-15

申请号：CN201710653766.3

申请日：2017-08-03

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 王大志 ,  石鹏 ,  慈元达 ,  周鹏 ,  凌四营 ,  任同群 ,  梁军生 ,  韦运龙

IPC: H01L41/312

CPC classification number: H01L41/312

Abstract: 本发明属于先进制造技术领域，提供了一种PZT/Si扩散键合方法。首先，在PZT块材表面制备电极层，并在电极层表面沉积PZT膜，形成PZT元件；然后，在一定温度条件下，通过对PZT元件与硅衬底施加压力，使PZT膜中的铅元素与硅发生扩散反应，形成具有一定深度和高结合力的扩散键合层，从而实现PZT元件/硅的稳固结合；最后，利用后续机械研磨和抛光工艺，获得所需厚度的PZT压电层。该键合方式PZT/Si的结合强度高、工艺简单、实施方便、成本低，利于商业化推广应用。

公开(公告)号：CN108063182A

公开(公告)日：2018-05-22

申请号：CN201711200925.0

申请日：2017-11-27

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 王大志 ,  周鹏 ,  李凯 ,  石鹏 ,  凌四营 ,  任同群 ,  梁军生

IPC: H01L41/253 ,  H01L41/29 ,  H01L41/337

CPC classification number: H01L41/29 ,  H01L41/253 ,  H01L41/337

Abstract: 本发明属于先进制造技术领域，提供一种压电复合元件电极制备方法。首先，通过机械研磨的方法对压电复合元件表面进行预处理，使之具有良好的平面度及合适的粗糙度。其次，对PZT压电复合元件表面改性以增加其表面能，具体为采用紫外线照射复合元件表面，使其表面产生含氧极性官能团，提高压电复合元件表面与金属层之间的结合强度。最后，溅射微米级的金属薄膜作为压电复合元件的电极。本发明制备得到的压电复合元件表面电极电阻低、结合强度高、焊接性强，利于大批量生产及商业化推广应用。