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公开(公告)号：CN111240150A
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN202010053496.4
申请日：2020-01-17
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明公开一种牺牲层辅助的纳米图形转印方法，属于微机电系统(MEMS)和微纳米加工技术领域。首先，在施主基片表面沉积一层牺牲层，牺牲层表面制作出需要转印的纳米图形。其次，将图章贴合在施主基片表面，然后再从施主基片表面剥离，使得纳米图形和牺牲层一起被转移到图章表面，再采用湿法腐蚀工艺，去除图章表面的牺牲层。最后，将图章贴合在受主基片表面后，再将图章从受主基片表面剥离，使得纳米图形转印到受主基片表面。本发明提供的纳米图形转印方法不需要对图章表面进行任何加工，也不需要对受主基片表面进行任何化学处理，而且对于转印图形的材料没有限制，工艺简单、通用性好。
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公开(公告)号：CN111240150B
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN202010053496.4
申请日：2020-01-17
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明公开一种牺牲层辅助的纳米图形转印方法，属于微机电系统(MEMS)和微纳米加工技术领域。首先，在施主基片表面沉积一层牺牲层，牺牲层表面制作出需要转印的纳米图形。其次，将图章贴合在施主基片表面，然后再从施主基片表面剥离，使得纳米图形和牺牲层一起被转移到图章表面，再采用湿法腐蚀工艺，去除图章表面的牺牲层。最后，将图章贴合在受主基片表面后，再将图章从受主基片表面剥离，使得纳米图形转印到受主基片表面。本发明提供的纳米图形转印方法不需要对图章表面进行任何加工，也不需要对受主基片表面进行任何化学处理，而且对于转印图形的材料没有限制，工艺简单、通用性好。
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