公开(公告)号：CN102618893A

公开(公告)日：2012-08-01

申请号：CN201210119354.9

申请日：2012-04-20

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 杜立群 ,  李永辉 ,  张晓蕾 ,  徐征 ,  刘军山 ,  刘冲

IPC: C25D1/00

Abstract: 本发明公开了一种调节微电铸电流密度提高铸层界面结合强度的方法，属于微制造技术领域，特别涉及到提高微电铸铸层界面结合强度的方法。其特征是，在微电铸过程中，在采用常规电流密度电铸前先施加小电流密度预铸一定时间，采用基底预处理、微电铸型模制作、小电流密度预铸、常规电流密度电铸等步骤，区别于传统的微电铸工艺流程。本发明的效果和益处是克服了基底处理和热处理等提高铸层界面结合强度方法的不足和应用的局限性，通过改变微电铸过程中的电流密度使铸层界面结合强度提高了80.8％，具有简单、高效、经济的特点，能够提高微器件和微模具制造的成品率并延长其使用寿命。

公开(公告)号：CN103436923B

公开(公告)日：2015-12-23

申请号：CN201310205724.5

申请日：2013-05-28

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 杜立群 ,  张晓蕾 ,  王翱岸 ,  赵明 ,  赵珊珊

IPC: C25D1/10 ,  G03F7/26

Abstract: 本发明公开了一种通过超声技术来提高SU-8光刻胶与金属基底界面结合强度的方法，属于微制造技术领域，特别涉及到提高SU-8光刻胶与金属基底界面结合强度的方法。其特征是：在光刻过程中，在后烘之后、显影之前进行超声处理来提高SU-8光刻胶与金属基底界面结合强度，区别于传统的SU-8胶光刻工艺流程“研磨和清洗金属基底—旋涂SU-8光刻胶—前烘—曝光—后烘—显影”，该方法采用“研磨和清洗金属基底—旋涂SU-8光刻胶—前烘—曝光—后烘—超声处理—显影”。本发明的效果和益处是通过在SU-8胶光刻的过程中对胶层进行超声处理，使SU-8光刻胶与金属基底界面结合强度提高了58.7%，具有简单、高效、经济的特点，能够显著地提高胶模的尺寸精度和可靠性，从而提高微器件的成品率。

公开(公告)号：CN103436923A

公开(公告)日：2013-12-11

申请号：CN201310205724.5

申请日：2013-05-28

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 杜立群 ,  张晓蕾 ,  王翱岸 ,  赵明 ,  赵珊珊

IPC: C25D1/10 ,  G03F7/26

Abstract: 本发明公开了一种通过超声技术来提高SU-8光刻胶与金属基底界面结合强度的方法，属于微制造技术领域，特别涉及到提高SU-8光刻胶与金属基底界面结合强度的方法。其特征是：在光刻过程中，在后烘之后、显影之前进行超声处理来提高SU-8光刻胶与金属基底界面结合强度，区别于传统的SU-8胶光刻工艺流程“研磨和清洗金属基底—旋涂SU-8光刻胶—前烘—曝光—后烘—显影”，该方法采用“研磨和清洗金属基底—旋涂SU-8光刻胶—前烘—曝光—后烘—超声处理—显影”。本发明的效果和益处是通过在SU-8胶光刻的过程中对胶层进行超声处理，使SU-8光刻胶与金属基底界面结合强度提高了58.7%，具有简单、高效、经济的特点，能够显著地提高胶模的尺寸精度和可靠性，从而提高微器件的成品率。