一种内存功耗测试装置、系统及其应用方法

    公开(公告)号:CN111929495A

    公开(公告)日:2020-11-13

    申请号:CN202010977291.5

    申请日:2020-09-17

    Abstract: 本发明公开了一种内存功耗测试装置、系统及其应用方法,本发明装置包括带有内存槽和金手指的内存转接板,内存转接板为多层PCB板,内存转接板上设有用于走高速信号的第一层和用于作为高速信号的参考平面的第二层,第一层的每一根信号走线直接连接在内存槽和金手指上的信号端子之间,第二层的每一根信号走线至少一侧放置电容,该电容串联于内存槽和金手指的信号参考平面之间,且内存槽和金手指的信号参考平面之间串联有电阻,电阻两端分别连接有测试信号输出端子。本发明可单独检测出内存条功耗、以便将内存控制器和内存条功耗分开,而且采用了电容的交流耦合的方法去解决参考平面不连续问题,同时又能满足直流电源只能从电阻通过的设计需求。

    一种内存功耗测试装置、系统及其应用方法

    公开(公告)号:CN111929495B

    公开(公告)日:2021-01-26

    申请号:CN202010977291.5

    申请日:2020-09-17

    Abstract: 本发明公开了一种内存功耗测试装置、系统及其应用方法,本发明装置包括带有内存槽和金手指的内存转接板,内存转接板为多层PCB板,内存转接板上设有用于走高速信号的第一层和用于作为高速信号的参考平面的第二层,第一层的每一根信号走线直接连接在内存槽和金手指上的信号端子之间,第二层的每一根信号走线至少一侧放置电容,该电容串联于内存槽和金手指的信号参考平面之间,且内存槽和金手指的信号参考平面之间串联有电阻,电阻两端分别连接有测试信号输出端子。本发明可单独检测出内存条功耗、以便将内存控制器和内存条功耗分开,而且采用了电容的交流耦合的方法去解决参考平面不连续问题,同时又能满足直流电源只能从电阻通过的设计需求。

    一种提取超大规模集成电路芯片电源模型参数的方法

    公开(公告)号:CN112214955A

    公开(公告)日:2021-01-12

    申请号:CN202011090721.8

    申请日:2020-10-13

    Abstract: 本发明公开了一种提取超大规模集成电路芯片电源模型参数的方法,包括获得芯片设计中所有模块的VCD文件,抽取满足设计需求的RLC电源模型;将每个模块的RLC电源模型合并成全芯片的Spice网表;基于静态分析所有模块的插入时钟延时,将每个模块的插入时钟延时添加到全芯片的spice网表中得到芯片级的电源模型;利用芯片级的电源模型搭建系统级的PDN网络。本发明采用自底向上的方法,先抽取底层模块的电源模型参数,然后在模块电源模型的合并时加入时钟延时信息,最后得到全芯片的电源模型。该方法可以快速、准确地提取全芯片的电源模型参数,解决了传统方法抽取全芯片电源模型参数慢,无法迭代导致的模型不准确问题。

Patent Agency Ranking