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公开(公告)号:CN112214955A
公开(公告)日:2021-01-12
申请号:CN202011090721.8
申请日:2020-10-13
Applicant: 天津飞腾信息技术有限公司
IPC: G06F30/39
Abstract: 本发明公开了一种提取超大规模集成电路芯片电源模型参数的方法,包括获得芯片设计中所有模块的VCD文件,抽取满足设计需求的RLC电源模型;将每个模块的RLC电源模型合并成全芯片的Spice网表;基于静态分析所有模块的插入时钟延时,将每个模块的插入时钟延时添加到全芯片的spice网表中得到芯片级的电源模型;利用芯片级的电源模型搭建系统级的PDN网络。本发明采用自底向上的方法,先抽取底层模块的电源模型参数,然后在模块电源模型的合并时加入时钟延时信息,最后得到全芯片的电源模型。该方法可以快速、准确地提取全芯片的电源模型参数,解决了传统方法抽取全芯片电源模型参数慢,无法迭代导致的模型不准确问题。