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公开(公告)号：CN119101986A
公开(公告)日：2024-12-10
申请号：CN202411223346.8
申请日：2024-09-02
Applicant: 宁夏中晶半导体材料有限公司
Abstract: 本发明公开了一种无需掺杂装置的高纯锑掺杂方法，具体包括以下步骤，S1、熔料：加热升温将准备好的多晶硅在石英坩埚中熔化为液态；S2、调温：使熔硅温度逐渐降低，最终维持其略高于结晶温度；S3、掺杂准备：完成掺杂的材料、设备、工艺准备；S4、掺杂：快速下降重锤、高纯锑块和籽晶的组合体，完成掺杂操作。本发明的有益效果是：高纯锑浸入熔硅前为固态，无溅硅的发生避免掺杂杂质的损失；高纯锑浸入熔硅后控制蒸发的措施，进一步降低掺杂杂质的损失；取消掺杂装置，更低的损耗；提前准备适量的锑块，无安装、拆除掺杂装置的时间，提高了效率；掺杂后可迅速进入引晶工序，无额外的单晶炉准备时间。
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公开(公告)号：CN115058767B
公开(公告)日：2024-04-23
申请号：CN202210603691.9
申请日：2022-05-30
Applicant: 宁夏中晶半导体材料有限公司
Abstract: 本发明公开了一种用于MCZ法拉制重掺锑单晶的加掺方法和装置，该方法包括以下步骤：事先在连杆的底部分别套设上单晶硅片和下单晶硅片，限位凸起对下单晶硅片和上单晶硅片的底部进行支撑，在将钟罩套设在连杆上，上单晶硅片和下单晶硅片对钟罩的底部进行封闭，使锑金属原料能够储存在储存腔的内腔，单晶硅在坩埚内部融化后，根据单晶硅液的量，来对需要添加的锑金属重量进行计算。本发明具备便于加料进行掺杂的优点，解决了目前的锑单晶加掺方法在伞盖上部铺设金属小料来进行加掺，但是籽晶在坩埚内生长为伞盖状耗时较长，生长过程中容易产生埚内结晶现象，伞盖太小无法完全盛放掺杂金属的问题。
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公开(公告)号：CN114952458A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210546117.4
申请日：2022-05-19
Applicant: 宁夏中晶半导体材料有限公司
Abstract: 本发明公开了一种调整晶棒正晶向滚磨加工的装置和方法，包括机体和工作台，所述工作台顶部的左侧通过螺栓安装有安装座，所述安装座的顶部通过螺栓分别固定安装有减速器和轴承座，所述减速器的左侧通过螺栓固定连接有第一电机，所述减速器的输出轴固定连接有转杆，所述工作台顶部的右侧滑动连接有固定座。本发明具备调整晶向的优点，解决了目前的晶棒在进行正晶向滚磨加工前，不便于对晶棒的晶向偏离度进行调整，容易导致加工完毕的晶棒出现晶向超标的情况，晶向超标后无法调整晶棒的晶向，容易导致产品报废，在进行后续切片时需要再次调整晶向，会造成晶棒的切片成品率低、椭圆形和翘曲度大等问题。
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公开(公告)号：CN114622273A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202210362850.0
申请日：2022-04-08
Applicant: 宁夏中晶半导体材料有限公司
Abstract: 本发明公开了一种用于安装水平磁场单晶炉的炉外装料装置，属于单晶炉技术领域，其技术方案要点包括支撑座，所述支撑座的顶部设置有旋转组件，所述旋转组件的顶部固定安装有轴承端盖，所述旋转组件的外侧设置有电动推杆，所述电动推杆的活动端和旋转组件的外侧设置有吊臂。本发明轴套通过滚子轴承进行转动，对吊臂的角度进行调整，通过控制电动推杆进行伸缩，对坩埚的水平角度进行调整，通过吸盘将坩埚吸附，整体灵活性强，采用机械的方式代替传统人工装料的方式，降低了工作人员的劳动强度，且缩短了装料时间，极大的提升了工作效率，同时，在工装料过程中不会摩擦石墨件与石墨毡，避免造成原料内混入碳粉。
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公开(公告)号：CN109270082B
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN201810901846.0
申请日：2018-08-09
Applicant: 宁夏中晶半导体材料有限公司
IPC: G01N21/95
Abstract: 一种利用腐蚀方法及微观检测确定单晶硅晶线的方法,通过可控的腐蚀过程，利用特定腐蚀液择优腐蚀样片，使得单晶表面出现凹坑，腐蚀出特定的微缺陷形态；然后通过显微镜检测样片，确定单晶样片的特定微观缺陷形态，根据单晶样片的缺陷形态确定和标记对应的宏观晶线位置。有益效果在于：工艺过程简单，用时短，操作过程要求低；单晶硅样片缺陷形态准确度高，确定的晶线误差小；无需其他大型高端设备，实施成本低；单晶硅样片的引用，不会对原单晶硅棒产生破坏，适合大规模生产需求。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111036051A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201911409823.9
申请日：2019-12-31
Applicant: 宁夏中晶半导体材料有限公司
IPC: B01D53/56 , B01D53/75 , B01D53/78 , C02F1/66 , C02F103/18
Abstract: 一种氮氧化物废气处理装置,包括了收气装置、洗涤罐、活性炭吸附塔和排放塔，所述收气装置、洗涤罐、活性炭吸附塔和排放塔依次收尾相接联通设置；所述洗涤罐的底部设置有进气口，顶部设置有排气口，罐体中装有洗涤液；所述洗涤罐内的进气口上安装有鼓泡装置；所述洗涤罐包括了一级处理罐和二级处理罐，一级处理罐中的洗涤液为水，二级处理罐中的洗涤液为碱性溶液。有益效果在于：洗涤液使用低浓度碱液即可，洗涤罐在使用过程中不需要维护，相较喷淋净化塔设备成本低；能够最大限度的净化废气，并且所用洗涤液所产生的洗涤废液少，废液处理简单成本低。
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公开(公告)号：CN115198349A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202210895130.0
申请日：2022-07-28
Applicant: 宁夏中晶半导体材料有限公司
Abstract: 本发明提供一种坩埚及埚帮冷却组件，包括埚帮，埚帮的内侧开设有浅槽，浅槽的内部填充树脂为硅烷树脂层，埚帮的底部涂有耐磨层，耐磨层的边侧设置有高温隔热层，埚帮的顶部两侧帮壁倾斜设置为筒状，浅槽之间对称设置，埚帮的内部套设有坩埚，坩埚的外侧涂有石墨粉层，埚帮的软化温度大于坩埚的软化温度，本发明通过埚帮上的高温隔热层便于对坩埚在高温加工下进行隔热处理，起到一定防止坩埚发生膨胀的效果，避免坩埚膨胀无法从埚帮的内部脱离，且拆装坩埚后需要冷却一段时间，同时通过设置的高温隔热层降低石墨埚帮裂比例增加成本上升情况，保证埚帮的使用寿命，避免发生开裂，同时降低损坏的成本。
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公开(公告)号：CN114875495A
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202210525353.8
申请日：2022-05-18
Applicant: 宁夏中晶半导体材料有限公司
Abstract: 本发明公开了一种确定111晶向单晶硅晶线的方法，包括以下步骤：事先配置化学腐蚀试剂，在将晶棒尾段放置在化学腐蚀试剂进行腐蚀，使得单晶表面出现凹坑，化学腐蚀试剂的配比方法，将氢氧化钠和纯水倒入反应釜内部，进行混合搅拌，使氢氧化钠和纯水混合生成碱溶液；把制备的碱溶液倒入到容器的内部，在容器的底部放置镂空圆环，把容器放置在电炉的顶部，控制电炉通电，电炉对容器进行加热，容器对内部的碱溶液进行加热。本发明具备高效便捷的优点，解决了目前的确定单晶硅晶线的方法，不便于对单晶硅的晶线进行快速确定，确定流程复杂，增加了单晶硅的加工成本的问题。
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公开(公告)号：CN114672874A
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202210538760.2
申请日：2022-05-18
Applicant: 宁夏中晶半导体材料有限公司
Abstract: 本发明涉及小角晶界技术领域，具体为一种改善小角晶界缺陷的新型引晶方法，包括整个引晶过程有三次缩径过程，为非连续缩径过程，所述第一次缩径过程拉速调控放葫芦状结节，经第二次缩径过程达到缩径目标直径，拉速调控实现第二次葫芦晶结节。该改善小角晶界缺陷的新型引晶方法，在使用CZ法拉制重掺硼晶向硅单晶过程中，因掺杂浓度影响及拉制工艺限制，小角晶界缺陷成为行业难题，在减少过冷度的基础上改进引晶方法，固化拉晶工艺，突破小角晶界缺陷障碍，引晶方式采用葫芦晶有效的排除籽晶内部缺陷，保障晶体制成过程中原子有序排列，且在整个制成过程中提拉速度需平稳缓慢，频繁波动亦会影响固液界面翻转位错增殖进而产生小角晶界。
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公开(公告)号：CN109270082A
公开(公告)日：2019-01-25
申请号：CN201810901846.0
申请日：2018-08-09
Applicant: 宁夏中晶半导体材料有限公司
IPC: G01N21/95
Abstract: 一种利用腐蚀方法及微观检测确定单晶硅晶线的方法,通过可控的腐蚀过程，利用特定腐蚀液择优腐蚀样片，使得单晶表面出现凹坑，腐蚀出特定的微缺陷形态；然后通过显微镜检测样片，确定单晶样片的特定微观缺陷形态，根据单晶样片的缺陷形态确定和标记对应的宏观晶线位置。有益效果在于：工艺过程简单，用时短，操作过程要求低；单晶硅样片缺陷形态准确度高，确定的晶线误差小；无需其他大型高端设备，实施成本低；单晶硅样片的引用，不会对原单晶硅棒产生破坏，适合大规模生产需求。
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