一种单层氧化石墨烯解离分散方法

    公开(公告)号:CN119100380A

    公开(公告)日:2024-12-10

    申请号:CN202310676098.1

    申请日:2023-06-08

    Abstract: 本发明提供一种单层氧化石墨烯解离分散方法,属于石墨烯浆料制备技术领域,该单层氧化石墨烯解离分散方法包括;将鳞片石墨与氧化剂混合,进行氧化,然后经过电化学插层剥离处理,得到分散在电解液中的氧化石墨烯微片,待用;将步骤S1制得的氧化石墨烯微片加入到含由催化剂的有机溶剂中进行催化,得到氧化石墨烯催化溶液,待用;本发明中制得的氧化石墨烯浆料中,单层率高于90%,且固含高于显著高于行业内4wt.%左右的水平;氧化石墨烯均相分散,无团聚体;氧化石墨烯浆料的粘度有效控制在理想的范围内,具有良好的流延性,可实现自动化的管道输送与涂覆。

    一种高密度超柔石墨烯膜制备方法

    公开(公告)号:CN119100377A

    公开(公告)日:2024-12-10

    申请号:CN202310676244.0

    申请日:2023-06-08

    Abstract: 本发明提供一种高密度超柔石墨烯膜制备方法,属于石墨烯膜制备方法领域,包括如下步骤:首先准备旋转硅基底,并将硅基底进行清洗,待用;将石墨烯复合溶液滴落至硅基底上,并使得硅基底旋转;待硅基底上石墨烯复合溶液变干后,制得石墨烯薄膜;将石墨烯薄膜取下并烘干,进行多段压延处理和真空曲线压延处理,将压延后的成品引入收料滚筒上进行收料成筒;本发明中通过设有的对制备的石墨烯膜进行了多段压延以及真空曲线压延处理,使得石墨烯膜保留了微褶皱结构在拉伸、弯曲的过程中可以提供足够的应变空间,形成超柔性的石墨烯膜,能够有效避免结构破坏。

    一种原子级结构缺陷修复方法
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119100378A

    公开(公告)日:2024-12-10

    申请号:CN202310676266.7

    申请日:2023-06-08

    Abstract: 本发明提供一种原子级结构缺陷修复方法,属于原子缺陷修复方法技术领域,该原子级结构缺陷修复方法包括:将有缺陷的石墨烯加入到含催化剂的有机溶剂中进行分散,得到石墨烯分散液;将基底清洗,然后将石墨烯分散液通过喷涂方法均匀的喷涂至基底的表面上;本发明中,通过引入特定催化剂,协同修复石墨烯结构缺陷,实现碳原子的高效迁移,极大的加速非晶结构的修复;催化剂起到固定石墨烯片层的作用,降低热还原过程中的热膨胀,有效的提高了石墨烯在修复时的稳定性;本发明中,通过使用超高温缺陷修复方法,实现石墨烯sp2的稳定转化以及面内结构晶格的修复,使石墨烯微观缺陷得到充分修复,并且将导热系数提升至1500W/m·K以上。

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