公开(公告)号：CN105576042B

公开(公告)日：2019-02-26

申请号：CN201610099262.7

申请日：2016-02-23

Applicant: 安丘众一电子有限公司

Inventor： 牟庆船 ,  张秀娟

IPC: H01L29/861 ,  H01L21/329 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56

Abstract: 本发明提出了一种硅基玻璃钝化双向触发管芯片制造工艺，包括如下步骤：S101：选择硅片类型；S201：对选择后的硅片进行磷扩散处理，形成N+区；S301：对磷扩散处理后的元件进行氧化处理；S401：对氧化处理后的元件进行选择性刻蚀；S501：对选择性刻蚀后的元件进行开槽处理；S601：在开槽处理后的元件槽内形成保护层；S701：在形成保护层的元件上电镀形成电极，本发明能够简化生产工艺，降低漏电并提高器件的热稳定性和伏安特性。

公开(公告)号：CN105576042A

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：CN201610099262.7

申请日：2016-02-23

Applicant: 安丘众一电子有限公司

Inventor： 牟庆船 ,  张秀娟

IPC: H01L29/861 ,  H01L21/329 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L29/8611 ,  H01L21/56 ,  H01L23/3178 ,  H01L29/66121 ,  H01L29/66128 ,  H01L29/66136

Abstract: 本发明提出了一种硅基玻璃钝化双向触发管芯片制造工艺，包括如下步骤：S101：选择硅片类型；S201：对选择后的硅片进行磷扩散处理，形成N+区；S301：对磷扩散处理后的元件进行氧化处理；S401：对氧化处理后的元件进行选择性刻蚀；S501：对选择性刻蚀后的元件进行开槽处理；S601：在开槽处理后的元件槽内形成保护层；S701：在形成保护层的元件上电镀形成电极，本发明能够简化生产工艺，降低漏电并提高器件的热稳定性和伏安特性。