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公开(公告)号：CN116162100A
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202211699479.3
申请日：2022-12-28
Applicant: 安徽亚格盛电子新材料有限公司 , 全椒亚格泰电子新材料科技有限公司
IPC: C07F5/00
Abstract: 本发明公开了一种三乙基铟的制备方法，涉及金属有机源合成技术领域，其中常用的铟源主要为三甲基铟，三甲基铟常温下为固态，容易造成固态铟源易出现板结和残留偏多以及上机使用时浓度输出稳定性上差于液态源，液态铟源将会成为以后重要的铟源，进而导致三乙基铟在制备的操作方法上也会更加的繁琐，以及提纯制备的纯度上达不到较好的理想状态，本发明通过惰性气体保护下采用正丁基锂和碘乙烷反应，然后再和氯化铟反应生成三乙基铟，整个的操作简单、原料易得且产品纯度较高，并在惰性气体的保护下，制备过程中受到其他溶液试剂的干扰性要得到降低，因此可以提纯加工出更加优质的三乙基铟原料。
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![一种[3-(二甲氨基)丙基]二甲基铟的制备方法及装置](/CN/2023/1/107/images/202310538247.jpg)
公开(公告)号：CN116459540B
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202310538247.8
申请日：2023-05-15
Applicant: 安徽亚格盛电子新材料有限公司 , 全椒亚格泰电子新材料科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种[3‑(二甲氨基)丙基]二甲基铟的制备方法及装置，包括壳体，其特征在于：包括注气机构、搅拌机构和出料机构，所述壳体底部设有支撑框，所述壳体与支撑框之间固定连接有多个支撑杆，所述壳体顶部设有密封盖，所述壳体与密封盖之间通过螺栓可拆卸连接。本发明通过注气机构和搅拌机构的配合，可以方便地将惰性气体注入壳体内部，使得进入壳体内的物料可以在惰性气体的保护下进行搅拌和蒸馏，从而避免物料被氧化后降低其品质；此外，惰性气体在注入的同时壳体内原本的气体会被排出，避免了惰性气体与壳体内原本的气体混合后降低壳体内惰性气体的纯度，从而避免降低惰性气体的保护效果。
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公开(公告)号：CN116459540A
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202310538247.8
申请日：2023-05-15
Applicant: 安徽亚格盛电子新材料有限公司 , 全椒亚格泰电子新材料科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种[3‑(二甲氨基)丙基]二甲基铟的制备方法及装置，包括壳体，其特征在于：包括注气机构、搅拌机构和出料机构，所述壳体底部设有支撑框，所述壳体与支撑框之间固定连接有多个支撑杆，所述壳体顶部设有密封盖，所述壳体与密封盖之间通过螺栓可拆卸连接。本发明通过注气机构和搅拌机构的配合，可以方便地将惰性气体注入壳体内部，使得进入壳体内的物料可以在惰性气体的保护下进行搅拌和蒸馏，从而避免物料被氧化后降低其品质；此外，惰性气体在注入的同时壳体内原本的气体会被排出，避免了惰性气体与壳体内原本的气体混合后降低壳体内惰性气体的纯度，从而避免降低惰性气体的保护效果。
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公开(公告)号：CN115028656A
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202210800929.7
申请日：2022-07-08
Applicant: 全椒亚格泰电子新材料科技有限公司 , 安徽亚格盛电子新材料有限公司
Abstract: 本发明公开了一种规模化连续生产电子级高纯三甲基硅烷的方法及装置系统。本发明利用有机硅中间体生产工艺中的主要产品三甲基氯硅烷作为原料，以活泼金属的氢化物作为还原剂，在特定溶剂中发生还原反应，生成三甲基硅烷及多种硅烷类杂质气体，然后以多级精馏与吸附相结合进行提纯，可实现有机纯度超过4N，无机纯度超过6N的电子级三甲基硅烷的连续化低成本批量生产。
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公开(公告)号：CN218221143U
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN202221818135.5
申请日：2022-07-15
Applicant: 安徽亚格盛电子新材料有限公司 , 全椒亚格泰电子新材料科技有限公司
IPC: B01D9/02
Abstract: 本实用新型提供一种三甲基铝结晶储罐，包括结晶罐，结晶罐外侧设有冷冻机构，结晶罐中间设有打底管，通过打底管进行进出料，打底管外侧设有加热机构。通过在外侧设置冷冻机构对结晶罐内的三甲基铝进行结晶，中间的加热机构使中间部分的三甲基铝保持液相，从而使杂质集中在液相的三甲基铝中，在将结晶和未结晶的部分进行分离，从而对三甲基铝快速提纯，提纯步骤更加简便，提高了使用的便利性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117534697B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202410027054.0
申请日：2024-01-09
Applicant: 全椒亚格泰电子新材料科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种三叔丁氧基硅烷醇制备工艺及制备系统，涉及三叔丁氧基硅烷醇制备技术领域，包括：S1:向罐体中加入正己烷溶剂和叔丁醇钠，搭常压回流装置，通过罐体内设置有搅拌轴进行搅拌；S2:对罐体加热温度控制在T1值，将三氯硅烷加入罐体中分隔板分隔出的腔体中，并向罐体中第一储料腔加入N‑溴代丁二酰亚胺原料，分隔板上具有漏料孔，此时搅拌轴搅拌时带动封堵结构对漏料孔交替式封堵，使得三氯硅烷液体原料定量通过漏料孔下落滴加，在上述制备方法中，工艺简单、反应步骤少、原料配比合理、产生废弃物少，使得制备原料成本降低，在产业化推进中，可以有效的降低设备投入成本以及后续的制备成本，符合节能环保的生产理念。
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公开(公告)号：CN117510533A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311851870.5
申请日：2023-12-29
Applicant: 全椒亚格泰电子新材料科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种二异丙胺硅烷的制备工艺及制备系统，包括以下步骤：原料称取（以重量为单位）包括以下成分：二氯甲烷500份、金属钠24.2~27.6份、二异丙胺116.9~151.8份、一氯硅烷66.6份；在反应釜内通入惰性气体，并加入二氯甲烷、金属钠，降温至‑20~0℃，搅拌5~30分钟；滴加二异丙胺，自然升温至10~30℃搅拌1小时；降温至‑60~‑40℃，并通过MFC控制通入一氯硅烷搅拌12小时。本发明提供的二异丙胺硅烷的制备工艺及制备系统，通过二氯甲烷、金属钠代替乙醚进行二异丙胺硅烷的制备，能避免在制备过程中因为乙醚氧化后易爆，且整体制备过程简单、原料易得，整体制备后二异丙胺硅烷反应转换率较高。
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公开(公告)号：CN117510533B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202311851870.5
申请日：2023-12-29
Applicant: 全椒亚格泰电子新材料科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种二异丙胺硅烷的制备工艺及制备系统，包括以下步骤：原料称取（以重量为单位）包括以下成分：二氯甲烷500份、金属钠24.2~27.6份、二异丙胺116.9~151.8份、一氯硅烷66.6份；在反应釜内通入惰性气体，并加入二氯甲烷、金属钠，降温至‑20~0℃，搅拌5~30分钟；滴加二异丙胺，自然升温至10~30℃搅拌1小时；降温至‑60~‑40℃，并通过MFC控制通入一氯硅烷搅拌12小时。本发明提供的二异丙胺硅烷的制备工艺及制备系统，通过二氯甲烷、金属钠代替乙醚进行二异丙胺硅烷的制备，能避免在制备过程中因为乙醚氧化后易爆，且整体制备过程简单、原料易得，整体制备后二异丙胺硅烷反应转换率较高。
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公开(公告)号：CN117624214A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202410094628.6
申请日：2024-01-24
Applicant: 全椒亚格泰电子新材料科技有限公司 , 安徽亚格盛电子新材料股份有限公司
Abstract: 本发明涉及硅基前驱体材料的合成技术领域，尤其涉及一种四甲基硅烷的制备方法。本发明提供了一种四甲基硅烷的制备方法，包括以下步骤：将金属锂和有机溶剂混合，得到锂混合液；在所述锂混合液中加入三甲基氯硅烷后，进行第一搅拌，通入氯甲烷，进行第二搅拌后，依次进行蒸馏和精馏，得到所述四甲基硅烷。本发明所述制备方法的反应原理是（CH3)3SiCl+CH3Cl+2Li→(CH3)4Si+2LiCl，所述制备方法操作简单、原料易得、无副产物且得到的产品纯度较高。
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公开(公告)号：CN117624214B
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202410094628.6
申请日：2024-01-24
Applicant: 全椒亚格泰电子新材料科技有限公司 , 安徽亚格盛电子新材料股份有限公司
Abstract: 本发明涉及硅基前驱体材料的合成技术领域，尤其涉及一种四甲基硅烷的制备方法。本发明提供了一种四甲基硅烷的制备方法，包括以下步骤：将金属锂和有机溶剂混合，得到锂混合液；在所述锂混合液中加入三甲基氯硅烷后，进行第一搅拌，通入氯甲烷，进行第二搅拌后，依次进行蒸馏和精馏，得到所述四甲基硅烷。本发明所述制备方法的反应原理是（CH3)3SiCl+CH3Cl+2Li→(CH3)4Si+2LiCl，所述制备方法操作简单、原料易得、无副产物且得到的产品纯度较高。
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