公开(公告)号：CN118727135A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202410752255.7

申请日：2024-06-12

Applicant: 安徽大学

Inventor： 唐曦 ,  郭素霞 ,  谌平凡 ,  韩昆 ,  赵长辉 ,  李小慧 ,  解旻旻 ,  何蝶

IPC: C30B23/02 ,  C30B29/40 ,  C30B23/06 ,  C30B33/02

Abstract: 本发明揭示了一种超宽带隙六方氮化硼薄膜的生长方法，所述超宽带隙六方氮化硼薄膜的生长方法具体包括如下：在安装有靶材的腔体内充入气体，并将腔体内的气压调节至目标气压；将衬底加热升温至目标温度，并保持目标温度和目标气压；以及对靶材进行处理，并与衬底产生反应，获得超宽带隙六方氮化硼薄膜。本发明能够实现对薄膜成分、结构和性能的精确控制，还能够实现在大尺寸衬底上生长高质量的超宽带隙六方氮化硼薄膜。