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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118385569B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410841005.0
申请日：2024-06-27
Applicant: 安徽大学
Abstract: 本发明提供一种多组元金属纳米复合粉末和粉末制备工艺，在得到均匀分散的复合粉末浆料后，通过冷冻干燥法制备多组元基体和高含量纳米粒子的金属复合粉末。通过冷冻条件下产生的冰晶将复合粉末浆料的均匀分散状态保留下来，随着冰晶升华，利用粉末之间的范德华力，制备分散度高、包覆均匀的纳米修饰金属复合粉末。上述制备方法操作简单，绿色环保，成本低廉，适合大规模制备，且在制备过程中不会引入杂质，保护了浆料原始的化学特性。该粉末制备工艺制备出的复合粉末能够面向3D打印，实现增材制造过程中新相的原位形成，从而通过合金设计提高3D打印产品性能。
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公开(公告)号：CN118385569A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410841005.0
申请日：2024-06-27
Applicant: 安徽大学
Abstract: 本发明提供一种多组元金属纳米复合粉末和粉末制备工艺，在得到均匀分散的复合粉末浆料后，通过冷冻干燥法制备多组元基体和高含量纳米粒子的金属复合粉末。通过冷冻条件下产生的冰晶将复合粉末浆料的均匀分散状态保留下来，随着冰晶升华，利用粉末之间的范德华力，制备分散度高、包覆均匀的纳米修饰金属复合粉末。上述制备方法操作简单，绿色环保，成本低廉，适合大规模制备，且在制备过程中不会引入杂质，保护了浆料原始的化学特性。该粉末制备工艺制备出的复合粉末能够面向3D打印，实现增材制造过程中新相的原位形成，从而通过合金设计提高3D打印产品性能。
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公开(公告)号：CN117849569B
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202410251482.1
申请日：2024-03-06
Applicant: 安徽大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明揭示了一种纳秒量级延时的功率器件测试电路及方法，所述纳秒量级延时的功率器件测试电路包括双脉冲测试电路，应力时长控制电路和接口控制电路；应力时长控制电路用于控制待测晶体管的漏极电压应力时长，并在时长内实现双脉冲测试电路产生既定的电流；双脉冲测试电路用于在待测晶体管导通时向待测晶体管施加电流，测试待测晶体管的特性；接口控制电路用于控制待测晶体管漏极的连接位置。本发明能够在任意设定的待测晶体管的漏极电压应力时长内产生既定的电流，从而进行测试时无需等待额外的充电时间，并且能够在任意漏极电压应力时长、漏极电压应力和负载电流下迅速检测待测晶体管的开关特性和导通电阻等状态。
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公开(公告)号：CN117849569A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202410251482.1
申请日：2024-03-06
Applicant: 安徽大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明揭示了一种纳秒量级延时的功率器件测试电路及方法，所述纳秒量级延时的功率器件测试电路包括双脉冲测试电路，应力时长控制电路和接口控制电路；应力时长控制电路用于控制待测晶体管的漏极电压应力时长，并在时长内实现双脉冲测试电路产生既定的电流；双脉冲测试电路用于在待测晶体管导通时向待测晶体管施加电流，测试待测晶体管的特性；接口控制电路用于控制待测晶体管漏极的连接位置。本发明能够在任意设定的待测晶体管的漏极电压应力时长内产生既定的电流，从而进行测试时无需等待额外的充电时间，并且能够在任意漏极电压应力时长、漏极电压应力和负载电流下迅速检测待测晶体管的开关特性和导通电阻等状态。
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公开(公告)号：CN118727135A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410752255.7
申请日：2024-06-12
Applicant: 安徽大学
Abstract: 本发明揭示了一种超宽带隙六方氮化硼薄膜的生长方法，所述超宽带隙六方氮化硼薄膜的生长方法具体包括如下：在安装有靶材的腔体内充入气体，并将腔体内的气压调节至目标气压；将衬底加热升温至目标温度，并保持目标温度和目标气压；以及对靶材进行处理，并与衬底产生反应，获得超宽带隙六方氮化硼薄膜。本发明能够实现对薄膜成分、结构和性能的精确控制，还能够实现在大尺寸衬底上生长高质量的超宽带隙六方氮化硼薄膜。
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