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公开(公告)号：CN119491301A
公开(公告)日：2025-02-21
申请号：CN202510076073.7
申请日：2025-01-17
Applicant: 安徽大学
Abstract: 本发明公开了一种NaBiS2多晶薄膜材料、TiO2/NaBiS2异质结薄膜及其光电探测应用，属于电子新材料、新器件技术领域。本发明使用乙二胺、β‑巯基乙醇及1,2‑乙二硫醇的三溶剂体系的二次溶液反应法来溶解氢氧化钠、氧化铋及升华硫作为形成NaBiS2的前驱体溶液，采用溶液旋涂法生长纯相立方晶系的NaBiS2薄膜，其带隙为1.35 eV，表面形貌平整、均匀、无裂纹。该薄膜的制备工艺简单、成本低廉，产物纯相。同时，本发明提出了其异质TiO2的光电探测应用，所述光电探测器依次由FTO基底、TiO2多孔层、NaBiS2吸光层及廉价碳电极复合组成，通过NaBiS2吸光层与TiO2多孔层结合形成异质结，使其具有良好的自供电特性，为电子材料和器件领域提供了一种新型半导体薄膜材料、制备方法及光电探测应用的范例。
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公开(公告)号：CN109904319A
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201910083459.5
申请日：2019-01-29
Applicant: 安徽大学
Abstract: 本发明公开一种钙钛矿层的制备方法，包括以下步骤：1)配置第一前体溶液，将溶液旋涂于基底上形成湿膜，退火冷却；2)配置第二前体溶液，在冷却后基底湿膜上采用多滴涂层的方法，滴加第二前体溶液，进行连续热处理，得到钙钛矿层；还提供了太阳能电池的制备方法，包括以下步骤：1)导电玻璃基底清洗，在基底上制备电子传输层；2)在电子传输层上制备钙钛矿层；3)在钙钛矿层上制备空穴传输层以及制备金属电极。本发明提供的方法增加了钙钛矿晶体尺寸，晶体直径主要分布在(1.4-2.8)μm，最大可达5μm，由钙钛矿晶体形成的钙钛矿层表面平整无针孔，从而能够提高基于此钙钛矿晶体的太阳能电池的功率转化效率(PCE)和长期稳定性。
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公开(公告)号：CN109904319B
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN201910083459.5
申请日：2019-01-29
Applicant: 安徽大学
Abstract: 本发明公开一种钙钛矿层的制备方法，包括以下步骤：1)配置第一前体溶液，将溶液旋涂于基底上形成湿膜，退火冷却；2)配置第二前体溶液，在冷却后基底湿膜上采用多滴涂层的方法，滴加第二前体溶液，进行连续热处理，得到钙钛矿层；还提供了太阳能电池的制备方法，包括以下步骤：1)导电玻璃基底清洗，在基底上制备电子传输层；2)在电子传输层上制备钙钛矿层；3)在钙钛矿层上制备空穴传输层以及制备金属电极。本发明提供的方法增加了钙钛矿晶体尺寸，晶体直径主要分布在(1.4‑2.8)μm，最大可达5μm，由钙钛矿晶体形成的钙钛矿层表面平整无针孔，从而能够提高基于此钙钛矿晶体的太阳能电池的功率转化效率(PCE)和长期稳定性。
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公开(公告)号：CN118969876B
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202411433963.0
申请日：2024-10-15
Applicant: 安徽大学
Abstract: 本发明公开了一种NaSbS2薄膜材料、NiO/NaSbS2异质结及其光电探测应用，属于电子新材料、新器件技术领域。本发明所述的光电探测器件依次由ITO基底、NiO衬底、NaSbS2吸光层及铝金属电极复合组成。本发明提出NaSbS2作为吸光层，开发了乙二胺与β‑巯基乙醇的混合溶剂溶解氢氧化钠、氧化锑、升华硫作为合成NaSbS2的前驱溶液，采用溶液旋涂法生长纯相立方晶系NaSbS2薄膜，其带隙为1.70 eV。该薄膜的制备工艺简单、原料及制备成本低廉，并且其与磁控溅射法制备的NiO衬底形成异质结，表现出优良的自供电光电探测性能，为光电子器件领域研究提供新光电子材料、新合成方法、新应用范例。
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公开(公告)号：CN118969876A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411433963.0
申请日：2024-10-15
Applicant: 安徽大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/0352 , H01L31/109 , H01L31/18 , C01B17/22 , C23C14/08
Abstract: 本发明公开了一种NaSbS2薄膜材料、NiO/NaSbS2异质结及其光电探测应用，属于电子新材料、新器件技术领域。本发明所述的光电探测器件依次由ITO基底、NiO衬底、NaSbS2吸光层及铝金属电极复合组成。本发明提出NaSbS2作为吸光层，开发了乙二胺与β‑巯基乙醇的混合溶剂溶解氢氧化钠、氧化锑、升华硫作为合成NaSbS2的前驱溶液，采用溶液旋涂法生长纯相立方晶系NaSbS2薄膜，其带隙为1.70 eV。该薄膜的制备工艺简单、原料及制备成本低廉，并且其与磁控溅射法制备的NiO衬底形成异质结，表现出优良的自供电光电探测性能，为光电子器件领域研究提供新光电子材料、新合成方法、新应用范例。
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