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公开(公告)号：CN114214697B
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202111062547.0
申请日：2021-09-10
Applicant: 安徽富乐德科技发展股份有限公司
Abstract: 本发明涉及铝材氧化技术领域，且公开了一种铝合金阳极氧化电解液和阳极氧化系统工艺，包括一种铝合金阳极氧化电解液和一种铝合金阳极氧化系统工艺，本发明通过阳极氧化前必须检查导电铜座、导电铜铝块、挂具与导电梁接触处的导电状况，并经常打磨，阳极氧化前必须打开导电铜座的冷却水，并检查导电梁是否弯曲，弯曲的导电梁必须更换，氧化结束电后，行车挂钩才能挂上导电梁挂钩，中和时，型材应上下反倾斜移动，充分中和型材内孔中的残留碱液和去除表面挂灰，中和后的型材必须经二级水洗后,才能进入阳极氧化槽，中和后的型材应加强表面质量的检查，检查型材表面的砂面状况，是否有挂灰、毛刺、花斑、焊合线等表面缺陷，以便及时处理和返工。
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公开(公告)号：CN114749407A
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202210365873.7
申请日：2022-04-08
Applicant: 安徽富乐德科技发展股份有限公司
Abstract: 一种半导体部件超高压物理去膜方法。本发明提供一种半导体设备Amber Cu装置部件FO的清洗方法，采用超高压水洗的方式去除部件上Cu的膜层覆盖区域；将经过超高压水洗之后的部件采用化学药液进行处理，去除部件表面附着的少量残膜；采用纯水超声波对经过酸洗的部件进行清洗。该设计方法可以有效减少部件在清洗再生过程中产生的损耗，从而提高部件的清洗质量和使用次数，适于精密设备维护领域大规模推广应用。
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公开(公告)号：CN111790694B
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN202010661745.8
申请日：2020-07-10
Applicant: 安徽富乐德科技发展股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种激光清洗亚微米级污染颗粒的方法，利用激光清洗机器人对着待清洗工件的表面进行激光清洗，清洗效果好，清洗效率高；利用尾气检测和净化装置对激光清洗过程中产生的尾气进行检测和净化，检测的误差小，检测的结果准确度高，从而避免激光清洗机器人对着待清洗工件表面过度清洗或清洗不彻底；同时，还能够对激光清洗过程中产生的尾气进行净化，净化效果好，还能够显著延长真空泵的使用寿命，应用价值高。采用一级净化器和二级净化器能够有效清除掉尾气中的颗粒杂质，清理效果好。
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公开(公告)号：CN112246734A
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN202010739066.8
申请日：2020-07-28
Applicant: 安徽富乐德科技发展股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种半导体石英部件清洗治具和清洗工艺，是采用一种自主设计的自动化清洗设备，实现治具定位；高压水洗压力、角度、高度、旋转清洗的转速可控；清洗过程稳定可控，清洗效果较自动高压水洗有显著提高。适合在半导体、液晶平板等精密设备的维护保养方面大力发展。
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公开(公告)号：CN114214697A
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202111062547.0
申请日：2021-09-10
Applicant: 安徽富乐德科技发展股份有限公司
Abstract: 本发明涉及铝材氧化技术领域，且公开了一种铝合金阳极氧化电解液和阳极氧化系统工艺，包括一种铝合金阳极氧化电解液和一种铝合金阳极氧化系统工艺，本发明通过阳极氧化前必须检查导电铜座、导电铜铝块、挂具与导电梁接触处的导电状况，并经常打磨，阳极氧化前必须打开导电铜座的冷却水，并检查导电梁是否弯曲，弯曲的导电梁必须更换，氧化结束电后，行车挂钩才能挂上导电梁挂钩，中和时，型材应上下反倾斜移动，充分中和型材内孔中的残留碱液和去除表面挂灰，中和后的型材必须经二级水洗后,才能进入阳极氧化槽，中和后的型材应加强表面质量的检查，检查型材表面的砂面状况，是否有挂灰、毛刺、花斑、焊合线等表面缺陷，以便及时处理和返工。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111701947B
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN202010580316.8
申请日：2020-07-23
Applicant: 安徽富乐德科技发展股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种半导体硅片超声和兆声清洗系统，包括对半导体硅片进行超声清洗和兆声清洗的清洗槽。本发明所述半导体硅片超声和兆声清洗系统通过先对半导体硅片进行超声清洗，再对其进行兆声清洗。进行超声清洗的超声清洗区，其声能主要是来源于兆声清洗区，超声清洗和兆声清洗同时进行，清洗效果好。本发明所述半导体硅片超声和兆声清洗系统能够在短时间内清洗掉半导体硅片表面附着的微粒，清洗效果好，清洗效率高，耗能少。
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公开(公告)号：CN111715590B
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN202010580860.2
申请日：2020-07-23
Applicant: 安徽富乐德科技发展股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种电子行业蒸镀设备的清洗方法，通过先对蒸镀设备进行高压水洗能够有效清理大块残膜，进行喷砂清理能够对残膜进一步清理；最后采用先高压超声清洗再高压兆声清洗，能够有效清除掉蒸镀设备在蒸镀作业时附着的小颗粒杂质，清洗时间短，清洗效果好，耗能少。本发明的清洗效率高，无需长时间浸泡处理，清洗效果好；即使对残膜层厚超过1mm的蒸镀设备进行清洗，也能够在短时间内将残膜层给清除掉，清除效果好；清洗液为水，污染小，节能环保。
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公开(公告)号：CN111790694A
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN202010661745.8
申请日：2020-07-10
Applicant: 安徽富乐德科技发展股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种激光清洗亚微米级污染颗粒的方法，利用激光清洗机器人对着待清洗工件的表面进行激光清洗，清洗效果好，清洗效率高；利用尾气检测和净化装置对激光清洗过程中产生的尾气进行检测和净化，检测的误差小，检测的结果准确度高，从而避免激光清洗机器人对着待清洗工件表面过度清洗或清洗不彻底；同时，还能够对激光清洗过程中产生的尾气进行净化，净化效果好，还能够显著延长真空泵的使用寿命，应用价值高。采用一级净化器和二级净化器能够有效清除掉尾气中的颗粒杂质，清理效果好。
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公开(公告)号：CN111701947A
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN202010580316.8
申请日：2020-07-23
Applicant: 安徽富乐德科技发展股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种半导体硅片超声和兆声清洗系统，包括对半导体硅片进行超声清洗和兆声清洗的清洗槽。本发明所述半导体硅片超声和兆声清洗系统通过先对半导体硅片进行超声清洗，再对其进行兆声清洗。进行超声清洗的超声清洗区，其声能主要是来源于兆声清洗区，超声清洗和兆声清洗同时进行，清洗效果好。本发明所述半导体硅片超声和兆声清洗系统能够在短时间内清洗掉半导体硅片表面附着的微粒，清洗效果好，清洗效率高，耗能少。
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公开(公告)号：CN114806747A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210455713.1
申请日：2022-04-28
Applicant: 安徽富乐德科技发展股份有限公司
Abstract: 本发明涉及晶片清洗技术领域，尤其涉及用于一种晶片清洗水和清洗晶片的方法，包括去有机物和金属的清洗水、去颗粒的有机水和去金属的有机水，去有机物和金属的清洗水具有大于1MΩ.cm的电阻率，该去有机物和金属的清洗水内含有H2SO4和H2O2，且H2OH：H2SO4的比例为2~4：1，本发明去有机物和金属的有机水内的H2SO4和H2O2的强氧化性和脱水性，在浸泡过程中，去有机物和金属的有机水和附着在半导体晶片上的有机物进行反应，对有机物内的碳氢键进行破坏，H2O2和有机物反应放出氧气和水，H2O2会和金属发生剧烈反应，而H2SO4会脱去有机物中的氢氧元素，实现对半导体晶片上的有机物的去除，提高对半导体上有机物的清洁速度与效率。
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