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公开(公告)号：CN114400196B
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202111598189.5
申请日：2021-12-24
Applicant: 安徽富乐德长江半导体材料股份有限公司
IPC: H01L21/677 , F16N11/00
Abstract: 本发明涉及晶圆技术领域，具体是一种晶圆再生用传输设备及其传输方法，包括传送带，还包括拆装机构、定位机构和移位机构，所述拆装机构固定安装在传送带外壁两侧，所述拆装机构顶部固定安装有上料机构，所述上料机构内壁两侧设置有防护减震机构，本发明中通过设置有移位机构、加压出料机构和固定支撑机构，将连接管通过销轴和卡箍固定在支撑板底部，使出油嘴的位置对准滑轨顶部，可以更加便捷的根据不同的使用情况对出油嘴的位置进行调节，以便于适应不同的使用情况，更加的便捷，再打开气缸使气缸带动推杆将活塞缓慢下压，从而使润滑油罐内部的润滑油缓慢的通过出油嘴滴出，可以更加快速便捷的根据使用的需求调节活塞的下压速度。
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公开(公告)号：CN116959959A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202310951606.2
申请日：2023-07-31
Applicant: 安徽富乐德长江半导体材料股份有限公司
Abstract: 本发明采用一种电化学氧化法去除硅晶圆表面污染物的工艺，基于非离子型表面活性剂APE和金属离子鳌合剂EDTA混合清洗剂去除颗粒污染和金属原子，利用电化学催化氧化的方法去除硅晶圆材料表面附着的有机污染物，电化学催化氧化不仅能够去除材料表面原生有机污染物，更是可以对第一步引入的次生有机物进行清除，不会造成二次污染。
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公开(公告)号：CN116426925A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202310275182.2
申请日：2023-03-16
Applicant: 安徽富乐德长江半导体材料股份有限公司
IPC: C23F1/30 , H01L21/3213
Abstract: 本发明提供一种去除含Ag合金的混合药液，包括HNO3、CH3COOH和H20，其中三种组分的体积比为：HNO3：CH3COOH：H2O＝20～28：25～35：5～7，本发明的目的在于快速去除含Ag合金中的Ag元素，在湿法腐蚀过程中，此混合药液不会损伤硅基底，不污染药液，对其他非金属膜和金属元素无反应，可以很好的控制腐蚀反应的终点，以此更好的控制膜去除后的硅片表面面状态，从而降低了再生成本提高良率和产量。
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公开(公告)号：CN116169024A
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202310191197.0
申请日：2023-02-27
Applicant: 安徽富乐德长江半导体材料股份有限公司
IPC: H01L21/3213 , H01L21/311 , H01L21/02 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种再生项目去除多层金属膜的方法及清洗设备，其包括如下清洗步骤：S1、Ni/Ag合金金属膜层去除、S2、AL/Cu/Au/Mo金属膜层去除、S3、Ti/W金属膜层去除、S4、稀有金属膜层、金属氮化膜层去除、S5、氮氧化保护层去除；通过清洗设备能够控制目标物与不同的清洗区域内交替移动，实现对目标物的持续高效清洗，满足清洗加工需求。该发明通过使用不同腐蚀药液、固定的清洗流程，从而达到去除多层金属膜的目的，提高了目标物清洗的质量以及效率。
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公开(公告)号：CN115741448A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211612211.1
申请日：2022-12-15
Applicant: 安徽富乐德长江半导体材料股份有限公司
IPC: B24B37/013 , B24B37/005 , B24B37/34 , B24B57/02
Abstract: 本发明公开了一种晶圆研磨厚度控制装置及系统，涉及晶圆加工技术领域，包括可旋转的研磨垫和可竖直移动的陶瓷模框，陶瓷模框的下部设有与研磨垫贴合的晶圆片材，研磨垫与陶瓷模框之间至少设有一组信号发射端和信号接收端，信号发射端和信号接收端通过导线连接CMP主机；信号接收端以嵌入的方式设置在研磨垫上，信号发射端以嵌入的方式固定在陶瓷模框的边缘上，并位于晶圆片材的一侧，与信号接收端的旋转轨迹相对应。本发明还提出了一种晶圆研磨厚度控制的系统，包括位于CMP主机内的光源、光学处理系统和终点检测系统。本发明可实时检测整片晶圆厚度变化，实现晶圆厚度研磨的精确控制。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117233242A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202311240807.8
申请日：2023-09-25
Applicant: 安徽富乐德长江半导体材料股份有限公司
IPC: G01N27/626 , G01N1/34 , G01N1/32
Abstract: 本发明公开了一种检测再生晶圆内部Cu离子含量的工艺方法，本发明研究公开了一种检测再生晶圆内部Cu离子含量的工艺方法，该方法在常规的ICP‑MS金属检测方法的基础上，通过延长检测前的取样腐蚀时间，达到监控晶圆内部Cu离子含量的目的。
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公开(公告)号：CN116994991A
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202310951608.1
申请日：2023-07-31
Applicant: 安徽富乐德长江半导体材料股份有限公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/677 , B08B3/02 , B08B1/00 , B08B1/02
Abstract: 本发明公开了一种适应性强且夹取稳定的晶圆衬底清洗设备，涉及晶圆衬底清洗技术领域，一种适应性强且夹取稳定的晶圆衬底清洗设备，包括箱体，箱体下表面与积水底座固定相连，箱体设有插入孔，箱体设有第一支架，第一支架设有滑槽，滑槽内设有滑动板，滑动板设有滑动底座，积水底座设有传送轨道，传送轨道连接有衔接块，衔接块连接有旋转电机，旋转电机连接有对称的第三支架，第三支架设有伸缩电机，传送轨道设有挡水板，挡水板设有对称的进水管，进水管设有喷水头，两根进水管之间设有旋转电机，旋转电机连接有清洗刷。本发明夹取晶圆衬底的夹具夹取稳固，占用空间小，操作方便，工作效率高，对于晶圆衬底的形状适应能力强，适合推广。
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公开(公告)号：CN116705592A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202310792510.6
申请日：2023-06-30
Applicant: 安徽富乐德长江半导体材料股份有限公司
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种去除晶圆表面Cu离子污染的工艺方法，本发明的目的在于去除晶圆表面Cu离子污染，在作业过程中，不会对硅片造成损伤，也不会影响硅衬底内部结构。该工艺方法首先将晶圆表面膜层完全去除，然后通过药液+超声处理，使得硅衬底表面的Cu离子含量＜5E10 atoms/cm2，确保Cu离子不会进入后续的抛光工段，防止污染生产线，经过抛光及洗净后，最终的Cu离子含量能达到5E8 atoms/cm2的水平，满足客户再生要求。
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公开(公告)号：CN114400196A
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN202111598189.5
申请日：2021-12-24
Applicant: 安徽富乐德长江半导体材料股份有限公司
IPC: H01L21/677 , F16N11/00
Abstract: 本发明涉及晶圆技术领域，具体是一种晶圆再生用传输设备及其传输方法，包括传送带，还包括拆装机构、定位机构和移位机构，所述拆装机构固定安装在传送带外壁两侧，所述拆装机构顶部固定安装有上料机构，所述上料机构内壁两侧设置有防护减震机构，本发明中通过设置有移位机构、加压出料机构和固定支撑机构，将连接管通过销轴和卡箍固定在支撑板底部，使出油嘴的位置对准滑轨顶部，可以更加便捷的根据不同的使用情况对出油嘴的位置进行调节，以便于适应不同的使用情况，更加的便捷，再打开气缸使气缸带动推杆将活塞缓慢下压，从而使润滑油罐内部的润滑油缓慢的通过出油嘴滴出，可以更加快速便捷的根据使用的需求调节活塞的下压速度。
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公开(公告)号：CN218079384U
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202222541443.4
申请日：2022-09-26
Applicant: 安徽富乐德长江半导体材料股份有限公司
Abstract: 本实用新型公开了一种晶圆清洗用超声波清洗设备，涉及到晶圆清洗技术领域，包括清洗槽，所述清洗槽的底部安装有超声波发生器，所述清洗槽的清洗腔底部安装有与所述超声波发生器电性连接的超声波振板，所述清洗槽的左右端分别位于第一密罩体和第二密封罩的内腔，所述清洗槽的底部左右侧分别设置有第一移动脚轮和支撑柱，所述支撑柱与所述第二密封罩的内壁固定连接，所述第一密封罩的上端安装有抽气泵，所述第二密封罩前后端上均固定有同步电机，且两个所述同步电机的输出轴均通过联轴器固定连接有螺杆。本清洗槽在工作时，第一密封罩运动并配合第二密封罩形成一个密封室，通过抽气泵将密封室抽真空，可利用真空环境减弱噪声的传播。
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