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公开(公告)号：CN114400196B
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202111598189.5
申请日：2021-12-24
Applicant: 安徽富乐德长江半导体材料股份有限公司
IPC: H01L21/677 , F16N11/00
Abstract: 本发明涉及晶圆技术领域，具体是一种晶圆再生用传输设备及其传输方法，包括传送带，还包括拆装机构、定位机构和移位机构，所述拆装机构固定安装在传送带外壁两侧，所述拆装机构顶部固定安装有上料机构，所述上料机构内壁两侧设置有防护减震机构，本发明中通过设置有移位机构、加压出料机构和固定支撑机构，将连接管通过销轴和卡箍固定在支撑板底部，使出油嘴的位置对准滑轨顶部，可以更加便捷的根据不同的使用情况对出油嘴的位置进行调节，以便于适应不同的使用情况，更加的便捷，再打开气缸使气缸带动推杆将活塞缓慢下压，从而使润滑油罐内部的润滑油缓慢的通过出油嘴滴出，可以更加快速便捷的根据使用的需求调节活塞的下压速度。
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公开(公告)号：CN119028878A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202411183296.5
申请日：2024-08-27
Applicant: 安徽富乐德长江半导体材料股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种晶圆再生项目去除钼金属膜层的方法及装置，包括如下步骤S1:将晶圆放置在内部装有酸性腐蚀液的第一超声波处理槽中，酸性腐蚀液中硫酸的质量百分比浓度为98%，双氧水的质量百分比浓度为30%；S2：再将处理完毕后的晶圆放置在第二超声波处理槽中，内部装有混酸处理液。使用两种不同混合酸液和超声设备组合作业，从而去除钼金属膜层，更好的控制膜去除后的硅片表面面状态，每种混合酸液发生反应生成的物质可溶于水，不会污染药液和槽体，不对后续作业的硅片产生污染，且不会过度损伤硅基底，整个流程对硅基底的腐蚀量小非常小，提高再生清洗成功率，稳定硅片循环再生的次数。
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公开(公告)号：CN116372809A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202310480464.6
申请日：2023-04-28
Applicant: 安徽富乐德长江半导体材料股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种晶圆CMP异常检测系统，涉及到晶圆加工技术领域，包括电流检测单元、超载触发单元和停机报警单元；电流检测单元：用于检测抛光头驱动电机电流变化以判断其是否超载；超载触发单元：当所述电流检测单元检测到抛光头驱动电机超载时，超载触发单元被启动，触发所述停机报警单元停机报警。本系统通过电流检测单元检测抛光头电机负载（电流与负载呈正比关系）情况，当检测到其超载时，超载触发单元被启动控制抛光设备停止抛光操作并控制报警单元进行报警，由于本检测系统是监控抛光头驱动电机负载情况，因此不会出现碎片小，飞片位置不在Sensor感应区导致无法检测的情况，也不会出现sensor沾水误报警的异常，提高其检测精度及降低其报警错误率。
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公开(公告)号：CN116313896A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202211692160.8
申请日：2022-12-28
Applicant: 安徽富乐德长江半导体材料股份有限公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/683 , B08B13/00 , B08B3/12 , F26B5/08
Abstract: 本发明公开了一种适用于磁性晶圆的磁悬浮清洗装置，涉及到货物运输领域，包括超声波清洗槽、驱动用于承载磁性晶圆的放置框进行上下运动的两电动伸缩杆，所述放置框的内腔竖直放置有若干个磁性晶圆，每个所述磁性晶圆的底部均安装有竖直向外倾斜张开设置的两承重永磁体，所述放置框两相对的侧壁上均安装有水平向外倾斜张开设置的两限位永磁体，且两所述限位永磁体分别位于所述磁性晶圆的两侧。通过倾斜设置的四个限位永磁体和两承重永磁体的配合可使得磁性晶圆稳定悬浮，以实现对磁性晶圆地无接触超声波清洗，使得磁性晶圆清洗的更加彻底且不会发生变形。
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公开(公告)号：CN115945991A
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN202211612202.2
申请日：2022-12-15
Applicant: 安徽富乐德长江半导体材料股份有限公司
Abstract: 本发明涉及半导体晶圆再生的边缘抛光装置领域，具体为一种晶圆夹持式边缘抛光装置及工艺，包括固定主轴和晶圆吸盘，所述固定主轴与外设机械臂固定连接，外设机械臂内设置有驱动固定主轴旋转的主轴电机，所述固定主轴底端固定连接有三角夹盘，所述三角夹盘表面阵列转动连接有晶圆夹臂，所述固定主轴表面滑动连接有三角滑盘，所述三角滑盘表面阵列转动连接有拉板。本发明的通过设置晶圆夹臂、夹持部和抛光布，采用夹持抛光一体式结构，通过晶圆夹臂和夹持部带动晶圆进行移送，减少工序加工中的机械时间，提高生产效能，同时抛光布套接在夹持部上，便于拆卸，并且降低了抛光布使用面积，从而提高抛光布的有效利用率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118073194A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202410228426.6
申请日：2024-02-29
Applicant: 安徽富乐德长江半导体材料股份有限公司
IPC: H01L21/311 , H01L21/02
Abstract: 本发明一种再生项目加快去除不同工艺产生的氮化膜的方法针对使用不同酸碱腐蚀药液，从而去除不同工艺的氮化膜，更好的控制膜去除后的硅片表面面状态，从而降低了再生成本提高良率和产量。每一种药液与对氮化膜发生反应生成的物质可溶于水，不会污染药液和槽体，不对后续作业的硅片产生污染，且不会过度损伤硅基底，整个流程对硅基底的腐蚀量小于2um，提高再生清洗成功率，稳定硅片循环再生的次数。
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公开(公告)号：CN118039459A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410228432.1
申请日：2024-02-29
Applicant: 安徽富乐德长江半导体材料股份有限公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/304
Abstract: 本发明公开了一种晶圆再生去除水波纹面状态异常的方法，通过湿法预理、DFG物理研磨、湿法再处理，通过调整去膜工艺去膜流程及工艺参数，从而去除水波纹类异常面状态的膜质残留，使硅片达到再生要求。无论是去膜流程及工艺参数的调整在去膜过程中发生反应生成的物质可溶于水，不会污染药液和槽体，不对后续作业的硅片产生污染，且不会过度损伤硅基底，因为水波纹膜质残留异于传统长见的膜质残留整个流程对硅基底的腐蚀量小于12um，提高再生清洗成功率，稳定硅片循环再生的次数。
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公开(公告)号：CN117359499A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202311431184.2
申请日：2023-10-31
Applicant: 安徽富乐德长江半导体材料股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种晶圆抛光液恒温控制装置，包括储液槽、去离子水箱、制冷散热设备、加热换热器、制冷换热器和控制系统；所述的去离子水箱内设有U形加热管；所述的储液槽内设有搅拌器，储液槽连接制冷换热器和加热换热器，所述的加热换热器的热源是去离子水，所述的制冷换热器与制冷散热设备连接，制冷散热设备包括蒸发器和散热鳍片；所述的制冷换热器通过制冷剂进行制冷换热；非接触式热源提高加工研磨液的纯净能力，无接触水体热源，避免电气环境的漏电风险，提升系统可靠性。
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公开(公告)号：CN115945434A
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN202211692576.X
申请日：2022-12-28
Applicant: 安徽富乐德长江半导体材料股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种可对去离子水进行回收的晶圆清洗快排槽，涉及到晶圆清洗技术领域，包括槽体、喷淋管、匀流板、曝气管、注水管、排水管以及控制各设备有序工作的工控机，所述排水管设置有两个，分别为外排管和回收管，还包括在所述槽体进行排液之前对所述槽体内的去离子水进行电阻率检测的检测单元。利用检测单元检测槽体内去离子水的电阻率，工控机根据电阻率数值判断决定将清洗后的去离子水通过外排管排放还是回收管排放，可对可用的去离子水进行回收利用，同时在每次检测后都需要对检测单元的电阻率检测探头进行清洗，以提高检测精度，且电阻率检测探头在清洗或检测运动过程中做摆动运动，可进一步提高电阻率检测探头的检测精度。
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公开(公告)号：CN114918773A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202210614265.5
申请日：2022-06-01
Applicant: 安徽富乐德长江半导体材料股份有限公司
Abstract: 本发明涉及晶圆技术领域，具体是用于再生晶圆边角打磨设备，机体、两个分别固定安装在机体内壁两侧的电动滑轨，还包括上料提升机构、固定调节机构、缓冲旋转机构和安装机构，所述上料提升机构固定安装在机体顶部一侧，本发明通过设置有固定调节机构和缓冲旋转机构，将晶圆片移动至两个夹板之间，分别打开四个液压杆使液压杆带动两个夹板分别向内移动，直至两个夹板分别与晶圆片两侧相接触，持续推动使两个夹板带动两个伸缩杆向内收缩，从而对伸缩弹簧进行挤压，同时伸缩弹簧产生回弹力，对晶圆片进行夹紧固定，再打开电动旋转块使电动旋转块带动晶圆片进行旋转，可以更加便捷的对晶圆片进行夹紧固定，可以更好的对晶圆片进行缓冲防护。
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