-
公开(公告)号：CN114892134B
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202210567605.3
申请日：2022-05-23
Applicant: 安泰天龙钨钼科技有限公司 , 安泰天龙(北京)钨钼科技有限公司 , 安泰科技股份有限公司
Abstract: 本申请提供一种钼合金管靶材及其制备方法和用途，属于粉末冶金技术领域。该靶材以质量百分比计，包括Ni：10～30％，Ti：5～25％，W：1～20％，Re：0.5～5％，M：0‑15％，M为Cr、Zr、Ta、Nb中的至少一种，其中M用于替代部分Ti，余量为Mo和不可避免的杂质，Mo在钼合金管靶材中的质量百分比含量不低于50％，经冷等静压成型、包套、热等静压、挤压成型、退火等工序制备而成。本申请提供的靶材塑韧性好，变形能力较好，晶粒细小均匀。用本申请制备的靶材溅射沉积的薄膜的厚度分布更均匀，可通过溅射方式附着在电子部件用层叠配线膜的主导电层上形成金属覆盖层，用于平面显示器、薄膜太阳能和半导体装置等。
-
公开(公告)号：CN114855131A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210567614.2
申请日：2022-05-23
Applicant: 安泰天龙(北京)钨钼科技有限公司 , 安泰天龙钨钼科技有限公司 , 安泰科技股份有限公司
Abstract: 本发明属于粉末冶金技术领域，具体提供一种钼合金靶材及其制备方法和应用。所述钼合金靶材的制备方法包括如下步骤：配制原料：按照所述靶材各元素质量配比称取原料混合，以质量百分数计，所述靶材包括如下成分，Ni：10％～30％，Ti：5％～25％，W：1％～20％和Re：0.5％～5％，余量为Mo和不可避免的杂质，且Mo的质量百分比≥50％；冷等静压；热等静压；热轧；退火。本申请方法制备的靶材塑韧性好，变形能力好，晶粒细小均匀。用本申请制备的靶材溅射沉积的薄膜厚度分布更均匀，可通过溅射方式附着在电子部件用层叠配线膜的主导电层上形成金属覆盖层，用于平面显示器、薄膜太阳能和半导体装置等。
-
公开(公告)号：CN108145157B
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201711424694.1
申请日：2017-12-25
Applicant: 安泰天龙钨钼科技有限公司 , 安泰科技股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种高性能钼铼合金棒材，按质量百分比，由如下组分组成：铼5～50％，余量为钼；以及上述高性能钼铼合金棒材的制备方法，依次包括如下步骤：步骤一，按钼铼合金棒材的组分配比分别称取钼源和铼源，进行预处理，得到钼铼合金粉末；步骤二，将钼铼合金粉末装入设计好的模具型腔内进行压制成型处理，得到压坯；步骤三，将压坯在还原性气氛、惰性气体或者真空条件进行高温烧结处理，得到烧结坯料；步骤四，将烧结坯料进行轧制变形处理，得到轧制棒坯；步骤五，将轧制棒坯进行退火热处理，得到所述高性能钼铼合金棒材。本发明的制备方法制备的钼铼合金材料晶粒细小、均匀，致密度高，强度高。
-
公开(公告)号：CN114934260B
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202210567592.X
申请日：2022-05-23
Applicant: 安泰天龙钨钼科技有限公司 , 安泰天龙(北京)钨钼科技有限公司 , 安泰科技股份有限公司
Abstract: 本发明涉及稀有金属和粉末冶金技术领域，具体涉及一种钼合金靶材及其制备方法和应用，以质量百分数计，所述靶材包括10～30％的Ni，5～25％的Ti和0.5～5％的Re，余量为Mo和不可避免的杂质，且Mo的质量百分比≥50％。本发明在钼合金中加特定量的铼后，可以细化晶粒尺寸，使晶粒更均匀，降低材料脆性，增加塑韧性，提高变形加工能力，使得到的坯料可以进行轧制工序从而得到不同形状或大尺寸的靶材，作为靶材制备膜层时膜层厚度更均匀，溅射速度更快。
-
公开(公告)号：CN114939661B
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202210565049.6
申请日：2022-05-23
Applicant: 安泰天龙(北京)钨钼科技有限公司 , 安泰天龙钨钼科技有限公司 , 安泰科技股份有限公司
IPC: B22F5/12 , B22F3/04 , B22F3/15 , B22F3/20 , B22F3/16 , B22F3/24 , C22C27/04 , C22C1/04 , C23C14/34
Abstract: 本申请提供一种钼合金管靶材的制备方法、钼合金管靶材和用途，属于粉末冶金技术领域。该靶材是将原料粉末经冷等静压成型、包套、热等静压、挤压成型、退火等工序制备而成，本申请制备得到的靶材以质量百分比计，包括Ni：10～30％，Ti：5～25％，Re：0.5～5％，M：0‑15％，M为Cr、Zr、Ta、Nb中的至少一种，其中M用于替代部分Ti，余量为Mo和不可避免的杂质，Mo在钼合金管靶材中的质量百分比含量不低于50％。本申请方法制备的靶材塑韧性好，变形能力较好，晶粒细小均匀。用本申请制备的靶材溅射沉积的薄膜的厚度分布更均匀，可通过溅射方式附着在电子部件用层叠配线膜的主导电层上形成金属覆盖层，用于平面显示器、薄膜太阳能和半导体装置等。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114934260A
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN202210567592.X
申请日：2022-05-23
Applicant: 安泰天龙钨钼科技有限公司 , 安泰天龙(北京)钨钼科技有限公司 , 安泰科技股份有限公司
Abstract: 本发明涉及稀有金属和粉末冶金技术领域，具体涉及一种钼合金靶材及其制备方法和应用，以质量百分数计，所述靶材包括10～30％的Ni，5～25％的Ti和0.5～5％的Re，余量为Mo和不可避免的杂质，且Mo的质量百分比≥50％。本发明在钼合金中加特定量的铼后，可以细化晶粒尺寸，使晶粒更均匀，降低材料脆性，增加塑韧性，提高变形加工能力，使得到的坯料可以进行轧制工序从而得到不同形状或大尺寸的靶材，作为靶材制备膜层时膜层厚度更均匀，溅射速度更快。
-
公开(公告)号：CN111020330B
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN201911284554.8
申请日：2019-12-13
Applicant: 安泰天龙钨钼科技有限公司 , 安泰科技股份有限公司
Abstract: 本发明涉及钼铼合金型材的制备方法，包括：钼铼合金粉末制备步骤：按照要求的成分比例，将钼粉和铼酸铵混合均匀，并经过还原处理，得到钼铼合金粉末；压制成型步骤：将所述钼铼合金粉末，装入压制模具中进行压制成型处理，得到压坯；烧结步骤：将所述压坯进行烧结处理，得到烧结坯；热等静压步骤：对所述烧结坯进行热等静压处理，得到完全致密的钼铼合金型材。该方法通过烧结和HIP阶段压制结合可以制备多种合金成分及尺寸的钼铼合金型材，满足多品种、小批量的生产。
-
公开(公告)号：CN111020330A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201911284554.8
申请日：2019-12-13
Applicant: 安泰天龙钨钼科技有限公司 , 安泰科技股份有限公司
Abstract: 本发明涉及钼铼合金型材的制备方法，包括：钼铼合金粉末制备步骤：按照要求的成分比例，将钼粉和铼酸铵混合均匀，并经过还原处理，得到钼铼合金粉末；压制成型步骤：将所述钼铼合金粉末，装入压制模具中进行压制成型处理，得到压坯；烧结步骤：将所述压坯进行烧结处理，得到烧结坯；热等静压步骤：对所述烧结坯进行热等静压处理，得到完全致密的钼铼合金型材。该方法通过烧结和HIP阶段压制结合可以制备多种合金成分及尺寸的钼铼合金型材，满足多品种、小批量的生产。
-
公开(公告)号：CN113604720B
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202110859614.5
申请日：2021-07-28
Applicant: 安泰天龙钨钼科技有限公司 , 安泰科技股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种大尺寸抗变形钼合金棒材及其制备方法。该方法包括：钼合金粉末的制备步骤、压制成型步骤、高温烧结步骤、锻造变形步骤以及退火步骤，其中，在钼合金粉末的制备步骤中，按重量百分比计：W5％‑15％，ZrO2 0.5％‑2.5％，余量为Mo，分别称取钼源、钨源和锆源，进行混料处理，得到钼合金粉末。本发明制备的钼合金棒材的尺寸为φ90‑φ120mm，长度最长可达到3000mm，室温抗拉强度最高可达到750MPa，1300℃高温强度最高可达到350MPa，再结晶温度最高可达到1400℃。
-
公开(公告)号：CN111069596B
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN201911284596.1
申请日：2019-12-13
Applicant: 安泰天龙钨钼科技有限公司 , 安泰科技股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种钼铼合金筒件的制备方法。该方法依次包括：钼铼合金粉末制备步骤：将钼粉和铼粉混合均匀，制得钼铼合金粉末；将所述钼铼合金粉末装入压制模具中，进行压制成型处理，得到压坯；对所述压坯进行烧结处理，得到烧结板坯；对所述烧结板坯进行轧制处理，得到钼铼轧板；对所述钼铼轧板进行退火处理；对所述钼铼轧板机加工进行修整和弯折成型；将经机加工步骤所得坯料对接焊接，得到完整的钼铼合金筒件。该方法可以根据不同成份需求，不同管材尺寸的要求，针对性的进行制备圆形和/或多边形的钼铼合金筒件，制得的钼铼合金筒件具有良好的综合力学性能，可以满足不同行业的工况要求。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
23
records
(took 0.067 seconds)
