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公开(公告)号：CN101356699B
公开(公告)日：2011-07-06
申请号：CN200680050533.4
申请日：2006-12-26
Applicant: 宾奥普迪克斯股份有限公司
IPC: H01S3/00
CPC classification number: H01S5/0262 , G02B6/4214 , G02B6/4246 , H01L31/03046 , H01L31/105 , H01L31/107 , H01L31/153 , H01L31/1844 , H01S5/005 , H01S5/0078 , H01S5/02248 , H01S5/02284 , H01S5/026 , H01S5/0264 , H01S5/0267 , H01S5/1085 , H01S5/18 , H01S5/2022 , H01S5/4012 , H01S5/4056 , Y02E10/544
Abstract: 在单个芯片的相应外延层上集成的激光器和检测器与芯片上的和/或外部的光学器件协作从而将激光器所发射的第一波长的光耦合到单个外部器件(比如光纤)并且同时将从外部器件接收到的不同波长的光耦合到检测器，如此提供了双向光子操作。多个激光器和检测器可以被集成在芯片上从而提供多个双向通道。在激光器一端附近的检测器外延中，制造了监控光检测器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101002369A
公开(公告)日：2007-07-18
申请号：CN200580005245.2
申请日：2005-04-14
Applicant: 宾奥普迪克斯股份有限公司
IPC: H01S5/00
CPC classification number: B82Y20/00 , G02B6/12002 , G02B6/12004 , G02B6/122 , G02B6/131 , G02B2006/12104 , G02F1/01708 , G02F2202/102 , H01S5/005 , H01S5/0071 , H01S5/026 , H01S5/0265 , H01S5/028 , H01S5/0683 , H01S5/1014 , H01S5/1017 , H01S5/1021 , H01S5/1032 , H01S5/22 , H01S5/34306
Abstract: 激光器和电吸收调制器(EAM)通过蚀刻刻面过程被整体集成。晶片上的外延层包括用于激光器结构的第一层和用于EAM结构的第二层。激光器和EAM之间的强光耦合使用两个45度旋转反射镜实现，以便使光从激光器波导垂直路由到EAM波导。使用定向有角度的蚀刻过程来形成两个有角度的刻面。
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公开(公告)号：CN1910735A
公开(公告)日：2007-02-07
申请号：CN200580002711.1
申请日：2005-01-19
Applicant: 宾奥普迪克斯股份有限公司
IPC: H01L21/00
Abstract: 集成于单个芯片(20)的相应外延层上的激光器(22)和检测器(24)与片载和/或外部光学器件(62)协作以将所述激光器发出的第一波长的光耦合到单个外部器件，诸如光纤(60)，并同时将从所述外部器件接收的不同波长的光耦合到检测器以提供双向光子操作。多个激光器和检测器可集成于该芯片上以提供多个双向通道。
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公开(公告)号：CN100533880C
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：CN200580005245.2
申请日：2005-04-14
Applicant: 宾奥普迪克斯股份有限公司
IPC: H01S5/00
CPC classification number: B82Y20/00 , G02B6/12002 , G02B6/12004 , G02B6/122 , G02B6/131 , G02B2006/12104 , G02F1/01708 , G02F2202/102 , H01S5/005 , H01S5/0071 , H01S5/026 , H01S5/0265 , H01S5/028 , H01S5/0683 , H01S5/1014 , H01S5/1017 , H01S5/1021 , H01S5/1032 , H01S5/22 , H01S5/34306
Abstract: 激光器和电吸收调制器(EAM)通过蚀刻刻面过程被整体集成。晶片上的外延层包括用于激光器结构的第一层和用于EAM结构的第二层。激光器和EAM之间的强光耦合使用两个45度旋转反射镜实现，以便使光从激光器波导垂直路由到EAM波导。使用定向有角度的蚀刻过程来形成两个有角度的刻面。
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公开(公告)号：CN101356699A
公开(公告)日：2009-01-28
申请号：CN200680050533.4
申请日：2006-12-26
Applicant: 宾奥普迪克斯股份有限公司
IPC: H01S5/00
CPC classification number: H01S5/0262 , G02B6/4214 , G02B6/4246 , H01L31/03046 , H01L31/105 , H01L31/107 , H01L31/153 , H01L31/1844 , H01S5/005 , H01S5/0078 , H01S5/02248 , H01S5/02284 , H01S5/026 , H01S5/0264 , H01S5/0267 , H01S5/1085 , H01S5/18 , H01S5/2022 , H01S5/4012 , H01S5/4056 , Y02E10/544
Abstract: 在单个芯片的相应外延层上集成的激光器和检测器与芯片上的和/或外部的光学器件协作从而将激光器所发射的第一波长的光耦合到单个外部器件(比如光纤)并且同时将从外部器件接收到的不同波长的光耦合到检测器，如此提供了双向光子操作。多个激光器和检测器可以被集成在芯片上从而提供多个双向通道。在激光器一端附近的检测器外延中，制造了监控光检测器。
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公开(公告)号：CN100405538C
公开(公告)日：2008-07-23
申请号：CN200580002711.1
申请日：2005-01-19
Applicant: 宾奥普迪克斯股份有限公司
IPC: H01L21/00
Abstract: 集成于单个芯片(20)的相应外延层上的激光器(22)和检测器(24)与片载和/或外部光学器件(62)协作以将所述激光器发出的第一波长的光耦合到单个外部器件，诸如光纤(60)，并同时将从所述外部器件接收的不同波长的光耦合到检测器以提供双向光子操作。多个激光器和检测器可集成于该芯片上以提供多个双向通道。
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