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公开(公告)号：CN104078842A
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：CN201410123644.X
申请日：2014-03-28
Applicant: 富士通株式会社
Inventor： 松田学
IPC: H01S5/12
CPC classification number: H01S5/124 , H01S5/0622 , H01S5/06258 , H01S5/1014 , H01S5/1017 , H01S5/1225 , H01S5/22 , H01S5/2218 , H01S5/2231
Abstract: 本发明涉及光学器件以及光学模块。该光学器件包括：布置在半导体衬底之上的有源层；布置在所述有源层之上的衍射光栅；部分地布置在所述衍射光栅之上的覆层；在所述衍射光栅之上布置在所述覆层的端部分的侧表面旁边的至少一个第一埋料层；以及在所述衍射光栅之上布置在所述覆层的中心部分的侧表面旁边的至少一个第二埋料层。所述至少一个第一埋料层的折射率与所述至少一个第二埋料层的折射率不同。
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公开(公告)号：CN102057545B
公开(公告)日：2013-08-28
申请号：CN200980120976.X
申请日：2009-06-03
Applicant: 通用纳米光学有限公司
Inventor： 法西利·艾凡诺维奇·夏维金 , 维克托·阿奇洛维奇·格洛瓦尼 , 阿列克谢·尼古拉耶维奇·索恩克 , 尹戈尔·皮特罗维奇·亚雷玛
IPC: H01S5/32
CPC classification number: H01S5/0265 , H01S5/028 , H01S5/0287 , H01S5/1014 , H01S5/1017 , H01S5/1064 , H01S5/2214 , H01S5/227 , H01S5/4031 , H01S2301/18
Abstract: 本发明涉及三种类型的激光光源：二极管激光器、集成二极管激光器(以集成连接二极管激光器的形式)以及集成半导体光放大器(以集成连接驱动二极管激光器和半导体放大元件的形式)，其放大器由二极管激光器的新光谐振器和新激光器辐射耦合组成。落入上述三种类型的激光辐射源中的二极管激光器的光谐振器中的两个反射器在其两侧上具有最大可能反射系数，绕开活性层，通过具有几乎完全抗反射(小于0.01％)光学面的二极管激光器的本发明改进的异质结构的宽带半导体层，实现活性层的辐射耦合。本发明使得可以设计高功率、高性能、高速且可靠的三种类型的宽波长带中的单频率、单模和多模高质量激光器辐射源，以简化制造、降低生产成本。
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公开(公告)号：CN103107481A
公开(公告)日：2013-05-15
申请号：CN201310049689.2
申请日：2008-12-17
Applicant: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
IPC: H01S5/028
CPC classification number: H01S5/1082 , H01S5/0078 , H01S5/028 , H01S5/0282 , H01S5/0286 , H01S5/1017 , H01S5/105 , H01S5/1078 , H01S5/1092 , H01S5/22 , H01S2301/02 , H01S2301/166
Abstract: 一种激光源，其包括具有活性区域（45）和射线输出耦合面（12）的半导体层序列（10）和滤波结构（5），所述射线输出耦合面（12）具有第一子区域（121）和与第一子区域（10）不同的第二子区域（122），其中所述活性区域（45）在运行时生成具有第一波长范围的相干的第一电磁射线（51）和具有第二波长范围的不相干的第二电磁射线（52），所述相干的第一电磁射线（51）沿着辐射方向（90）从第一子区域辐射，不相干的第二电磁射线（52）从第一子区域和第二子区域辐射，第二波长范围包括第一波长范围并且滤波结构（5）至少部分地减弱从活性区域（45）沿着辐射方向（90）辐射的不相干的第二电磁射线（52）。
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公开(公告)号：CN102224647A
公开(公告)日：2011-10-19
申请号：CN200980146859.0
申请日：2009-10-21
Applicant: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
CPC classification number: H01S5/0425 , H01S5/02284 , H01S5/0655 , H01S5/10 , H01S5/1017 , H01S5/1053 , H01S5/1064 , H01S5/1228 , H01S5/1234 , H01S5/1237 , H01S5/2036 , H01S5/2205 , H01S5/4012 , H01S5/4031 , H01S2301/166 , H01S2301/18
Abstract: 一种边发射半导体激光器芯片(1)具有：半导体本体(100)，其包括至少一个有源区(14)，在所述有源区(14)中在半导体激光器芯片(1)工作时产生电磁辐射(10)；至少一个接触带(2)，其被设置在半导体本体(100)的上侧上的盖面(1a)上；以及至少两个限制结构(4)，用于限制接触带(2)与有源区(14)之间的电流扩展，其中限制结构(4)被设置在接触带(2)的两侧。
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公开(公告)号：CN100533880C
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：CN200580005245.2
申请日：2005-04-14
Applicant: 宾奥普迪克斯股份有限公司
IPC: H01S5/00
CPC classification number: B82Y20/00 , G02B6/12002 , G02B6/12004 , G02B6/122 , G02B6/131 , G02B2006/12104 , G02F1/01708 , G02F2202/102 , H01S5/005 , H01S5/0071 , H01S5/026 , H01S5/0265 , H01S5/028 , H01S5/0683 , H01S5/1014 , H01S5/1017 , H01S5/1021 , H01S5/1032 , H01S5/22 , H01S5/34306
Abstract: 激光器和电吸收调制器(EAM)通过蚀刻刻面过程被整体集成。晶片上的外延层包括用于激光器结构的第一层和用于EAM结构的第二层。激光器和EAM之间的强光耦合使用两个45度旋转反射镜实现，以便使光从激光器波导垂直路由到EAM波导。使用定向有角度的蚀刻过程来形成两个有角度的刻面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101317312A
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN200680040189.0
申请日：2006-08-30
Applicant: 宜彼莱那光子学有限公司
Inventor： 约翰·帕特乔
CPC classification number: H01S5/22 , B82Y20/00 , H01S5/0656 , H01S5/1017 , H01S5/1021 , H01S5/1039 , H01S5/1082 , H01S5/1085 , H01S5/2022 , H01S5/3211 , H01S5/34313 , H01S5/34366
Abstract: 本发明涉及一种半导体激光器，特别是以基本上单纵模发射进行工作的激光器。所述激光器包括一个激光腔，所述激光器进一步包括具有一个界面的一个槽，其特征在于所述槽填充有一种反射材料，该反射材料相对于激光腔材料具有大的折射率虚部。所述槽的所述界面可以是倾斜的或具有一个阶梯，该阶梯引入了一个四分之一波长相移。
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公开(公告)号：CN106816809A
公开(公告)日：2017-06-09
申请号：CN201610852546.9
申请日：2016-09-26
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01S5/24 , H01S5/0206 , H01S5/0425 , H01S5/0653 , H01S5/1017 , H01S5/1032 , H01S5/1042 , H01S5/1075 , H01S5/1082 , H01S5/2027 , H01S5/22 , H01S5/2205 , H01S5/3211 , H01S5/343 , H01S2301/16 , H01S2301/176 , H01S5/3407 , H01S5/347
Abstract: 一种半导体激光谐振器以及包括其的半导体激光装置，该半导体激光谐振器配置为产生激光束，其包括增益介质层，增益介质层包括半导体材料且包括由至少一个沟槽形成的至少一个突起以在增益介质层的上部中突出。在半导体激光谐振器中，至少一个突起配置为将激光束限制为在至少一个突起中的驻波。
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公开(公告)号：CN103518298B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201280021698.4
申请日：2012-04-18
Applicant: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
CPC classification number: H01S5/22 , B82Y20/00 , H01S5/0217 , H01S5/0287 , H01S5/065 , H01S5/101 , H01S5/1014 , H01S5/1017 , H01S5/1064 , H01S5/2022 , H01S5/2031 , H01S5/2059 , H01S5/2215 , H01S5/2218 , H01S5/2219 , H01S5/2222 , H01S5/2231 , H01S5/2275 , H01S5/34326 , H01S5/34333 , H01S2301/166 , H01S2301/176 , H01S2301/185
Abstract: 说明一种具有桥形波导结构的激光光源，该激光光源具有带多个功能层（4）和有源区域（45）的半导体层序列（10），所述有源区域适于在运行时产生激光，其中功能层（4）中的至少一个构造为桥形波导结构的桥（11），并且其中半导体层序列（10）具有模滤波结构（6），所述模滤波结构构造为桥（11）的一部分和/或沿着功能层（4）的主延伸层面构造在桥（11）旁边和/或垂直于功能层（4）的主延伸层面构造在桥（11）下方。
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公开(公告)号：CN105284021A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201480014690.4
申请日：2014-03-11
Applicant: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
CPC classification number: H01S5/22 , H01L21/3247 , H01S5/0202 , H01S5/028 , H01S5/0425 , H01S5/1017 , H01S5/204 , H01S5/2045 , H01S5/222 , H01S5/32341 , H01S2301/176
Abstract: 本发明涉及一种包括主体(2)的半导体激光器(1)。在主体(2)上提供具有更窄宽度的条带(3)。提供用于生成光辐射的有源区(4)。主体(2)的到条带(3)的各侧的表面(9，10)和条带(3)的侧表面(13，14)被利用电绝缘保护层(11)覆盖。在条带(3)的上侧上提供导电层(12)作为接触。半导体激光器的特征在于至少在被限定的区段中腔体(15)被提供在条带(3)的侧表面(13，14)和保护层(11)之间。
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公开(公告)号：CN101946378B
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN200880127211.4
申请日：2008-12-17
Applicant: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
CPC classification number: H01S5/1082 , H01S5/0078 , H01S5/028 , H01S5/0282 , H01S5/0286 , H01S5/1017 , H01S5/105 , H01S5/1078 , H01S5/1092 , H01S5/22 , H01S2301/02 , H01S2301/166
Abstract: 一种激光源尤其包括具有活性区域(45)和射线输出耦合面(12)的半导体层序列(10)和滤波结构(5)，所述射线输出耦合面(12)具有第一子区域(121)和与第一子区域(10)不同的第二子区域(122)，其中所述活性区域(45)在运行时生成具有第一波长范围的相干的第一电磁射线(51)和具有第二波长范围的不相干的第二电磁射线(52)，所述相干的第一电磁射线(51)沿着辐射方向(90)从第一子区域(121)辐射，不相干的第二电磁射线(52)从第一子区域(121)和第二子区域(122)辐射，第二波长范围包括第一波长范围并且滤波结构(5)至少部分地减弱从活性区域(45)沿着辐射方向(90)辐射的不相干的第二电磁射线(52)。
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