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公开(公告)号：CN109729751B
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN201880003019.8
申请日：2018-02-08
Applicant: 富士电机株式会社
Abstract: 本发明提供一种评价方法、综合评价方法、评价装置及综合评价装置，对半导体器件的辐射噪声进行简便评价，并推定搭载了半导体器件的装置的辐射噪声。该评价方法具备：使通过负载电缆与负载并联连接的半导体器件进行开关动作的阶段；在开关动作过程中测定流过负载电缆的共模电流的阶段；以及基于共模电流输出辐射噪声的评价指标的阶段。
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公开(公告)号：CN109729751A
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201880003019.8
申请日：2018-02-08
Applicant: 富士电机株式会社
CPC classification number: G01R29/0814 , G01R29/00 , G01R29/08 , G01R29/0871 , G01R29/26 , H02M1/00 , H02M7/217 , H02M7/537
Abstract: 本发明提供一种评价方法、综合评价方法、评价装置及综合评价装置，对半导体器件的辐射噪声进行简便评价，并推定搭载了半导体器件的装置的辐射噪声。该评价方法具备：使通过负载电缆与负载并联连接的半导体器件进行开关动作的阶段；在开关动作过程中测定流过负载电缆的共模电流的阶段；以及基于共模电流输出辐射噪声的评价指标的阶段。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109564259B
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN201880003031.9
申请日：2018-02-08
Applicant: 富士电机株式会社
Abstract: 本发明提供一种评价方法、推定方法、评价装置及综合评价装置，对半导体器件的辐射噪声进行简便评价，并推定搭载了半导体器件的装置的辐射噪声。该评价方法和评价装置具备：使半导体器件进行开关动作的阶段；测定正在进行开关动作的半导体器件的主端子之间产生的电压变化的阶段；以及基于电压变化来输出半导体器件的辐射噪声的评价指标的阶段。输出评价指标的阶段可以根据每个频率分量来计算半导体器件的电压变化作为评价指标。
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公开(公告)号：CN109564259A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201880003031.9
申请日：2018-02-08
Applicant: 富士电机株式会社
Abstract: 本发明提供一种评价方法、推定方法、评价装置及综合评价装置，对半导体器件的辐射噪声进行简便评价，并推定搭载了半导体器件的装置的辐射噪声。该评价方法和评价装置具备：使半导体器件进行开关动作的阶段；测定正在进行开关动作的半导体器件的主端子之间产生的电压变化的阶段；以及基于电压变化来输出半导体器件的辐射噪声的评价指标的阶段。输出评价指标的阶段可以根据每个频率分量来计算半导体器件的电压变化作为评价指标。
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公开(公告)号：CN111413555B
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN201911248860.6
申请日：2019-12-09
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: G01R31/00
Abstract: 本发明提供一种评价方法、推定方法、评价装置及综合评价装置，能够简单地评价半导体器件的电磁噪声，并推定搭载了半导体器件的装置的电磁噪声。评价方法包括使半导体器件中的第一器件和第二器件中的一方进行开关动作的步骤，半导体器件包括串联连接的第一器件和第二器件、以及与第一器件和第二器件的串联电路并联连接且彼此串联连接的第三器件和第四器件；测定在开关动作过程中在第三器件和第四器件之间产生的电压变化的步骤；以及基于电压变化，输出半导体器件的电磁噪声的评价指标的步骤。
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公开(公告)号：CN114079388A
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN202110709947.X
申请日：2021-06-25
Applicant: 富士电机株式会社
Inventor： 浅野达见子
Abstract: 本发明提供一种能够更恰当地抑制电力转换装置的辐射噪声的技术。本发明的一个实施方式的电力转换装置(1)包括:整流电路(10),其将自商用交流电源(PS)输入的交流电转换为直流电；平滑电容器(Cdc),其设于将自整流电路(10)输出的直流电的正极线(PL)和负极线(NL)之间连接的路径中；逆变器电路(30),其以与平滑电容器(Cdc)并联的方式与正极线(PL)和负极线(NL)连接,并且通过半导体元件(S1～S6)的开关动作将通过平滑电容器(Cdc)平滑化的直流电转换为规定的交流电并输出；以及噪声抑制电容器(C1),其设于连接整流电路(10)和平滑电容器(Cdc)之间的正极线(PL)和负极线(NL)的路径中。
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公开(公告)号：CN111413555A
公开(公告)日：2020-07-14
申请号：CN201911248860.6
申请日：2019-12-09
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: G01R31/00
Abstract: 本发明提供一种评价方法、推定方法、评价装置及综合评价装置，能够简单地评价半导体器件的电磁噪声，并推定搭载了半导体器件的装置的电磁噪声。评价方法包括使半导体器件中的第一器件和第二器件中的一方进行开关动作的步骤，半导体器件包括串联连接的第一器件和第二器件、以及与第一器件和第二器件的串联电路并联连接且彼此串联连接的第三器件和第四器件；测定在开关动作过程中在第三器件和第四器件之间产生的电压变化的步骤；以及基于电压变化，输出半导体器件的电磁噪声的评价指标的步骤。
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