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公开(公告)号：CN116259622A
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN202211334304.2
申请日：2022-10-28
Applicant: 富士电机株式会社
Inventor： 荒木龙
Abstract: 提供一种半导体装置和半导体芯片。缩小设置用于控制功率半导体元件的元素所需的区域。半导体装置具备：功率半导体元件；控制芯片，其具备包括第一端子和第二端子在内的多个端子，利用被提供到所述第二端子的电源电压来控制功率半导体元件；第一导体，其用于将规定的控制电压提供到第一端子；以及半导体芯片，其包括在生成电源电压的自举动作中使用的二极管。半导体芯片包括：半导体基板，其包括彼此位于相反侧的第一面和第二面，由第一面的p型半导体区和第二面的n型半导体区形成所述二极管的pn结；阳极，其形成于第一面上，与第一导体的表面接合；以及阴极，其形成于第二面上，经由第一布线来与第二端子电连接。
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公开(公告)号：CN111527684A
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN201980006909.9
申请日：2019-05-31
Applicant: 富士电机株式会社
Inventor： 荒木龙
Abstract: 提供驱动电路内置型功率模块，其抑制了开关元件因超过其额定电流值流通而发生的关断时的栅电压的寄生振荡。由电流检测电路(15)监视流通于构成半桥电路的下臂部的开关元件(12、13、14)的电流，若开关元件(12、13、14)的电流比额定电流值高，则从介由通常接地布线(25)连接于电源侧接地端子的COM1切换为介由包含阻尼电阻(27)的接地布线(26)连接于电源侧接地端子的COM2。由此，提高下臂驱动电路(11)的驱动阻抗，开关元件(12、13、14)关断时的栅电压的寄生振荡受到抑制。
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公开(公告)号：CN112187224A
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN202010456984.X
申请日：2020-05-26
Applicant: 富士电机株式会社
Inventor： 荒木龙
IPC: H03K5/133
Abstract: 本发明提供在抑制噪声的同时对开关元件进行开关的集成电路。该集成电路是对开关电路的第2开关元件进行开关的集成电路，该开关电路包含串联连接的电源侧的第1开关元件及接地侧的所述第2开关元件、与所述第1开关元件并联连接的第1回流二极管、及与所述第2开关元件并联连接的第2回流二极管，其中，该集成电路包含：检测电路，该检测电路检测出流过所述开关电路的负载的负载电流；及驱动电路，该驱动电路在驱动信号为一个逻辑电平时，根据所述负载电流的大小来控制对所述第2开关元件的栅极电容进行充电的电流的大小，在所述驱动信号为另一个逻辑电平时，使所述第2开关元件截止。
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公开(公告)号：CN107318272B
公开(公告)日：2019-10-18
申请号：CN201680008296.9
申请日：2016-06-21
Applicant: 富士电机株式会社
Inventor： 荒木龙
IPC: H02M3/337 , H02M5/458 , H02M1/42 , H02M1/08 , H02M7/5387 , H02M7/5388 , H02P27/08
Abstract: 提供一种能够降低开关损耗的半导体装置。半导体装置具有串联连接的第一半导体元件(Su)～(Sw)和第二半导体元件(Sx)～(Sz)，第一半导体元件是由具有比第二半导体元件的开关损耗小的开关损耗的低开关损耗半导体元件构成的，第二半导体元件是由具有比第一半导体元件的导通损耗小的导通损耗的低导通损耗半导体元件构成的。
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公开(公告)号：CN111527684B
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN201980006909.9
申请日：2019-05-31
Applicant: 富士电机株式会社
Inventor： 荒木龙
Abstract: 提供驱动电路内置型功率模块，其抑制了因开关元件中流通超过其额定电流值的电流而发生的关断时的栅电压的寄生振荡。由电流检测电路(15)监视流通于构成半桥电路的下臂部的开关元件(12、13、14)的电流，若开关元件(12、13、14)的电流比额定电流值高，则从介由通常接地布线(25)连接于电源侧接地端子的COM1切换为介由包含阻尼电阻(27)的接地布线(26)连接于电源侧接地端子的COM2。由此，提高下臂驱动电路(11)的驱动阻抗，开关元件(12、13、14)关断时的栅电压的寄生振荡受到抑制。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109564259B
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN201880003031.9
申请日：2018-02-08
Applicant: 富士电机株式会社
Abstract: 本发明提供一种评价方法、推定方法、评价装置及综合评价装置，对半导体器件的辐射噪声进行简便评价，并推定搭载了半导体器件的装置的辐射噪声。该评价方法和评价装置具备：使半导体器件进行开关动作的阶段；测定正在进行开关动作的半导体器件的主端子之间产生的电压变化的阶段；以及基于电压变化来输出半导体器件的辐射噪声的评价指标的阶段。输出评价指标的阶段可以根据每个频率分量来计算半导体器件的电压变化作为评价指标。
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公开(公告)号：CN109564259A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201880003031.9
申请日：2018-02-08
Applicant: 富士电机株式会社
Abstract: 本发明提供一种评价方法、推定方法、评价装置及综合评价装置，对半导体器件的辐射噪声进行简便评价，并推定搭载了半导体器件的装置的辐射噪声。该评价方法和评价装置具备：使半导体器件进行开关动作的阶段；测定正在进行开关动作的半导体器件的主端子之间产生的电压变化的阶段；以及基于电压变化来输出半导体器件的辐射噪声的评价指标的阶段。输出评价指标的阶段可以根据每个频率分量来计算半导体器件的电压变化作为评价指标。
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公开(公告)号：CN113544846B
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202080018066.7
申请日：2020-09-25
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H10D89/60 , H03K17/687
Abstract: 提供一种半导体装置，该半导体装置具备：半导体基板；温度感测部，其设置于半导体基板的正面；阳极焊盘和阴极焊盘，其与温度感测部电连接；正面电极，其被设定为预先确定的基准电位；以及双向二极管部，其以双向串联的方式电连接于阴极焊盘与正面电极之间。输出比较二极管部可以配置于阳极焊盘与阴极焊盘之间。温度感测部可以包括温度感测二极管，且输出比较二极管部可以包括与温度感测二极管反向并联地连接的二极管。
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公开(公告)号：CN111413555B
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN201911248860.6
申请日：2019-12-09
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: G01R31/00
Abstract: 本发明提供一种评价方法、推定方法、评价装置及综合评价装置，能够简单地评价半导体器件的电磁噪声，并推定搭载了半导体器件的装置的电磁噪声。评价方法包括使半导体器件中的第一器件和第二器件中的一方进行开关动作的步骤，半导体器件包括串联连接的第一器件和第二器件、以及与第一器件和第二器件的串联电路并联连接且彼此串联连接的第三器件和第四器件；测定在开关动作过程中在第三器件和第四器件之间产生的电压变化的步骤；以及基于电压变化，输出半导体器件的电磁噪声的评价指标的步骤。
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公开(公告)号：CN111413555A
公开(公告)日：2020-07-14
申请号：CN201911248860.6
申请日：2019-12-09
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: G01R31/00
Abstract: 本发明提供一种评价方法、推定方法、评价装置及综合评价装置，能够简单地评价半导体器件的电磁噪声，并推定搭载了半导体器件的装置的电磁噪声。评价方法包括使半导体器件中的第一器件和第二器件中的一方进行开关动作的步骤，半导体器件包括串联连接的第一器件和第二器件、以及与第一器件和第二器件的串联电路并联连接且彼此串联连接的第三器件和第四器件；测定在开关动作过程中在第三器件和第四器件之间产生的电压变化的步骤；以及基于电压变化，输出半导体器件的电磁噪声的评价指标的步骤。
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