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公开(公告)号：CN102729629B
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201210110057.8
申请日：2012-04-13
Applicant: 富士胶片株式会社
Inventor： 格雷戈里·德布拉班德尔 , 马克·内波穆尼西
IPC: B41J2/045
CPC classification number: H01L41/053 , B41J2/14209 , B41J2/14233 , B41J2/1609 , B41J2/161 , B41J2/1629 , B41J2/1632 , B41J2/1642 , B41J2/1646 , B41J2002/14266 , H01L29/06 , H01L41/098 , H01L41/331
Abstract: 本发明披露了制造具有曲面特征的薄膜的方法。利用掩膜、通过氢氧化钾蚀刻方法，在平坦的基板表面中形成多个凹穴，每个凹穴均为倒置平头金字塔形状。在基板表面之上形成氧化物层。该氧化物层可以被剥离，以在基板表面之中的凹穴的不同小平面之间留下圆滑的拐角，并且所述基板表面可以用来充当轮廓转移基板表面，用于制造具有凹形曲面特征的薄膜。或者，将一个处理层附接于氧化物层上并且移除基板，直到氧化物层的背面显露出来。显露出来的氧化物层的背面包括从处理层凸出的曲面部分，并且可以提供一种轮廓转移基板表面，用于制造具有凸形曲面特征的薄膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102730633A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201210101394.0
申请日：2012-03-31
Applicant: 富士胶片株式会社
Inventor： 格雷戈里·德布拉班德尔 , 马克·内波穆尼西
IPC: B81C3/00
CPC classification number: B81B3/0021 , B81B2201/032 , B81B2203/0127 , B81B2203/053 , B81C2201/0195 , B81C2203/036
Abstract: 本发明公开了一种用于制造具有弯曲特征的薄膜的方法。通过将薄膜真空接合至衬底的顶表面来创建具有弯曲特征的轮廓传递衬底表面，其中所述顶表面中形成有空穴。将薄膜的表面暴露至流体压力，以使得薄膜变形并且薄膜的下表面与空穴的底部接触。可以通过对薄膜与衬底之间的接合区域进行退火处理来使变形薄膜中形成的弯曲特征变得永久。薄膜的暴露表面上沉积的均匀材料层将在薄膜弯曲进空穴的位置处包括弯曲特征。在薄膜上已经均匀沉积了至少一层材料之后，从底部蚀刻开空穴，以从下方移除薄膜。
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公开(公告)号：CN102730633B
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201210101394.0
申请日：2012-03-31
Applicant: 富士胶片株式会社
Inventor： 格雷戈里·德布拉班德尔 , 马克·内波穆尼西
IPC: B81C3/00
CPC classification number: B81B3/0021 , B81B2201/032 , B81B2203/0127 , B81B2203/053 , B81C2201/0195 , B81C2203/036
Abstract: 本发明公开了一种用于制造具有弯曲特征的薄膜的方法。通过将薄膜真空接合至衬底的顶表面来创建具有弯曲特征的轮廓传递衬底表面，其中所述顶表面中形成有空穴。将薄膜的表面暴露至流体压力，以使得薄膜变形并且薄膜的下表面与空穴的底部接触。可以通过对薄膜与衬底之间的接合区域进行退火处理来使变形薄膜中形成的弯曲特征变得永久。薄膜的暴露表面上沉积的均匀材料层将在薄膜弯曲进空穴的位置处包括弯曲特征。在薄膜上已经均匀沉积了至少一层材料之后，从底部蚀刻开空穴，以从下方移除薄膜。
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公开(公告)号：CN102729629A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201210110057.8
申请日：2012-04-13
Applicant: 富士胶片株式会社
Inventor： 格雷戈里·德布拉班德尔 , 马克·内波穆尼西
IPC: B41J2/045
CPC classification number: H01L41/053 , B41J2/14209 , B41J2/14233 , B41J2/1609 , B41J2/161 , B41J2/1629 , B41J2/1632 , B41J2/1642 , B41J2/1646 , B41J2002/14266 , H01L29/06 , H01L41/098 , H01L41/331
Abstract: 本发明披露了制造具有曲面特征的薄膜的方法。利用掩膜、通过氢氧化钾蚀刻方法，在平坦的基板表面中形成多个凹穴，每个凹穴均为倒置平头金字塔形状。在基板表面之上形成氧化物层。该氧化物层可以被剥离，以在基板表面之中的凹穴的不同小平面之间留下圆滑的拐角，并且所述基板表面可以用来充当轮廓转移基板表面，用于制造具有凹形曲面特征的薄膜。或者，将一个处理层附接于氧化物层上并且移除基板，直到氧化物层的背面显露出来。显露出来的氧化物层的背面包括从处理层凸出的曲面部分，并且可以提供一种轮廓转移基板表面，用于制造具有凸形曲面特征的薄膜。
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公开(公告)号：CN102730627B
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201210101416.3
申请日：2012-03-31
Applicant: 富士胶片株式会社
Inventor： 格雷戈里·德布拉班德尔 , 马克·内波穆尼西
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/00103 , B81B2201/0257 , B81B2201/038 , B81B2203/0127 , B81B2203/0353 , B81B2203/0376
Abstract: 本发明公开了在基板中形成凹部的方法。通过阴影掩模进行各向同性等离子蚀刻来形成具有曲面特征的轮廓传递基板表面。该阴影掩模具有通孔，通孔的下部与阴影掩模的底表面相邻，通孔的上部位于上方并且比下部窄。通过阴影掩模进行各向同性等离子蚀刻能够在底部开口所包围的区域的中央部分中的平面基板中形成弯曲凹部。在移除阴影掩模后，均匀材料层可以在基板的暴露表面上沉积为在基板表面中的弯曲凹部位置处包含曲面特征。
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公开(公告)号：CN102730627A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201210101416.3
申请日：2012-03-31
Applicant: 富士胶片株式会社
Inventor： 格雷戈里·德布拉班德尔 , 马克·内波穆尼西
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/00103 , B81B2201/0257 , B81B2201/038 , B81B2203/0127 , B81B2203/0353 , B81B2203/0376
Abstract: 本发明公开了在基板中形成凹部的方法。通过阴影掩模进行各向同性等离子蚀刻来形成具有曲面特征的轮廓传递基板表面。该阴影掩模具有通孔，通孔的下部与阴影掩模的底表面相邻，通孔的上部位于上方并且比下部窄。通过阴影掩模进行各向同性等离子蚀刻能够在底部开口所包围的区域的中央部分中的平面基板中形成弯曲凹部。在移除阴影掩模后，均匀材料层可以在基板的暴露表面上沉积为在基板表面中的弯曲凹部位置处包含曲面特征。
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