触控面板
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN107407981B

    公开(公告)日:2020-06-02

    申请号:CN201580077693.7

    申请日:2015-10-14

    Abstract: 本发明提供一种显示出较高的落下冲击耐久性、优异的色调及对直接接合方式的较高的制造适应性的触控面板。本发明的触控面板依次具有:图像显示装置;粘结层,将紫外线固化型粘结剂进行固化而形成;触控面板传感器;及保护基板,触控面板传感器包含环状烯烃聚合物薄膜及环状烯烃共聚物薄膜中的任一种聚合物薄膜,在聚合物薄膜与保护基板之间具有紫外线吸收层,紫外线吸收层在波长200~340nm的范围的透射率为5%以下,紫外线吸收层在波长400nm下的透射率为86%以上,紫外线吸收层在波长400~800nm的范围的透射率相对于波长400nm下的透射率在±3%以内的范围内,紫外线固化型粘结剂通过波长超过340nm且波长400nm以下的范围的光来固化。

    微机电装置及阵列、光调制装置及阵列和图像形成设备

    公开(公告)号:CN101029966B

    公开(公告)日:2010-07-21

    申请号:CN200710085000.6

    申请日:2007-02-26

    CPC classification number: G02B26/0841

    Abstract: 本发明公开了微机电装置及阵列、光调制装置及阵列和图像形成设备。过渡时间是从可移动部分沿第一方向旋转移位且停止的状态开始到驱动部分向可移动部分施加物理作用力来沿不同于第一方向的第二方向旋转移位可移动部分并且可移动部分到达最终位移位置的状态的时间。弹性支持部分的弹性力值和过渡时间具有的关系是,当弹性支持部分的弹性力值等于特定值时,过渡时间取局部最大值。弹性支持部分的弹性力值等于或者小于过渡时间取局部最大值时的所述特定值。

    微机电系统元件阵列器件和成像装置

    公开(公告)号:CN101013196A

    公开(公告)日:2007-08-08

    申请号:CN200710004059.8

    申请日:2007-01-23

    CPC classification number: G09G3/346 G02B26/0833 G09G2310/06

    Abstract: 一种微机电系统元件阵列器件,其中每一个都具有可移动部分的多个微机电系统元件按照阵列排列,由向传导部分施加电信号而产生的物理力使所述可移动部分发生位移,每一个微机电系统元件都基于针对所述微机电系统元件的位移数据来驱动所述微机电系统元件的可移动部分和使其发生位移,其中所述器件包括:于此限定的电信号产生单元;于此限定的开关单元;以及于此限定的选择单元。

    触控面板
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN107407981A

    公开(公告)日:2017-11-28

    申请号:CN201580077693.7

    申请日:2015-10-14

    Abstract: 本发明提供一种显示出较高的落下冲击耐久性、优异的色调及对直接接合方式的较高的制造适应性的触控面板。本发明的触控面板依次具有:图像显示装置;粘结层,将紫外线固化型粘结剂进行固化而形成;触控面板传感器;及保护基板,触控面板传感器包含环状烯烃聚合物薄膜及环状烯烃共聚物薄膜中的任一种聚合物薄膜,在聚合物薄膜与保护基板之间具有紫外线吸收层,紫外线吸收层在波长200~340nm的范围的透射率为5%以下,紫外线吸收层在波长400nm下的透射率为86%以上,紫外线吸收层在波长400~800nm的范围的透射率相对于波长400nm下的透射率在±3%以内的范围内,紫外线固化型粘结剂通过波长超过340nm且波长400nm以下的范围的光来固化。

    印刷配线基板的制造方法以及印刷配线基板

    公开(公告)号:CN103202107B

    公开(公告)日:2016-01-20

    申请号:CN201180052339.0

    申请日:2011-10-26

    CPC classification number: H05K3/282 H05K2203/124

    Abstract: 本发明的目的是提供配线间的绝缘可靠性优异的印刷配线基板的制造方法。本发明的印刷配线基板的制造方法包括:层形成步骤,使具有基板及配置于基板上的铜或铜合金配线的核心基板、与包含1,2,3-三唑及/或1,2,4-三唑且pH值显示5~12的处理液接触,然后藉由溶剂清洗核心基板,而于铜或铜合金配线表面上形成包含1,2,3-三唑及/或1,2,4-三唑的铜离子扩散抑制层;以及绝缘膜形成步骤,于层形成步骤后于设置有铜离子扩散抑制层的核心基板上形成绝缘膜。

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