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公开(公告)号：CN115734699A
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202210978072.8
申请日：2022-08-15
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: H10N30/87 , H10N30/50 , H10N30/853
Abstract: 本发明涉及压电层叠体及压电元件。本发明提供一种能够抑制压电特性的下降，且与以往相比能够更加抑制制造成本的压电层叠体及压电元件。压电层叠体及压电元件在基板上依次具备下部电极层和包含钙钛矿型氧化物的压电膜，下部电极层包括包含Ni的金属层和包含Ni氧化物或Ni氧氮化物的表面层，在下部电极层中，表面层配置于最靠近压电膜侧。
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公开(公告)号：CN103688364A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201280035996.9
申请日：2012-06-19
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: H01L29/786 , G01T1/24 , G09F9/30 , H01L21/336 , H01L27/144 , H01L27/146 , H01L27/32
CPC classification number: H01L29/66969 , H01L21/02565 , H01L27/1225 , H01L27/14612 , H01L27/14614 , H01L27/14632 , H01L27/14659 , H01L27/14687 , H01L27/148 , H01L27/156 , H01L27/322 , H01L27/3244 , H01L27/3248 , H01L27/3262 , H01L29/66742 , H01L29/7869 , H01L29/78696
Abstract: 一种场效晶体管的制造方法，其使照射光时的TFT特性稳定化。所述场效晶体管的制造方法包括：第一步骤，在配置于栅极(14)上的栅极绝缘层(16)上，使第一氧化物半导体膜(24)成膜；第二步骤，使第二氧化物半导体膜(26)成膜，第二氧化物半导体膜(26)的阳离子组成与第一氧化物半导体膜(24)的阳离子组成不同、且具有比第一氧化物半导体膜(24)低的导电率；第三步骤，在氧化性环境下以超过300℃进行热处理；第四步骤，使第三氧化物半导体膜(28)成膜，第三氧化物半导体膜(28)的阳离子组成与第一氧化物半导体膜(24)的阳离子组成不同、且具有比第一氧化物半导体膜(24)低的导电率；第五步骤，在氧化性环境下以超过300℃进行热处理；以及电极形成步骤，在第三氧化物半导体膜(28)上形成源极(20)及漏极(22)。
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公开(公告)号：CN116113307A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202211380382.6
申请日：2022-11-04
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: H10N30/853 , H10N30/00 , H10N30/50 , H10N30/01 , H10N30/08 , H10N30/093
Abstract: 本发明涉及压电层叠体、压电元件及压电层叠体的制造方法。本发明获得一种提高压电特性及驱动稳定性的压电层叠体及压电元件。压电层叠体及压电元件在基板上依次具备下部电极层、及以钙钛矿型氧化物为主要成分的压电膜。压电膜在与下部电极层接触的区域具有氧缺损区域，将在沿厚度方向将压电膜三等分的3个区域中位于中央的区域中的氧含量的平均值设为第1平均氧含量，将氧缺损区域中的氧含量的平均值设为第2平均氧含量的情况下，第2平均氧含量与第1平均氧含量之比R小于0.97，氧缺损区域的厚度为120nm以上，且为整个压电膜的厚度的1/3以下。
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公开(公告)号：CN115734698A
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202210977798.X
申请日：2022-08-15
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: H10N30/87 , H10N30/50 , H10N30/853
Abstract: 本发明涉及压电层叠体及压电元件。本发明提供一种能够抑制压电特性的下降，且与以往相比能够更加抑制制造成本的压电层叠体及压电元件。压电层叠体及压电元件在基板上依次具备下部电极层和包含钙钛矿型氧化物的压电膜，下部电极层包含Ta元素，并且在下部电极层的厚度方向上，在最靠近压电膜侧包含Ta氮化物，并且还包括Ta元素的含量沿厚度方向变化的区域，且厚度方向上的Ta元素的含量的变化是连续的。
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公开(公告)号：CN101399310B
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN200810168097.1
申请日：2008-09-27
Applicant: 富士胶片株式会社
CPC classification number: B41J2/14233 , B41J2/161 , B41J2/1628 , B41J2/1631 , B41J2/1642 , B41J2/1646 , B41J2002/1425 , H01L41/0973 , H01L41/1876 , H01L41/316
Abstract: 提供一种高性能压电器件，具有良好的耐湿性，可有效防止水分向压电膜进入。上述压电器件的特征在于包括：基板；第一电极，成膜在上述基板上；压电膜，通过气相生长法成膜在上述第一电极上的至少一部分；第二电极，成膜在上述压电膜上，该第二电极的水蒸气透过率在1g/m2/day以下；以及至少一层的保护膜，至少覆盖上述第二电极及上述压电膜的周缘部，且在与除了上述周缘部以外的上述压电膜对应的位置具有开口。
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公开(公告)号：CN102082170A
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN201010255843.8
申请日：2010-08-16
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: H01L29/12 , H01L29/786 , H01L27/32
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L27/3248 , H01L27/3262 , H01L2251/5338
Abstract: 本发明提供一种非晶态氧化物半导体材料，场效应晶体管和显示装置。所述非晶态氧化物半导体材料包含含有In、Ga和Zn的非晶态氧化物半导体，其中当In∶Ga∶Zn＝a∶b∶c表示所述氧化物半导体的元素组成比时，所述元素组成比由下列范围限定：a+b＝2，并且b＜2，并且c＜4b-3.2，并且c＞-5b+8，并且1≤c≤2。
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公开(公告)号：CN101029966A
公开(公告)日：2007-09-05
申请号：CN200710085000.6
申请日：2007-02-26
Applicant: 富士胶片株式会社
CPC classification number: G02B26/0841
Abstract: 本发明公开了微机电装置及阵列、光调制装置及阵列和图像形成设备。过渡时间是从可移动部分沿第一方向旋转移位且停止的状态开始到驱动部分向可移动部分施加物理作用力来沿不同于第一方向的第二方向旋转移位可移动部分并且可移动部分到达最终位移位置的状态的时间。弹性支持部分的弹性力值和过渡时间具有的关系是，当弹性支持部分的弹性力值等于特定值时，过渡时间取局部最大值。弹性支持部分的弹性力值等于或者小于过渡时间取局部最大值时的所述特定值。
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