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公开(公告)号：CN112861409A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202110216978.1
申请日：2021-02-26
Applicant: 山东大学
IPC: G06F30/23 , G06F30/13 , G06F111/04 , G06F119/14
Abstract: 本发明涉及单桩基础承载能力计算方法、系统、存储介质及设备，包括，通过实验获取地基材料的摩尔库伦峰值强度指标和摩尔‑库伦残余强度指标，根据获取的试验参数，建立基于MC准则的强度折减模型；基于有限元方法，使用ABAQUS提供的USDFLD用户子程序编写强度折减模型，能够自动实现材料在受压破坏后发生的强度折减；并根据基于MC准则的强度折减模型确定海上风机嵌岩桩的P‑Y曲线，实现对于嵌岩单桩基础承载能力的确定。该方法简单易行，易收敛，计算效率高。
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公开(公告)号：CN112365178A
公开(公告)日：2021-02-12
申请号：CN202011313565.7
申请日：2020-11-20
Applicant: 山东大学
Abstract: 本发明公开了一种轨交隧道运营期安全评价方法、系统和存储介质，属于轨道交通技术领域，将数学理论与工程实际相结合，可以弥补传统工程经验安全分析的缺陷，更加准确便捷地服务轨交隧道，方法包括以下步骤：获取整段轨交隧道中各病害参数数据；轨交隧道结构面网格划分，网格排序及提取网格参数；建立轨交隧道运营期安全评价层次结构模型，该层次结构模型呈递阶层次结构，由指标层、中间层、目标层构成；确定各层次之间的权重值；构建变权向量函数，建立四元一次方程组，通过数学计算方法确立变权向量函数参数，得到变权向量函数，最终构建出变权函数利用程序将数据图像化，得到轨交隧道整体结构安全评价图。
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公开(公告)号：CN102560676B
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201210015837.4
申请日：2012-01-18
Applicant: 山东大学
IPC: C30B29/40 , C30B25/22 , C30B25/02 , H01L21/02 , H01L21/205
Abstract: 本发明提供了一种使用减薄键合结构进行GaN单晶生长的方法，包括以下步骤：(1)利用MOCVD方法在衬底上生长GaN薄膜，形成GaN外延片；(2)将GaN外延片减薄；(3)将减薄GaN外延片清洗干净并干燥；(4)使用金属层将减薄GaN外延片键合到其它衬底上，形成GaN基片；(5)清洗干净GaN基片并干燥；(6)将GaN基片按HVPE方法外延生长，得到GaN单晶。本发明通过GaN外延片减薄、清洗干燥、GaN外延片键合、再清洗干燥以及HVPE法生长，最后得到了应力完全释放的高质量GaN单晶，是一种完全释放GaN单晶残余应力的有效方法，可以大大提高单晶质量，具有制作简单、工艺成熟的特点，适合批量生产。
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公开(公告)号：CN103728469A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201410000379.6
申请日：2014-01-02
Applicant: 山东大学
IPC: G01Q30/20
Abstract: 一种利用高温退火表征GaN外延层中位错的方法，包括以下步骤：（1）将带有GaN外延层的衬底放入加热炉中，将加热炉密封；（2）将加热炉内气压抽至3×102-1×104Pa，向加热炉内通入N2至加热炉内气压升到室内实际气压值；（3）重复步骤（2）；（4）将加热炉的温度升到1000-1200℃后保温3分钟-20分钟，进行退火；（5）将加热炉温度降回到室温；（6）从加热炉中取出样品，并进行观察。该方法通过高温退火，在样品表面形成清晰的退火形貌，有效地显示GaN外延层中的位错，并可对位错的分布进行研究，不仅能够评估位错的密度，还能区分位错的种类，分析其表面退火坑的密度与晶体质量之间的关系，具有过程简单、操作方便快捷、实用性强的特点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102418143A
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN201110366341.7
申请日：2011-11-17
Applicant: 山东大学
Abstract: 本发明提供一种以H3PO4腐蚀衬底制备自剥离GaN单晶的方法，包括以下步骤：(1)利用金属有机化学气相沉积的方法在蓝宝石衬底上外延生长2μm-10μm厚的GaN薄膜，形成GaN外延片；(2)将GaN外延片浸入温度为220-280℃、浓度为70％-90％的H3PO4溶液中腐蚀3分钟-30分钟；(3)把腐蚀后的GaN外延片从H3PO4溶液中迅速取出放入冷水中以停止腐蚀；(4)将腐蚀后的GaN外延片清洗、吹干后，放入氢化物气相外延生长系统中外延生长GaN单晶，(5)外延生长GaN单晶结束后经过氢化物气相外延生长系统的降温过程，GaN单晶实现从蓝宝石衬底上自剥离，得到自支撑GaN单晶。本发明具有成本低、简单易行的特点，适合于批量生产。
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公开(公告)号：CN112861409B
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202110216978.1
申请日：2021-02-26
Applicant: 山东大学
IPC: G06F30/23 , G06F30/13 , G06F111/04 , G06F119/14
Abstract: 本发明涉及单桩基础承载能力计算方法、系统、存储介质及设备，包括，通过实验获取地基材料的摩尔库伦峰值强度指标和摩尔‑库伦残余强度指标，根据获取的试验参数，建立基于MC准则的强度折减模型；基于有限元方法，使用ABAQUS提供的USDFLD用户子程序编写强度折减模型，能够自动实现材料在受压破坏后发生的强度折减；并根据基于MC准则的强度折减模型确定海上风机嵌岩桩的P‑Y曲线，实现对于嵌岩单桩基础承载能力的确定。该方法简单易行，易收敛，计算效率高。
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公开(公告)号：CN103728469B
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201410000379.6
申请日：2014-01-02
Applicant: 山东大学
IPC: G01Q30/20
Abstract: 一种利用高温退火表征GaN外延层中位错的方法，包括以下步骤：（1）将带有GaN外延层的衬底放入加热炉中，将加热炉密封；（2）将加热炉内气压抽至3×102-1×104Pa，向加热炉内通入N2至加热炉内气压升到室内实际气压值；（3）重复步骤（2）；（4）将加热炉的温度升到1000-1200℃后保温3分钟-20分钟，进行退火；（5）将加热炉温度降回到室温；（6）从加热炉中取出样品，并进行观察。该方法通过高温退火，在样品表面形成清晰的退火形貌，有效地显示GaN外延层中的位错，并可对位错的分布进行研究，不仅能够评估位错的密度，还能区分位错的种类，分析其表面退火坑的密度与晶体质量之间的关系，具有过程简单、操作方便快捷、实用性强的特点。
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公开(公告)号：CN112461564A
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN202011280626.4
申请日：2020-11-16
Applicant: 山东大学
Abstract: 本发明公开了一种海上风电基础模型试验系统及方法，包括：框型主体、试验土箱以及用于对试验土箱施加荷载的液压杆加载系统和砝码加载系统；在所述框型主体的底座上通过第一导轨安装试验土箱；所述框型主体的立柱通过第二导轨连接水平梁，所述水平梁通过螺栓杆与框型主体的顶部主梁连接，在水平梁上连接液压杆加载系统；所述水平梁上设有第三导轨，在第三导轨上通过滑轮组连接砝码加载系统。通过不同的加载系统施加不同的荷载，并可实现对荷载大小、方向的调节，实现在各种不同受力情况下风机基础的承载特性和振动特性的研究。
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公开(公告)号：CN102560676A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201210015837.4
申请日：2012-01-18
Applicant: 山东大学
IPC: C30B29/40 , C30B25/22 , C30B25/02 , H01L21/02 , H01L21/205
Abstract: 本发明提供了一种使用减薄键合结构进行GaN单晶生长的方法，包括以下步骤：(1)利用MOCVD方法在衬底上生长GaN薄膜，形成GaN外延片；(2)将GaN外延片减薄；(3)将减薄GaN外延片清洗干净并干燥；(4)使用金属层将减薄GaN外延片键合到其它衬底上，形成GaN基片；(5)清洗干净GaN基片并干燥；(6)将GaN基片按HVPE方法外延生长，得到GaN单晶。本发明通过GaN外延片减薄、清洗干燥、GaN外延片键合、再清洗干燥以及HVPE法生长，最后得到了应力完全释放的高质量GaN单晶，是一种完全释放GaN单晶残余应力的有效方法，可以大大提高单晶质量，具有制作简单、工艺成熟的特点，适合批量生产。
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