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公开(公告)号：CN119465409A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411611463.1
申请日：2024-11-12
Applicant: 山东大学
Abstract: 本发明公开了一种均匀畴结构的铁电晶体、周期极化方法及应用，涉及非线性光学晶体材料技术与激光技术领域。该方法包括：在铁电晶体材料的正面蒸镀一层均匀的金属电极，在所述的铁电晶体材料的负面蒸镀一层均匀的透明电极；在蒸镀电极的铁电晶体材料表面上旋涂光刻胶，再依次经过光刻、显影、烘烤、腐蚀及去除光刻胶，得到携带金属电极图案的铁电晶体材料；通过反向电压或电子束聚焦法对携带金属电极图案的铁电晶体材料的极化反方向进行激发，构建畴核位点；通过外加电场对所得铁电晶体材料进行周期极化。本发明可快速制备出高质量大通光尺寸周期极化铁电晶体材料，周期极化铁电晶体口径的增加可以拓宽周期极化铁电晶体材料的应用场景和领域。
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公开(公告)号：CN111962155A
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN202010784697.1
申请日：2020-08-06
Abstract: 本发明公开了一种基于介质层辅助的厚片周期极化铁电晶体制备方法，其中提出在周期极化铁电晶体材料的抛光表面首先制备介质层。该介质层是各向同性的透明材料，然后对该透明介质层进行抛光。由于介质层的存在，可以得到特别平整的表面，有利于形成高质量的键合晶体。介质层的厚度相对晶体厚度来说几乎可以忽略不计，不会对晶体的性能尤其是非线性光学性能造成影响。
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公开(公告)号：CN116411350A
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN202211688648.3
申请日：2022-12-27
Applicant: 山东大学
Abstract: 本发明涉及用于生长大尺寸SLN的在线连续加料装置、晶体生长系统及生长方法，其包括容纳多晶料的补料坩埚、加料管、用于将所述补料坩埚加热至第一温度的第一加热单元、用于将所述加料管加热至第二温度的第二加热单元，本发明的加料装置结构简单，不容易堵塞加料管，传质速度快，可以实现在线补料，并且容易控制。通过生长大尺寸SLN晶体的生长系统，将补料熔体加入晶体生长熔体中，减少因向晶体生长熔体加入补料熔体对生长熔体温场和组分的影响，有效解决大尺寸SLN晶体生长中因补料引入的组分波动、温度波动及包裹体等问题，达到近化学计量比铌酸锂晶体生长的精确可控实现，并且可批量化生产。
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公开(公告)号：CN119411208A
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202411611462.7
申请日：2024-11-12
Applicant: 山东大学
Abstract: 本发明公开了利用热释电效应制备铁电晶体光学超晶格的方法、超晶格及应用，属于电子和光器件领域。该方法包括：制备携带电极图案的铁电晶体材料；将携带电极图案的铁电晶体材料进行加热，加热温度为50～200℃，在该温度范围内，携带电极图案的铁电晶体材料利用其自身的热释电性能对其极化反方向进行激发；之后进行退火步骤，退火速率为50～150℃/h；加热、退火循环1～10次后，即得。本发明通过创造新型极化工艺突破外加电场极化方法对于不同电极结构的限制，实现基于各种结构电极的不同超晶格晶体制备，进一步拓展了铁电晶体材料的应用场景和应用领域。
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公开(公告)号：CN111962155B
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202010784697.1
申请日：2020-08-06
Abstract: 本发明公开了一种基于介质层辅助的厚片周期极化铁电晶体制备方法，其中提出在周期极化铁电晶体材料的抛光表面首先制备介质层。该介质层是各向同性的透明材料，然后对该透明介质层进行抛光。由于介质层的存在，可以得到特别平整的表面，有利于形成高质量的键合晶体。介质层的厚度相对晶体厚度来说几乎可以忽略不计，不会对晶体的性能尤其是非线性光学性能造成影响。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111455453A
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN202010400032.6
申请日：2020-05-13
Abstract: 本发明公开了一种生长超晶格铌酸锂晶体的方法，本发明利用带有超晶格畴结构的掺镁同成分铌酸锂晶体或者掺镁近化学计量比铌酸锂晶体作为籽晶，将籽晶沿着Z向为提拉方向固定，通过温场设计和功率控制，逐渐提拉出截面尺寸接近籽晶XY截面尺寸、Z向高度和籽晶提拉高度相同的带有超晶格畴结构的近化学计量比铌酸锂单晶，该种制备方式相较于传统的制备方式，不仅更加简单，同时，制备的局限性小，可使用的范围也更加大。
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公开(公告)号：CN103922405A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201410158340.7
申请日：2014-04-18
Applicant: 山东大学
IPC: C01G33/00
Abstract: 本发明涉及一种均匀掺镁铌酸锂多晶料的批量化合成方法，属于无机材料制备领域。该方法将氧化镁溶解于有机酸中，使其与有机酸完全反应，形成无色透明溶液，然后加入一定配比（化学计量比或同成分）的氧化铌和碳酸锂纳米颗粒，经过球磨技术形成混合均匀的悬浊液。对悬浊液采用喷雾干燥技术得到掺镁铌酸锂多晶的前驱体，这样的前驱体颗粒是镁离子均匀地掺入氧化铌和碳酸锂的纳米颗粒。最后低温煅烧前驱体得到成分均匀颗粒状掺镁铌酸锂多晶料。本发明所用原料为常规材料，氧化铌和碳酸锂在溶液中混合更加均匀。该方法适用于其他掺杂原料的合成，具有普适性。
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公开(公告)号：CN119392371A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202411548444.9
申请日：2024-11-01
Applicant: 济南量子技术研究院 , 山东大学 , 山东晶量新材料有限责任公司
Abstract: 本发明公开了一种X切铌酸锂晶体生长方法及温场结构，定义X轴向上延伸，该方法使用的温场结构包括保温结构和坩埚，保温结构和坩埚均为上端开口、下端封闭的椭圆筒体，在使用时，坩埚放置在保温结构内，坩埚和保温结构的中心轴线重合，保温结构具有长轴a1和短轴b1，坩埚具有长轴a2和短轴b2，保温结构的长轴和坩埚的长轴均沿Y轴方向延伸，保温结构的短轴和坩埚的短轴均沿Z轴方向延伸，该X切铌酸锂晶体生长方法生长出的铌酸锂晶体为椭圆柱体。本发明解决了现有技术中存在的晶体容易开裂等问题，提高了X轴铌酸锂晶体生长的成功率。
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公开(公告)号：CN119145055A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202411548447.2
申请日：2024-11-01
Applicant: 济南量子技术研究院 , 山东晶量新材料有限责任公司 , 山东大学
Abstract: 本发明公开了一种提拉法生长晶体的坩埚及温场结构，所述坩埚为上端开口、下端封闭的筒体，所述坩埚从上至下依次包括晶体生长区、过渡区和保温区，所述过渡区和所述保温区用于容纳熔体，且所述过渡区和保温区在生长晶体时掩埋在温场结构的锆沙层中，所述晶体生长区用于晶体生长，所述保温区和晶体生长区均为等径圆筒体，且所述保温区的直径小于晶体生长区的直径，所述过渡区连接在保温区和晶体生长区之间，所述过渡区为上端直径大、下端直径小的圆锥筒体。本发明解决了现有技术中生长大尺寸晶体用的大尺寸坩埚的底部容易出现熔体自发结晶现象的问题，保证了大尺寸晶体稳定生长。
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公开(公告)号：CN103922405B
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201410158340.7
申请日：2014-04-18
Applicant: 山东大学
IPC: C01G33/00
Abstract: 本发明涉及一种均匀掺镁铌酸锂多晶料的批量化合成方法，属于无机材料制备领域。该方法将氧化镁溶解于有机酸中，使其与有机酸完全反应，形成无色透明溶液，然后加入一定配比（化学计量比或同成分）的氧化铌和碳酸锂纳米颗粒，经过球磨技术形成混合均匀的悬浊液。对悬浊液采用喷雾干燥技术得到掺镁铌酸锂多晶的前驱体，这样的前驱体颗粒是镁离子均匀地掺入氧化铌和碳酸锂的纳米颗粒。最后低温煅烧前驱体得到成分均匀颗粒状掺镁铌酸锂多晶料。本发明所用原料为常规材料，氧化铌和碳酸锂在溶液中混合更加均匀。该方法适用于其他掺杂原料的合成，具有普适性。
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