公开(公告)号：CN104240731A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201410437147.7

申请日：2009-11-13

Applicant: 希捷科技有限公司

Inventor： 李金杨 ,  D·S·阔 ,  D·布切尔 ,  K·佩霍斯

IPC: G11B5/84 ,  B81C1/00

CPC classification number: G11B5/855 ,  B81C1/00111 ,  B81C2201/0154 ,  B81C2201/038 ,  Y10T428/2457 ,  Y10T428/26

Abstract: 本发明涉及用于二嵌段聚合物的超薄对准壁。根据本发明的一种方法包括提供具有厚壁阵列的预规则化衬底、在预规则化衬底上沉积共形层、从厚壁和壁之间的间隔的顶部蚀刻共形层，并蚀刻厚壁同时留下共形层的薄壁。

公开(公告)号：CN102216987B

公开(公告)日：2014-10-01

申请号：CN200980145649.X

申请日：2009-11-13

Applicant: 希捷科技有限公司

Inventor： 李金杨 ,  D·S·阔 ,  D·布切尔 ,  K·佩霍斯

IPC: G11B5/855 ,  G03F7/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: G11B5/855 ,  B81C1/00111 ,  B81C2201/0154 ,  B81C2201/038 ,  Y10T428/2457 ,  Y10T428/26

Abstract: 方法包括提供具有厚壁阵列的预规则化衬底、在预规则化衬底上沉积共形层、从厚壁和壁之间的间隔的顶部蚀刻共形层，并蚀刻厚壁同时留下共形层的薄壁。

公开(公告)号：CN102216987A

公开(公告)日：2011-10-12

申请号：CN200980145649.X

申请日：2009-11-13

Applicant: 希捷科技有限公司

Inventor： 李金杨 ,  D·S·阔 ,  D·布切尔 ,  K·佩霍斯

IPC: G11B5/855 ,  G03F7/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: G11B5/855 ,  B81C1/00111 ,  B81C2201/0154 ,  B81C2201/038 ,  Y10T428/2457 ,  Y10T428/26

Abstract: 方法包括提供具有厚壁阵列的预规则化衬底、在预规则化衬底上沉积共形层、从厚壁和壁之间的间隔的顶部蚀刻共形层，并蚀刻厚壁同时留下共形层的薄壁。