-
公开(公告)号：CN102216987B
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：CN200980145649.X
申请日：2009-11-13
Applicant: 希捷科技有限公司
CPC classification number: G11B5/855 , B81C1/00111 , B81C2201/0154 , B81C2201/038 , Y10T428/2457 , Y10T428/26
Abstract: 方法包括提供具有厚壁阵列的预规则化衬底、在预规则化衬底上沉积共形层、从厚壁和壁之间的间隔的顶部蚀刻共形层，并蚀刻厚壁同时留下共形层的薄壁。
-
公开(公告)号：CN104240731A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201410437147.7
申请日：2009-11-13
Applicant: 希捷科技有限公司
CPC classification number: G11B5/855 , B81C1/00111 , B81C2201/0154 , B81C2201/038 , Y10T428/2457 , Y10T428/26
Abstract: 本发明涉及用于二嵌段聚合物的超薄对准壁。根据本发明的一种方法包括提供具有厚壁阵列的预规则化衬底、在预规则化衬底上沉积共形层、从厚壁和壁之间的间隔的顶部蚀刻共形层，并蚀刻厚壁同时留下共形层的薄壁。
-
公开(公告)号：CN102216987A
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：CN200980145649.X
申请日：2009-11-13
Applicant: 希捷科技有限公司
CPC classification number: G11B5/855 , B81C1/00111 , B81C2201/0154 , B81C2201/038 , Y10T428/2457 , Y10T428/26
Abstract: 方法包括提供具有厚壁阵列的预规则化衬底、在预规则化衬底上沉积共形层、从厚壁和壁之间的间隔的顶部蚀刻共形层，并蚀刻厚壁同时留下共形层的薄壁。
-
公开(公告)号：CN1959814A
公开(公告)日：2007-05-09
申请号：CN200610154037.5
申请日：2006-09-13
Applicant: 希捷科技有限公司
CPC classification number: G11B5/7325 , G11B5/65 , Y10T428/24355 , Y10T428/24479 , Y10T428/24537 , Y10T428/24545 , Y10T428/2457 , Y10T428/32
Abstract: 提供了一种采用例如具有减少的C－轴分布的磁性记录介质的形式的薄膜结构。该结构包括具有第一表面和不与第一表面平行的第二表面的衬底、覆盖在衬底的第一表面和第二表面上的种子层以及种子层上的磁性材料层。该磁性材料层具有相对于与磁性材料层垂直的轴，即磁性材料的表面法线倾斜的C－轴。该种子层具有朝向一般与第一表面或第二表面中的任一个垂直的柱状结构。该种子层的柱状结构充当外延生长的模板。
-
-
-
Search Results
4
records
(took 0.024 seconds)
