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公开(公告)号：CN113868903A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202111019283.0
申请日：2021-09-01
Applicant: 常州瑞华电力电子器件有限公司 , 华中科技大学
IPC: G06F30/23 , G06F30/17 , G06F111/06 , G06F111/10 , G06F119/14
Abstract: 本发明涉及电子电力器件技术领域，特别为一种针对高压碳化硅模块的多目标优化方法，通过建立有限元模型对模块内部的电场强度峰值、寄生电容以及焊料层热应力建模，进行多目标加权优化，选择最优参数，能改善单一优化目标设计方法不考虑其他性能指标的缺陷，实现高压SiC模块整体性能较优。采用上述方法后，本发明所提出的优化设计中获取的性能参数与优化尺寸参数间关系模型，能够用于分析各设计参数对各目标参数的影响趋势和程度；另外，结合仿真和实验验证最终方案的可靠和设计方法的有效性：本发明所选出的权衡各优化目标的最优方案需经仿真和实验验证，才能证明此方法的可行性和模块的性能优势。
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公开(公告)号：CN216563091U
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202122295581.4
申请日：2021-09-23
Applicant: 常州瑞华电力电子器件有限公司 , 华中科技大学
IPC: H01L23/14 , H01L23/488 , H01L23/367 , H01L23/373
Abstract: 本实用新型涉及电子设备技术领域，尤其是一种双面散热功率模块，一种双面散热功率模块，包括碳化硅芯片，所述碳化硅芯片的上表面直接连接有连接片一，所述连接片一上表面直接连接有上DBC板，所述碳化硅芯片下表面连接有下DBC板，所述碳化硅芯片与下DBC板之间设置有焊料层一，本实用新型通过对模块内部的焊料连接层数量的减少，降低了运行过程中功率模块出现问题的概率，提高了双面散热模块的可靠性，增加模块的服役寿命。
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公开(公告)号：CN119375651A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202411520527.7
申请日：2024-10-29
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本申请提供了直流断路器下SiC MOSFET特性评估装置及方法，属于MOSFET特性评估领域，方法包括：通过改变外部可调电压源的预设电压值，对SiC MOSFET在直流断路器下进行不同故障电流下的单次关断测试，获取单次最大可关断电流值以及短时间尺度单次关断特性评价结果；固定外部可调电压源的预设电压值，间隔预设时间间隔，对SiC MOSFET在直流断路器下进行长时间尺度重复关断测试，获取长时间尺度下的安全运行边界和长时间尺度重复关断特性评价结果。本申请搭建的特性评估装置能够完整模拟SiC MOSFET这种器件在直流断路器任务剖面下的运行特性，为其在直流断路器中安全可靠运行奠定基础。
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公开(公告)号：CN118610239A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410757809.2
申请日：2024-06-13
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本申请公开了一种高耐压的碳化硅基雪崩晶体管，包括依次设置的集电区电极、集电区n+衬底层、集电区n0外延层、p+基区层及n+发射区层；p+基区层中设置高掺杂的欧姆接触区域，同时在集电区n0外延层边缘通过离子注入形成高掺杂的浮空保护环作为终端，在离子注入处用碳膜保护注入窗口；在碳膜上淀积氧化层；还有分步骤淀积的基区电极和发射区电极，其中基区电极与设置的欧姆接触区域相连，发射区电极穿过氧化层后与n+发射区接触。本申请提供了一种高耐压的碳化硅基雪崩晶体管，解决了现有硅基雪崩晶体管静态耐压低、导通电阻高、动态开通的电压下降率低的问题。
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公开(公告)号：CN117937378A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202410112723.4
申请日：2024-01-25
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于RBDT的直流断路器，属于半导体技术领域。本发明通过在RBDT器件两端并联反向电流源，采用反向电流关断的方式，仅需要给RBDT反向通过大于电力系统的短路故障电流的反向电流，基于RBDT的直流断路器则快速切断电流，从而恢复直流断路器的阻断电压能力。在本发明中，仅需要将多只RBDT器件进行串联，即可满足高压系统的需要，无需考虑器件的均压问题；使用的元器件数目少，每只RBDT的使用能够节省一对RC支路，进而节省直流断路器造价成本；RBDT为二端类晶闸管器件，具有很好的电导调制效应，导通压降小，降低了导通损耗，从而提高了基于RBDT的直流断路器的使用寿命。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116169183A
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202310002485.7
申请日：2023-01-03
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种N型碳化硅基反向阻断双端固态闸流管及其制备方法，N型碳化硅基反向阻断双端固态闸流管包括：N+碳化硅衬底，以及依次在N+碳化硅衬底上外延生长的碳化硅P+阳极发射区、碳化硅N‑漂移区以及由碳化硅P基区和碳化硅N+区构成的阴极发射区。阴极发射区的结构通过如下方式形成：在碳化硅N+区形成P+注入窗口，再进行P型离子注入使得所述P+注入窗口内形成碳化硅阴极P+区。本发明通过对N基区尺寸和掺杂浓度的规格做出限定，通过较多测试验证，一方面能够较容易的实现高阻断电压，从而有效避免串联引起的可靠性问题，另一方面有利于减小器件的厚度，从而改善器件的通态特性。
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公开(公告)号：CN114282397A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202011038511.4
申请日：2020-09-28
Applicant: 华中科技大学 , 罗伯特·博世有限公司
IPC: G06F30/23 , G01R31/28 , G06F119/02 , G06F119/04
Abstract: 本申请公开一种评估模块，其用于评估多芯片模块的寿命，该多芯片模块包括第一基板和多个被评估芯片，其中评估模块包括：第二基板，其被构造成与第一基板相同，且具有与第一基板上的附接位置相对应的附接位置；和至少一个评估芯片，其被构造成与多个被评估芯片相同，且评估芯片的数目比被评估芯片的数目少至少一个，其中，该至少一个评估芯片被设置在第二基板上的至少一个附接位置处，使得该至少一个评估芯片与多芯片模块上的设置在对应附接位置处的被评估芯片在散热性能和承受的热应力方面相同。本申请还公开了一种用于评估多芯片模块的寿命的方法。根据本申请，可大大降低测试成本，简化测试过程。
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公开(公告)号：CN113992194A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202111190980.2
申请日：2021-10-13
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于反向开关晶体管的集成化能量转移装置，包括：转移单元、倍压整流模块、晶闸管组件、第一环氧固定板、第二环氧固定板、晶闸管触发器、安装底板和隔离变压器；转移单元包括RSD和第一二极管，RSD与第一二极管串联连接，且压接成第一堆体，做到电流转移单元的寄生参数仅为60nH；晶闸管触发器用于给所述晶闸管组件提供触发信号；晶闸管组件用于给RSD提供反向触发电流；本发明提供的能量转移装置不仅从器件本身进行了优化设计，使得RSD的电流上升率di/dt大于60kA/μs，并对转移单元和触发回路寄生参数进行了优化，使得此能量转移装置能在60V～100V的开通电压下，做到在300μs以内快速转移50kA大电流，从而将负载电流减小10％以下，进而不会在输出端产生电弧。
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公开(公告)号：CN111463191B
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202010301788.5
申请日：2020-04-16
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L25/07 , H01L23/31 , H01L23/48 , H01L23/367 , H01L23/60
Abstract: 本发明属于器件封装领域，具体涉及一种碳化硅DSRD的堆叠式压接封装结构，包括：多个第一封装片，多个第二封装片，多个碳化硅DSRD芯片，正、负接线元件。每个芯片两侧分别叠放一层第一封装片构成封装子模块；每相邻两个封装子模块间通过第二封装片层叠构成堆叠式压接垂直结构；该垂直结构中每相邻两层间通过压力接触，实现每两个芯片间的首尾电气相连，正、负接线元件分别连接垂直结构正、负端。第一封装片用于避免在芯片工作中因材料间热失配产生热变形；第二封装片起到缓冲作用并用于实现芯片边缘电场的优化调制。本发明采用垂直堆叠压接形式，便于结构安装及失效器件替换，同时避免热形变问题，且实现电场调制，避免局部放电。
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公开(公告)号：CN110336549B
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN201910570943.0
申请日：2019-06-28
Applicant: 华中科技大学
IPC: H03K17/567 , H03K17/687
Abstract: 本发明公开了一种基于双电压控制型器件的单驱动串联均压电路，包括：驱动电路、耦合电路和限幅缓冲电路；驱动电路用于将接收的驱动信号转换为第一电压控制型器件的驱动电压，控制第一电压控制型器件的开通与关断；耦合电路用于在驱动电路开通或关断第一电压控制型器件的过程中，通过电容放电或充电控制第二电压控制型器件的开通与关断；限幅缓冲电路用于均衡第一电压控制型器件和第二电压控制型器件在开通和关断时源极与漏极间的电压。本发明基于限幅缓冲电路，大大减轻了第一电压控制型器件和第二电压控制型器件在开通和关断过程中的串联电压不均衡，使得可靠性更强。
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