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公开(公告)号：CN118979306A
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202411083683.1
申请日：2024-08-08
Applicant: 广东先导微电子科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种碳掺杂砷化镓多晶及其制备方法、制备碳掺杂砷化镓多晶的设备，属于材料技术领域。所述碳掺杂砷化镓多晶，其碳浓度为(0.2～2)×1015atoms/cm3；所述碳掺杂砷化镓多晶具有空心圆柱结构；所述空心圆柱结构的外径为76～150mm，内径为10～20mm；所述空心圆柱结构的高度为200～400mm。所述碳掺杂砷化镓多晶具有较高的载流子浓度、电阻率以及良好的电性能均匀性，使用其作为砷化镓单晶的原料能制备得到电性能分布均匀、位错密度小的砷化镓单晶。本发明所述的碳掺杂砷化镓多晶的制备方法显著提高了砷化镓多晶的生产效率，实现了一次制备工艺下，砷化镓多晶重量增加100％以上。
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公开(公告)号：CN118407113A
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202410743519.2
申请日：2024-06-11
Applicant: 广东先导微电子科技有限公司
Abstract: 本发明属于半导体材料技术领域，公开了一种半绝缘砷化镓单晶的生长方法，通过垂直梯度冷凝法制备半绝缘砷化镓单晶，在制备过程中，向石英管内通入CO作为碳源掺杂C元素，取代传统的碳帽作为掺杂物，气体碳源可以使碳元素更均匀分布在液态砷化镓中，同时可以精准控制CO的用量，以确保半绝缘砷化镓的电性能稳定性。此外，本发明还公开了上述生长方法制得的半绝缘砷化镓单晶和半绝缘砷化镓单晶的生长装置。
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公开(公告)号：CN118979307A
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202411083684.6
申请日：2024-08-08
Applicant: 广东先导微电子科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种制备砷化镓单晶的设备和砷化镓单晶的制备方法，属于半导体技术领域。采用所述设备可实现成晶率高、位错密度缺陷低的砷化镓单晶制备。所述砷化镓单晶的制备方法通过单晶生长炉内的磁铁产生的磁场来控制炉内的温场稳定性，进而确保了砷化镓多晶熔体的热稳定性，显著提高了砷化镓单晶的质量。并且，所述制备方法无需外加氧化硼，直接通过氧气和氮化硼坩埚反应得到氧化硼进行密封，然后通过氮气维持阶梯状石英管内部稳定气压进而保持砷化镓的化学配比平衡。此外，所述制备方法还通过氢气还原金属杂质离子和超声波振动促进金属杂质单质分凝作用而减少了空穴、团聚和应力聚集，进而降低了位错密度缺陷，提高了砷化镓单晶的成晶率。
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公开(公告)号：CN116375323A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202310067960.9
申请日：2023-01-30
Applicant: 广东先导微电子科技有限公司
IPC: C03B23/207 , C03B20/00
Abstract: 提供一种焊管机以及焊接系统。焊管机包括焊枪以及支撑台；焊枪包括环体和多个喷嘴；环体为360度圆周的封闭环，环体具有第一流道、第一端口、第二端口、第二流道、第三端口以及内周面；第一流道位于环体的内部，第一端口和第二端口设置于环体的外表，第一端口和第二端口与第一流道连通，第一端口和第二端口用于与外部的冷却介质源连通；第二流道位于环体的内部，第三端口设置于环体的外表，第三端口与第二流道连通，第三端口用于与外部的燃烧气体源连通；多个喷嘴设置在环体的内周面且沿周向彼此间隔开，多个喷嘴与第二流道连通，多个喷嘴用于供燃烧气体喷出以被点燃形成火焰以至少适用于石英管焊接封管。焊接系统还包括前述的焊管机。
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公开(公告)号：CN114411259A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202111616596.4
申请日：2021-12-27
Applicant: 广东先导微电子科技有限公司
Abstract: 本发明属于半导体材料技术领域，公开了一种高纯砷化镓多晶及其制备装置和方法。所述高纯砷化镓多晶为Si元素≤15PPB，S元素≤5PPB，其它杂质元素总含量≤80PPB，直径为72～155mm，长度为450～550mm，高度大于50mm的D形砷化镓多晶棒。所述方法包括将砷和镓分别放入石英舟的合成炉，在氢气条件下将As加热至630～670℃使砷升华成砷气体，Ga加热至1250～1280℃反应，同时砷的杂质与氢气反应；通过程序控制温度曲线使合成的砷化镓液体凝固成高纯砷化镓多晶棒。本发明方法能够显著降低杂质含量及增加合成多晶棒的直径，可用于制造性能优越的半绝缘单晶。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118653204A
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202410744254.8
申请日：2024-06-11
Applicant: 广东先导微电子科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种低位错密度掺硅砷化镓单晶的生长方法，包括：（1）在氢气气氛下加热砷化镓多晶料和硅粉，以使砷化镓多晶料熔融得到含有硅粉的砷化镓多晶熔体并保温；（2）继续在氢气气氛下将含有硅粉的砷化镓多晶熔体沿竖直方向自下而上进行垂直梯度凝固，得到掺杂有硅的砷化镓单晶；在加热和垂直梯度凝固过程中，砷化镓多晶熔体的上方和下方相对位置各设置一块磁铁，且两块磁铁的相对面磁极相反。该生长方法可以显著降低掺硅砷化镓晶体的EPD，可以获得几乎趋近于零EPD的砷化镓晶体。
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公开(公告)号：CN118407115A
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202410743578.X
申请日：2024-06-11
Applicant: 广东先导微电子科技有限公司
Abstract: 本发明属于半导体材料技术领域，公开了一种砷化镓单晶的生长装置，包括阶梯式坩埚、石英管、石英帽，所述阶梯式坩埚放置于所述石英管中，所述石英帽固定连接于所述石英管上；所述阶梯式坩埚包括籽晶区和多级生长区，所述籽晶区位于所述生长区的下方，多级所述生长区的内径由上至下依次变小。通过设置阶梯式坩埚，一次生长即可制备多种不同内径的单晶，并且可根据需求设置多级生长区的内径，简化生产工艺、提高生产效率，有利于推广和市场化，此外，本发明还公开了一种砷化镓单晶的生长方法，使用上述生长装置制备砷化镓单晶。
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公开(公告)号：CN107881558B
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN201711088557.5
申请日：2017-11-08
Applicant: 广东先导微电子科技有限公司
Abstract: 本发明提出一种砷化镓多晶合成装置，包括一石英管，所述冷却装置还包括内置于石英管内的一石英帽、一进气管，进气管的一端伸入石英管内且与石英帽的半球形封闭面相对设置。本合成装置通过增加进气管由现有技术的自然降温变为局部冷却，降温更有针对性，使得砷蒸汽就会凝华为砷颗粒沉积在石英帽内而非石英管上，可以有效保护石英管、PBN桥和PBN，对石英管的二次利用造成的影响小。
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公开(公告)号：CN118407114A
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202410743571.8
申请日：2024-06-11
Applicant: 广东先导微电子科技有限公司
Abstract: 本发明属于半导体材料技术领域，公开了一种大直径半绝缘砷化镓单晶的生长方法，包括加料、抽气、通CO、降温、冷却，即可制备砷化镓单晶晶棒。通过向熔融的砷化镓中通入CO，提高CO和砷化镓的接触面积，提高渗碳效果，从而提高砷化镓单晶的电学均匀性，并且本发明提供的制备工艺简单，制得的砷化镓单晶晶棒发生位错的可能性小，成品率高，成品质量好。此外，本发明还提供了一种大直径半绝缘砷化镓单晶的生长装置，通过设置阶梯式坩埚，一次生长即可制备多种不同直径的单晶，并且可根据需求设置多级生长区的内径，简化生产工艺、提高生产效率、提高成品率有利于推广和市场化。
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公开(公告)号：CN117265656A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311253193.7
申请日：2023-09-26
Applicant: 广东先导微电子科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种高效生产硒化镓的方法及装置，属于材料合成技术领域。本发明所述方法及装置通过特定结构的设置及特定的加工工艺，可以突破现有水平布里奇曼法生产硒化镓多晶工艺的生产瓶颈，单次合成量可以达到5kg甚至更高，同时降低了生产过程的风险，避免了装置的频繁替换和检修。
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