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公开(公告)号：CN118979306A
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202411083683.1
申请日：2024-08-08
Applicant: 广东先导微电子科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种碳掺杂砷化镓多晶及其制备方法、制备碳掺杂砷化镓多晶的设备，属于材料技术领域。所述碳掺杂砷化镓多晶，其碳浓度为(0.2～2)×1015atoms/cm3；所述碳掺杂砷化镓多晶具有空心圆柱结构；所述空心圆柱结构的外径为76～150mm，内径为10～20mm；所述空心圆柱结构的高度为200～400mm。所述碳掺杂砷化镓多晶具有较高的载流子浓度、电阻率以及良好的电性能均匀性，使用其作为砷化镓单晶的原料能制备得到电性能分布均匀、位错密度小的砷化镓单晶。本发明所述的碳掺杂砷化镓多晶的制备方法显著提高了砷化镓多晶的生产效率，实现了一次制备工艺下，砷化镓多晶重量增加100％以上。
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公开(公告)号：CN118407113A
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202410743519.2
申请日：2024-06-11
Applicant: 广东先导微电子科技有限公司
Abstract: 本发明属于半导体材料技术领域，公开了一种半绝缘砷化镓单晶的生长方法，通过垂直梯度冷凝法制备半绝缘砷化镓单晶，在制备过程中，向石英管内通入CO作为碳源掺杂C元素，取代传统的碳帽作为掺杂物，气体碳源可以使碳元素更均匀分布在液态砷化镓中，同时可以精准控制CO的用量，以确保半绝缘砷化镓的电性能稳定性。此外，本发明还公开了上述生长方法制得的半绝缘砷化镓单晶和半绝缘砷化镓单晶的生长装置。
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公开(公告)号：CN118979307A
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202411083684.6
申请日：2024-08-08
Applicant: 广东先导微电子科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种制备砷化镓单晶的设备和砷化镓单晶的制备方法，属于半导体技术领域。采用所述设备可实现成晶率高、位错密度缺陷低的砷化镓单晶制备。所述砷化镓单晶的制备方法通过单晶生长炉内的磁铁产生的磁场来控制炉内的温场稳定性，进而确保了砷化镓多晶熔体的热稳定性，显著提高了砷化镓单晶的质量。并且，所述制备方法无需外加氧化硼，直接通过氧气和氮化硼坩埚反应得到氧化硼进行密封，然后通过氮气维持阶梯状石英管内部稳定气压进而保持砷化镓的化学配比平衡。此外，所述制备方法还通过氢气还原金属杂质离子和超声波振动促进金属杂质单质分凝作用而减少了空穴、团聚和应力聚集，进而降低了位错密度缺陷，提高了砷化镓单晶的成晶率。
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公开(公告)号：CN112408761B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202011421412.4
申请日：2020-12-08
Applicant: 广东先导微电子科技有限公司
IPC: C03B23/20 , C03B23/207
Abstract: 本发明涉及半导体材料加工技术领域，公开了一种焊接装置，其包括底座、焊枪及供气组件，底座用于固定待焊接零件；焊枪设置于所述底座上，所述焊枪包括焊接环及设置在所述焊接环的内侧的若干焊枪嘴，若干所述焊枪嘴均与所述焊接环相连通，若干所述焊枪嘴之间限定出焊接区域；供气组件用于为所述焊接环供气，所述供气组件包括燃气进气口和助燃气进气口；所述供气组件和所述焊枪能够绕所述焊接环的中心轴转动。采用本发明技术方案的焊接装置，能够提升焊接件的焊接质量和焊接效率，提高焊接件内的真空度，减少裂管率，操作简单，减轻焊接人员受高温辐射而造成的伤害。
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公开(公告)号：CN117542756A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202311508999.6
申请日：2023-11-13
Applicant: 广东先导微电子科技有限公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/683 , H01L21/687 , B08B3/02
Abstract: 本发明公开了一种半导体晶片清洗方法和装置，通过清洗喷头用真空吸盘吸住晶片背面，使晶片高速旋转，依次通入冷却纯水，液氮，把晶片表面的污染物清洗干净。由于在整个清洗过程中都没有使用化学品，特别是过氧化氢等强氧化性物质，而且使用液氮，在遇到其沸点以上温度就会变成氮雾，把空气中的氧气及其他有机物排走，所以在整个清洗过程中，晶片表面都没有发生氧化层，清洗后的晶片表面氧化层可以达到小于0.3um，是化学品清洗工艺氧化层的20％左右，从而避免支撑柱与晶片边缘摩擦产生颗粒和晶片边缘也会出现凹凸不平，使得半导体晶片表面清洗更干净。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114411259A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202111616596.4
申请日：2021-12-27
Applicant: 广东先导微电子科技有限公司
Abstract: 本发明属于半导体材料技术领域，公开了一种高纯砷化镓多晶及其制备装置和方法。所述高纯砷化镓多晶为Si元素≤15PPB，S元素≤5PPB，其它杂质元素总含量≤80PPB，直径为72～155mm，长度为450～550mm，高度大于50mm的D形砷化镓多晶棒。所述方法包括将砷和镓分别放入石英舟的合成炉，在氢气条件下将As加热至630～670℃使砷升华成砷气体，Ga加热至1250～1280℃反应，同时砷的杂质与氢气反应；通过程序控制温度曲线使合成的砷化镓液体凝固成高纯砷化镓多晶棒。本发明方法能够显著降低杂质含量及增加合成多晶棒的直径，可用于制造性能优越的半绝缘单晶。
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公开(公告)号：CN118455160A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410399922.8
申请日：2024-04-03
Applicant: 广东先导微电子科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种锗晶片的清洗方法，属于半导体技术领域；本发明提供的锗晶片清洗方法包括以下步骤：将锗晶片于硫酸中浸泡后用水蒸气清洗，接着用氮气吹干，得清洗后的锗晶片。本发明提供的一种锗晶片的清洗方法中先将锗晶片置于硫酸中浸泡，除去贴膜后表面的有机物，接着用水蒸气清洗和氮气吹干，能够有效的清除锗晶片表面的氯离子和硫离子，清洗后的锗晶片表面的氯离子和硫离子含量低，且氧化层厚度低，同时表面没有点子或斑点。
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公开(公告)号：CN115026705B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202210748697.5
申请日：2022-06-28
Applicant: 广东先导微电子科技有限公司
Abstract: 提供一种抛光机，其包括底座、抛盘以及泡沫发生器，底座能够旋转，底座具有收容凹部，收容凹部用于收容待抛材料；抛盘能够旋转，抛盘具有周壁、底壁以及多个抛光颗粒，周壁和底壁围成腔体，底壁具有沿上下方向贯通的多个通孔，多个抛光颗粒固定在底壁的平的下表面上并与多个通孔的开口间隔开，多个抛光颗粒用于在抛盘旋转过程中对待抛材料进行表面抛光；泡沫发生器用于使抛光液形成泡沫且形成的泡沫经由多个通孔的开口流出到对待抛材料的表面上。由于形成的泡沫经由多个通孔的开口流出到对待抛材料的表面上，这样使得泡沫能够更为均匀地分布到待抛光的表面的各个部位而不会受到抛光颗粒在径向上的任何阻挡，提高了抛光液所形成的泡沫的抛光作用。
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公开(公告)号：CN117000722A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202310976353.4
申请日：2023-08-04
Applicant: 广东先导微电子科技有限公司
IPC: B08B13/00 , B08B11/02 , B08B3/02 , B08B3/04 , B08B3/08 , B08B3/12 , B08B3/10 , H01L21/687 , H01L21/67 , H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种不贴膜双抛晶片清洗设备及清洗方法，涉及晶片清洗领域。清洗设备包括清洗槽，清洗槽内设置有可伸出或伸入清洗槽的伸缩件，伸缩件设置有可旋转的PI N盘，PI N盘设置有可对双抛晶片进行夹持或松开的若干夹持部。本申请清洗方法中依次采用酒精溶液、异丙醇溶液、碱性溶液和水对双抛晶片清洗，清洗设备在清洗过程中可以保证转速一致，严格控制清洗时间和清洗温度，在提高清洗效果和清洗效率的同时，提高了双抛晶片清洗的成品率，避免清洗产品出现晶片发白的情况，降低双抛晶片的表面粗糙度和颗粒数，晶片表面均匀。
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公开(公告)号：CN116497461A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202310411080.9
申请日：2023-04-18
Applicant: 广东先导微电子科技有限公司
Abstract: 本申请公开了一种腐蚀法制备低粗糙度锗的方法，属于半导体技术领域，所述的腐蚀法制备低粗糙度锗的方法，包括以下步骤：将锗片浸入腐蚀液中进行腐蚀，干燥，得到低粗糙度锗；所述腐蚀液包括第一过氧化氢溶液和氢氧化钠溶液；所述第一过氧化氢溶液与氢氧化钠溶液的体积比为(0.2～0.3)：1；腐蚀过程中持续加入第二过氧化氢溶液。本申请通过将锗片浸入到含过氧化氢和氢氧化钠的水溶液中进行腐蚀，能够有效的降低锗片的粗糙度，腐蚀后锗片表面光泽度高、粗糙度低，在腐蚀的过程中持续加入第二过氧化氢溶液，使腐蚀液中过氧化氢浓度保持稳定，提高腐蚀效率，同时，过氧化氢分解产生氧气导致氧分压的提高，进一步提高腐蚀效果，降低粗糙度。
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