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公开(公告)号：CN119730513A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411977482.6
申请日：2024-12-31
Applicant: 广东晶科电子股份有限公司
IPC: H10H20/858 , F21V29/70 , F21V29/503 , F21K9/20 , H10H20/857 , H10H20/85 , H10H20/01 , H05K1/02 , H05K1/18 , F21Y115/10
Abstract: 本发明公开了一种直贴热沉的LED模组及制作方法，LED模组包括热沉装置、PCB板和LED光源；PCB板和LED光源设于热沉装置，PCB板具有半孔槽部，LED光源处于半孔槽部内，PCB板的半孔槽部的槽壁面设有PCB侧面焊盘，LED光源设有LED侧面焊盘，PCB侧面焊盘与LED侧面焊盘之间设有锡膏焊接层，LED光源与半孔槽部之间设有防导通绝缘层。其结构提高了PCB板与LED光源之间连接的可靠性，LED光源与热沉装置直接贴附，缩短了LED光源的热源导热路径，极大减小LED光源的热集聚。
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公开(公告)号：CN119836074A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202411931188.1
申请日：2024-12-26
Applicant: 广东晶科电子股份有限公司
IPC: H10H20/858 , H05K1/18 , H05K1/11 , H05K3/34 , H10H20/857 , H10H20/855 , H10H20/851 , H10H20/85 , H10H20/84 , H10H20/01
Abstract: 本发明公开了一种热电分离的LED器件模组及其制作方法，热电分离的LED器件模组包括散热器、绝缘层、PCB板和LED器件，散热器顶面设有可供PCB板下部嵌入的凹槽，底面有若干散热翅片；凹槽一端呈凹字型且设有平行的第一、第二槽段，PCB板在第一、第二槽段之间设有连接部；LED器件包括安装在散热器上的基板，基板上方由下至上设有外接焊盘、发光层、光转换层，光阻挡层围绕发光层及光转换层侧面，外接焊盘远离发光层的一端与连接部下表面抵接；连接部上设有两导电通孔，外接焊盘能封闭两导电通孔底部；绝缘层环绕基板的侧面。一种热电分离的LED器件模组的制作方法，用于制作上述LED器件模组，制作方法简单，能够实现LED器件与PCB板的热电分离且散热效果好。
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公开(公告)号：CN117577757A
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202311568989.1
申请日：2023-11-22
Applicant: 广东晶科电子股份有限公司
Abstract: 本发明属于LED技术领域，公开了一种封装结构、LED发光器件及其制作方法，其中的LED发光器件包括上述封装结构、LED芯片、光转换层、围坝胶层和填充材料层；LED芯片设在固晶区上，固晶区的上表面与LED芯片背面金属极相接；光转换层设在LED芯片上，围坝胶层设在第一围坝槽、第二围坝槽中，填充材料层填充在LED芯片和光转换层的间隙，和与围坝胶层构成的区域中。本发明的LED发光器件，基于新型封装结构进行封装，可靠耐用，可以提高LED发光器件的使用寿命，供人们安全使用。同时，本发明也提出了一种LED发光器件的制作方法，可以指导新型LED发光器件的批量生产。
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公开(公告)号：CN119562685A
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202411579200.7
申请日：2024-11-07
Applicant: 广东晶科电子股份有限公司
IPC: H10H20/857 , H10H20/858 , H10H20/84
Abstract: 本发明涉及LED发光技术领域，特别涉及一种高可靠性的芯片下沉式灯珠。该高可靠性的芯片下沉式灯珠具体包括：基板、芯片、第一焊盘、第二焊盘、固荧光片层、光转换层、透明层、散热层和白胶层；基板设有凹槽，芯片、光转换层和透明层位于凹槽内，第一焊盘延伸至凹槽内与芯片连接，光转换层位于芯片的上表面，固荧光片层位于芯片与光转换层之间，透明层位于光转换层的上表面，散热层围绕芯片设置，白胶层包围光转换层和透明层，第二焊盘位于基板底部，第二焊盘位于芯片的正下方。本发明具有避免白胶与热源的直接接触，从根本上改善白胶开裂的优点。
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公开(公告)号：CN117334800A
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN202311502927.0
申请日：2023-11-10
Applicant: 广东晶科电子股份有限公司
Abstract: 本发明属于LED技术领域，提供一种高光密度的灯珠及制作方法，其中的灯珠包括基板、LED芯片、光转换层以及光阻挡层；所述LED芯片包括芯片复合发光层和芯片衬底层；所述芯片复合发光层设置在所述基板上，所述芯片衬底层覆盖设置在所述芯片复合发光层的发光面上，所述光转换层覆盖设置在所述芯片衬底层上；在所述芯片衬底层的厚度方向上，所述芯片衬底层的覆盖面积从靠近所述芯片复合发光层的一侧至远离所述芯片复合发光层的一侧逐渐缩小；所述光阻挡层包裹在所述芯片复合发光层、所述芯片衬底层以及所述光转换层的四周，以形成单面出光效果。本发明可充分利用芯片的光源，降低光损失，提高光利用率，并且不受芯片最大电流的功率限制。
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公开(公告)号：CN221304721U
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202323162579.5
申请日：2023-11-22
Applicant: 广东晶科电子股份有限公司
Abstract: 本实用新型属于LED技术领域，公开了一种封装结构及具有其的LED发光器件，其中的LED发光器件包括上述封装结构、LED芯片、光转换层、围坝胶层和填充材料层；LED芯片设在固晶区上，固晶区的上表面与LED芯片背面金属极相接；光转换层设在LED芯片上，围坝胶层设在第一围坝槽、第二围坝槽中，填充材料层填充在LED芯片和光转换层的间隙，和与围坝胶层构成的区域中。本实用新型的LED发光器件，基于新型封装结构进行封装，可靠耐用，可以提高LED发光器件的使用寿命，供人们安全使用。
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公开(公告)号：CN221102114U
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202323052805.4
申请日：2023-11-10
Applicant: 广东晶科电子股份有限公司
Abstract: 本实用新型属于LED技术领域，提供一种高光密度的灯珠，包括基板、LED芯片、光转换层以及光阻挡层；所述LED芯片包括芯片复合发光层和芯片衬底层；所述芯片复合发光层设置在所述基板上，所述芯片衬底层覆盖设置在所述芯片复合发光层的发光面上，所述光转换层覆盖设置在所述芯片衬底层上；在所述芯片衬底层的厚度方向上，所述芯片衬底层的覆盖面积从靠近所述芯片复合发光层的一侧至远离所述芯片复合发光层的一侧逐渐缩小；所述光阻挡层包裹在所述芯片复合发光层、所述芯片衬底层以及所述光转换层的四周，以形成单面出光效果。本实用新型可充分利用芯片的光源，降低光损失，提高光利用率，并且不受芯片最大电流的功率限制。
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