一种三探头抗干扰单相位移电流方法及结构

    公开(公告)号:CN119846512A

    公开(公告)日:2025-04-18

    申请号:CN202411628118.9

    申请日:2024-11-14

    Abstract: 本发明公开了一种三探头抗干扰单相位移电流方法及结构,涉及电压传感器及测量技术领域,包括:在三个区域进行内外贴铜,让三探头抗干扰单相位移电流与电力线形成等效电路;通过变换器将位移电流转换为传导电流;利用三个探头的耦合结构与线路形成差异的耦合电容,得到满秩方程组。本发明采用单相位移电流法将导体间的位移电流转为传导电流。通过三探头的耦合机构,改变两层铜箔间的阻抗值,获得在两铜箔不同阻值下装置的响应值。位移电流法的非侵入式测量方法等效于将两层铜皮短接,测量其短路电流。通过三个探头的耦合结构与线路形成差异的耦合电容,得到满秩方程组,从而消去对地电容CX的干扰实现位移电流法的抗干扰性。

    一种磁屏蔽外壳结构及优选方法
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119789397A

    公开(公告)日:2025-04-08

    申请号:CN202411619892.3

    申请日:2024-11-13

    Abstract: 本发明公开了一种磁屏蔽外壳结构及优选方法,涉及MEMS传感器领域,磁屏蔽外壳结构包括屏蔽壳,其包括收纳壁,收纳壁至少设有多个,并且多个收纳壁依次收尾相连;多个收纳壁之间形成容纳空间,容纳空间用于放置传感器;其中,多个收纳壁的厚度为0.5~5mm之间;多个收纳壁的厚度相同或不相同,5mm厚度的屏蔽壳磁场屏蔽性能最好,能够更好的屏蔽掉磁场对传感器的影响,同时还能够提高电场强度。在屏蔽壳的上面设置有一个四方形的窗口,窗口大小根据传感器的大小设置,主要是传感器用于感应电场的信号;同时在壳体的内部设计有保护和固定传感器的装置,减少外界应力对传感器的影响。

    基于电流突变量的故障检测方法
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119716373A

    公开(公告)日:2025-03-28

    申请号:CN202411619901.9

    申请日:2024-11-13

    Abstract: 本发明公开了基于电流突变量的故障检测方法,涉及电力系统故障检测技术领域,包括获取三相电流数据和相对地电位数据,计算三相的电流突变量和零序电流,构建故障检测模型,通过故障检测模型对三相电流数据和相对地电位数据进行判断,输出故障检测结果并生成报警信号,启动保护机制。本发明通过获取三相电流数据和相对地电位数据,计算三相的电流突变量和零序电流,实现对故障发生时电流变化的精确监测,构建故障检测模型,通过对三相电流数据和相对地电位数据的综合判断,准确地输出故障检测结果,提高故障识别的效率与准确性;根据检测结果生成报警信号,并启动保护机制,有效地隔离故障区域,防止故障扩散,保障配电网的稳定运行。

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