公开(公告)号：CN114730697A

公开(公告)日：2022-07-08

申请号：CN202080078830.X

申请日：2020-11-30

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 沙善·夏尔马 ,  刘炜 ,  孙颙 ,  普拉卡·普拉卡什·杰哈

IPC: H01L21/02

Abstract: 本文中的实施方式提供了对使用可流动化学气相沉积(FCVD)工序来沉积的含硅材料层进行基于氧自由基的处理。对FCVD沉积的含硅材料层进行基于氧自由基的处理合乎需要地增加了稳定的Si‑‑O键的数量、移除了不合需要的氢和氮的不纯物、并且在处理的含硅材料层中提供了进一步的致密化和极好的膜品质。实施方式包括用于制造半导体装置的方法和设备，其包括：在足以使可流动的含硅材料层退火和增加可流动的含硅材料层的密度的条件下，使设置在基板上的可流动的含硅材料层与多个氧自由基接触。

公开(公告)号：CN105575768A

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：CN201510706039.X

申请日：2015-10-27

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 梁璟梅 ,  J·C·李 ,  孙颙

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02164 ,  C23C16/345 ,  C23C16/452 ,  C23C16/56 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/02107 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02337

Abstract: 本文公开了用于沉积和固化可流动电介质层的方法。方法可包括：形成可流动电介质层，将可流动电介质层浸入含氧气体中，净化腔室，以及利用UV辐射来固化所述层。通过在含氧气体预浸透之后固化所述层，可在UV照射期间更完全地固化所述层。