公开(公告)号：CN119895560A

公开(公告)日：2025-04-25

申请号：CN202380065707.8

申请日：2023-09-11

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 徐翼 ,  雷雨 ,  亓智敏 ,  张爱西 ,  赵咸元 ,  雷伟 ,  高兴尧 ,  希里什语·A·佩特 ,  黄涛 ,  常翔 ,  帕特里克·博-均·李 ,  杰拉尔丁·瓦斯奎兹 ,  吴典晔 ,  汪荣军

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/285 ,  C23C16/02 ,  C23C16/04 ,  C23C16/06

Abstract: 用于降低金属间隙填充物的电阻率的方法包含以下步骤：在特征的开口中且在基板的区域上沉积共形层，其中共形层的第一厚度为大约10微米或更小，使用各向异性沉积工艺直接地在共形层上且在开口的底部并且直接地在所述区域上沉积非共形金属层。在所述区域上且在特征的底部上的非共形金属层的第二厚度是大约30微米或更大。并且在特征的开口中并且在金属间隙填充物材料完全地填充开口而没有任何空隙的区域上沉积金属间隙填充物材料。