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公开(公告)号：CN119895560A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202380065707.8
申请日：2023-09-11
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 徐翼 , 雷雨 , 亓智敏 , 张爱西 , 赵咸元 , 雷伟 , 高兴尧 , 希里什语·A·佩特 , 黄涛 , 常翔 , 帕特里克·博-均·李 , 杰拉尔丁·瓦斯奎兹 , 吴典晔 , 汪荣军
IPC: H01L21/768 , H01L21/285 , C23C16/02 , C23C16/04 , C23C16/06
Abstract: 用于降低金属间隙填充物的电阻率的方法包含以下步骤：在特征的开口中且在基板的区域上沉积共形层，其中共形层的第一厚度为大约10微米或更小，使用各向异性沉积工艺直接地在共形层上且在开口的底部并且直接地在所述区域上沉积非共形金属层。在所述区域上且在特征的底部上的非共形金属层的第二厚度是大约30微米或更大。并且在特征的开口中并且在金属间隙填充物材料完全地填充开口而没有任何空隙的区域上沉积金属间隙填充物材料。
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公开(公告)号：CN119522482A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202380055685.7
申请日：2023-04-11
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/768 , C23C16/02 , C23C16/04 , C23C16/06
Abstract: 一种在基板上形成结构的方法包括在至少一个特征内形成钨成核层。方法包括通过循环气相沉积制程形成成核层。循环气相沉积制程包括形成成核层的一部分，然后将成核层暴露至化学气相传输（CVT）制程，以从成核层的一部分中去除杂质。CVT制程可以在400摄氏度或更低的温度下执行，并且包括由处理气体形成等离子体，处理气体包含大于或等于氢气和氧的总流量的90%的氢气。
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公开(公告)号：CN112166509B
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN201980030970.7
申请日：2019-04-05
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本文讨论的磁性隧道结(MTJ)结构的实施方式采用了铬(Cr)、NiCr、NiFeCr、RuCr、IrCr或CoCr或前述的组合的一或多个层的种晶层。这些种晶层与一或多个钉扎层组合使用，与该种晶层接触的第一钉扎层可含有钴的单层，或可含有钴与钴及铂(Pt)、铱(Ir)、镍(Ni)或钯(Pd)的双层的组合。第二钉扎层可为与第一钉扎层相同的成分和配置，或与之不同的成分或配置。本文讨论的MTJ堆叠在高温退火后维持期望的磁特性。
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公开(公告)号：CN117750869A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202410030084.7
申请日：2018-05-17
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本文中的实施方式提供用于在基板上形成磁性隧道结(MTJ)结构的膜堆叠，包含：缓冲层；种晶层，设置在所述缓冲层上；第一钉扎层，设置在所述种晶层上；合成亚铁磁体(SyF)耦合层，设置在所述第一钉扎层上；第二钉扎层，设置在所述SyF耦合层上；结构阻挡层，设置在所述第二钉扎层上；磁性参考层，设置在所述结构阻挡层上；隧道势垒层，设置在所述磁性参考层上；磁性存储层，设置在所述隧道势垒层上；覆盖层，设置在所述磁性存储层上，其中所述覆盖层包含一个或多个层；和硬掩模，设置在所述覆盖层上，其中所述覆盖层、所述缓冲层和所述SyF耦合层的至少一个不由Ru制造。
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公开(公告)号：CN117501823A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202280040098.6
申请日：2022-06-17
Applicant: 应用材料公司
IPC: H10B12/00
Abstract: 本文描述位线堆叠及形成位线堆叠的方法。位线堆叠包含：多晶硅层；在多晶硅层上的粘着层；在粘着层上的阻挡金属层；在阻挡金属层上的界面层；在界面层上的电阻降低层；及在电阻降低层上的导电层。具有电阻降低层的位线堆叠比不具有电阻降低层的可比较的位线堆叠具有低至少5％的电阻。电阻降低层可包括氧化硅或氮化硅。可使用物理气相沉积(PVD)、射频‑PVD、脉冲式‑PVD、化学气相沉积(CVD)、原子层沉积(ALD)或溅射处理的一者或多者形成电阻降低层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115039244A
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202180012161.0
申请日：2021-04-01
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 一种形成磁阻随机存取存储器(MRAM)结构的隧道层的方法包括：通过利用射频(RF)功率溅射MgO靶材来形成第一氧化镁(MgO)层；将第一MgO层暴露给在大约10sccm至大约15sccm的流量下的氧气大约5秒至大约20秒；和通过利用RF功率溅射MgO靶材而在第一MgO层上形成第二MgO层。该方法可在处理腔室的定期维护之后执行，以增加隧道层的隧道磁阻(TMR)。
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公开(公告)号：CN113851581A
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN202111107385.8
申请日：2016-07-14
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本申请公开了一种用于形成MRAM应用中使用的具有期望的结晶度的结构的方法。本公开的实施方式提供用于在基板上制造自旋转移扭矩磁阻式随机存取存储器(STT‑MRAM)应用中使用的磁隧道结(MTJ)结构的方法和装置。在一个实施方式中，所述方法包括：将设置在基板上的具有隧穿阻挡层设置在磁基准层与磁存储层之间的膜堆叠体图案化，以将所述膜堆叠体的一部分从所述基板上去除，直到暴露所述基板的上表面；在经图案化的膜堆叠体的侧壁上形成侧壁钝化层；以及随后对所述膜堆叠体执行热退火工艺。
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公开(公告)号：CN106356449B
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN201610554216.1
申请日：2016-07-14
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本申请公开了一种用于形成MRAM应用中使用的具有期望的结晶度的结构的方法。本公开的实施方式提供用于在基板上制造自旋转移扭矩磁阻式随机存取存储器(STT‑MRAM)应用中使用的磁隧道结(MTJ)结构的方法和装置。在一个实施方式中，所述方法包括：将设置在基板上的具有隧穿阻挡层设置在磁基准层与磁存储层之间的膜堆叠体图案化，以将所述膜堆叠体的一部分从所述基板上去除，直到暴露所述基板的上表面；在经图案化的膜堆叠体的侧壁上形成侧壁钝化层；以及随后对所述膜堆叠体执行热退火工艺。
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公开(公告)号：CN109119518B
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN201810749783.1
申请日：2013-04-24
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 朱鸣伟 , 汪荣军 , 纳格·B·帕蒂班德拉 , 唐先明 , 维韦卡·阿格拉沃尔 , 成雄·马修·蔡 , 穆罕默德·拉希德 , 迪内希·塞加尔 , 普拉布兰姆·加帕伊·拉贾 , 奥姆卡尔姆·纳兰姆苏 , 阿纳塔·苏比玛尼
Abstract: 描述利用物理气相沉积(PVD)形成的氮化铝缓冲层来制造氮化镓基发光装置。亦描述用于PVD AlN缓冲层的工艺条件。亦描述用于PVD氮化铝缓冲层的基板预处理。在一实例中，制造缓冲层于基板上的方法包含预处理基板表面。所述方法亦包含随后利用氮基气体或等离子体从安置在物理气相沉积(PVD)腔室内的含铝靶材反应溅射氮化铝(AlN)层至基板表面上。
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公开(公告)号：CN112020572A
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN201980019611.1
申请日：2019-03-20
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本文提供了将介电氧化物层沉积在PVD腔室中设置的或经由PVD腔室处理的一个或多个基板顶部的方法。在一些实施方式中，此种方法包括：在源材料处于第一磨蚀状态时并且在将第一量的RF功率提供到靶组件时将源材料从靶组件溅射到第一基板上，以将介电氧化物层沉积到具有期望电阻区的第一基板上；以及随后在源材料处于第二磨蚀状态时并且在将第二量的RF功率提供到靶组件时将源材料从靶组件溅射到第二基板上，其中第二量的RF功率低于第一量的RF功率达经计算以维持期望电阻区的预定量。
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