公开(公告)号：CN116762154A

公开(公告)日：2023-09-15

申请号：CN202280012129.7

申请日：2022-01-04

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 李天洋 ,  D·帕德希 ,  韩新海 ,  于航 ,  汪传颖

IPC: H01L21/02

Abstract: 形成半导体结构的示例性方法可包括由含硅前驱物和含氧前驱物形成氧化硅层。方法可包括由含硅前驱物、含氮前驱物和含氧前驱物形成氮化硅层。氮化硅层可由大于或约5原子％的氧浓度表征。方法还可包括重复形成氧化硅层和形成氮化硅层以产生氧化硅和氮化硅的交替层的堆叠。

公开(公告)号：CN119156577A

公开(公告)日：2024-12-17

申请号：CN202280095771.6

申请日：2022-05-17

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 柴青林 ,  马月 ,  张立明 ,  韩新海 ,  汪传颖

IPC: G05B19/418 ,  G06F17/16

Abstract: 一种方法包括：接收与基板处理过程相关联的时间轨迹传感器数据。基板处理过程包括两组或更多组处理条件。至少第一组处理条件和第二组处理条件各自包括重复执行的一个或更多个操作。方法进一步包括：将对应于第一组处理条件和第二组处理条件的时间轨迹传感器数据的第一部分和第二部分分离成第一多个循环数据和第二多个循环数据。方法进一步包括：处理第一多个循环数据和第二多个循环数据以生成汇总数据。方法进一步包括：向用户提供警报。警报是基于汇总数据。

公开(公告)号：CN119256394A

公开(公告)日：2025-01-03

申请号：CN202380042081.9

申请日：2023-05-04

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 米特斯·桑维 ,  文卡塔纳拉亚纳·尚卡拉穆尔提 ,  姚雨莲 ,  汪传颖 ,  韩新海

IPC: H01L21/67 ,  C23C16/52 ,  G05B13/04 ,  G06N20/00

Abstract: 一种电子装置制造系统，能够获得与根据处理配方在基板上执行的沉积处理相关联的计量数据，其中沉积处理在基板的表面上产生多个层。制造系统可进一步获得与处理配方相关联的预期轮廓，其中预期轮廓包括指示处理配方的多个层的期望厚度的多个值。制造系统可进一步基于计量数据和预期轮廓产生校正轮廓，其中校正轮廓包括多个层中的至少一个层的沉积时间偏移值。制造系统可进一步通过将校正轮廓应用到处理配方来产生更新的处理配方，并使得根据更新的处理配方在基板上执行沉积步骤。