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公开(公告)号：CN108369921B
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN201680072132.2
申请日：2016-12-05
Applicant: 应用材料公司
Inventor： Z·J·叶 , 塙广二 , J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 , P·曼纳 , M·W·蒋 , A·高 , 王文佼 , 林永景 , P·K·库尔施拉希萨 , 韩新海 , 金柏涵 , K·D·李 , K·T·纳拉辛哈 , 段子青 , D·帕德希
IPC: H01L21/683 , H05H1/46 , H01J49/10 , H01L21/687
Abstract: 公开对于静电夹盘的方法与设备的技术，此静电夹盘适合在高操作温度下操作。在一个示例中，提供一种基板支撑组件。基板支撑组件包含实质上碟形的陶瓷主体，陶瓷主体具有上表面、圆柱侧壁以及下表面。上表面经配置以支撑基板于上表面上，以在真空处理腔室中处理基板。圆柱侧壁界定陶瓷主体的外直径。下表面与上表面相对地设置。电极被设置在陶瓷主体中。电路被电连接至电极。电路包含DC夹紧电路、第一RF驱
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公开(公告)号：CN110892504B
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN201880045332.8
申请日：2018-07-03
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02
Abstract: 本技术的实施方式可包括形成半导体层的堆叠结构的方法。所述方法可包括在基板上沉积第一氧化硅层。所述方法还可包括在第一氧化硅层上沉积第一硅层。所述方法可进一步包括在第一硅层上沉积第一氮化硅层。沉积第一氮化硅层或应力层可包括减小在第一硅层、第一氧化硅层或基板中的至少一个中的应力。另外，所述方法可包括在第一氮化硅层上沉积第二硅层。操作可形成半导体层的堆叠结构，其中所述堆叠结构包括第一氧化硅层、第一硅层、第一氮化硅层和第二硅层。
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公开(公告)号：CN116457925A
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202180074357.2
申请日：2021-11-02
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/66
Abstract: 描述了用于产生校正动作的评估图的方法、系统及非暂时性计算机可读介质。一种方法包括接收包含第一组向量的第一向量图，每一向量指示在基板上的多个位置的特定位置的变形。该方法进一步包括通过旋转第一组向量中的每一向量的位置来产生包含第二组向量的第二向量图。该方法进一步包括基于第二组向量中的向量及第一组向量中的对应向量来产生包括第三组向量的第三向量图。该方法进一步包括从第一组向量中的对应向量减去第三组向量的每一向量来产生第四向量图。第四向量图指示第一向量图的平面分量。
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公开(公告)号：CN114424325A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202080067068.5
申请日：2020-08-06
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 韩新海 , H·俞 , 胡可嵩 , K·恩斯洛 , 尾方正树 , 王文佼 , C·Y·王 , 杨传曦 , J·马赫 , P·L·梁 , Q·E·中 , A·杰恩 , N·拉贾戈帕兰 , D·帕德希 , S·李
IPC: H01L21/316 , H01L21/318 , H01L27/11524 , H01L27/11551 , H01L27/1157 , H01L27/11578
Abstract: 形成半导体结构的示例性方法可包含由含硅前驱物和含氧前驱物形成氧化硅层。该方法可包含由含硅前驱物、含氮前驱物和含氧前驱物形成氮化硅层。氮化硅层的特征可在于氧浓度大于或约为5原子％。该方法还可包含重复形成氧化硅层和形成氮化硅层以产生氧化硅与氮化硅的交替层的堆叠。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114342060A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202080062434.8
申请日：2020-07-22
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/683 , H01L21/687 , H01J37/32 , H01L21/67
Abstract: 示例性支撑组件可包括限定基板支撑表面的静电吸盘主体。所述组件可包括与静电吸盘主体耦接的支撑杆。所述组件可包括嵌入在静电吸盘主体内的加热器。所述组件还可包括在加热器与基板支撑表面之间嵌入静电吸盘主体内的电极。基板支撑组件可由在大于500℃或约为500℃的温度下和在大于600V或约为600V的电压下通过静电吸盘主体的小于4mA或约为4mA的泄漏电流来表征。
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公开(公告)号：CN110235248A
公开(公告)日：2019-09-13
申请号：CN201880009550.6
申请日：2018-04-20
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L27/11556 , H01L27/11524 , H01L27/11529 , H01L25/065
Abstract: 本文所述的实施例大体涉及制造用于存储器器件(诸如NAND器件)的3D存储器单元的氧化物/多晶硅(OP)堆叠的方法。所述方法通常包括在PECVD工艺期间用前驱物处理所述氧化物和/或多晶硅材料，以降低所述氧化物的介电常数并降低所述多晶硅的电阻率。在一个实施例中，用八甲基环四硅氧烷(OMCTS)前驱物处理所述氧化物材料。在另一个实施例中，将锗烷(GeH4)引入PECVD工艺以形成具有掺杂剂的SixGe(1-x)膜。在又一个实施例中，使用等离子体处理工艺来氮化所述OP堆叠的层之间的界面。所述前驱物和等离子体处理可以单独地使用或以任何组合使用，以产生具有低介电常数氧化物和低电阻率多晶硅的OP堆叠。
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公开(公告)号：CN106098527A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610255329.1
申请日：2016-04-22
Applicant: 应用材料公司
Inventor： K·阿拉亚瓦里 , 韩新海 , P·P·贾 , M·绪方 , Z·蒋 , A·柯 , N·O·木库提 , T·布里彻 , A·K·班塞尔 , G·巴拉苏布拉马尼恩 , J·C·罗查-阿尔瓦内兹 , 金柏涵
Abstract: 本公开提供了一种用于双通道喷头的方法和装置。在一个实施例中，该喷头包括主体，该主体包括导电材料，该导电材料具有通过该导电材料形成的多个第一开口和通过该导电材料形成的多个第二开口，该多个第一开口包括第一气体通道，该多个第二开口包括第二气体通道，该第二气体通道与该第一气体通道流体地分离，其中该第一开口中的每一个具有与该第二开口中的每一个不同的几何形状。
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公开(公告)号：CN113056807B
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN201980076034.X
申请日：2019-11-08
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 韩新海 , D·帕德希 , D·R·本杰明拉吉 , K·恩斯洛 , 王文佼 , 尾方正树 , S·S·阿迪帕利 , N·S·乔拉普尔 , G·E·奇可卡诺夫 , S·斯里瓦斯塔瓦 , 白宗薰 , Z·易卜拉希米 , J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 , T-J·龚
IPC: H01J37/32
Abstract: 本公开的实施例描述一种用于沉积膜层的设备和方法，该设备和方法可在一系列沉积和光刻工艺之后对覆盖误差具有最小的贡献。在一个示例中，一种方法包括：将基板定位在处理腔室中的基板支撑件上；以及使包括含硅气体和反应气体的沉积气体混合物通过喷淋头流到处理腔室，根据基板的应力分布，该喷淋头具有面向基板支撑件的凸形表面或面向基板支撑件的凹形表面。通过将RF功率施加到该喷淋头的多个耦接点而在处理腔室中存在沉积气体混合物的情况下形成等离子体，该喷淋头的该等多个耦接点绕该喷淋头的中心点对称地布置。然后在基板上执行沉积工艺。
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公开(公告)号：CN117043387A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202280021015.9
申请日：2022-03-23
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/44
Abstract: 本文公开的示例关于清洁及修复其中设置有加热器的基板支撑件的方法及设备。一种方法包括：(a)清洁具有块体层的基板支撑件的表面，基板支撑件设置在被配置为处理基板的处理环境中。清洁处理包括在高温下从具有含氟气体及氧的清洁气体混合物形成等离子体。该方法包括：(b)利用由处理气体混合物形成的处理等离子体从处理环境移除氧自由基。该处理气体混合物包括含氟气体。此方法进一步包括：(c)利用后处理等离子体修复基板支撑件与块体层的界面。该后处理等离子体由包括含氮气体的后处理气体混合物所形成。该高温大于或等于约500℃。
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