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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103069486A
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201180041059.X
申请日：2011-07-25
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 克里斯托弗·D·本彻 , 罗曼·古科 , 史蒂文·维哈维伯克 , 夏立群 , 李龙元 , 马修·D·斯科特奈伊-卡斯特 , 马丁·A·希尔金 , 皮特·I·波尔什涅夫
IPC: G11B5/84
Abstract: 提供一种用于形成磁性介质衬底的方法和设备。图案化抗蚀层形成在具有磁化层的衬底上。共形保护层形成在图案化抗蚀层上，以免图案于后续处理期间降解。衬底经能量处理，其中能量物种依据形成于图案化抗蚀剂中的图案，穿透部分图案化抗蚀层和共形保护层而撞击磁化层及改变磁化层磁性。接着移除图案化抗蚀层和共形保护层而留下磁性衬底，所述磁性衬底具有形貌实质不变的磁性图案。
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公开(公告)号：CN103069486B
公开(公告)日：2017-08-15
申请号：CN201180041059.X
申请日：2011-07-25
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 克里斯托弗·D·本彻 , 罗曼·古科 , 史蒂文·维哈维伯克 , 夏立群 , 李龙元 , 马修·D·斯科特奈伊-卡斯特 , 马丁·A·希尔金 , 皮特·I·波尔什涅夫
IPC: G11B5/84
Abstract: 提供一种用于形成磁性介质衬底的方法和设备。图案化抗蚀层形成在具有磁化层的衬底上。共形保护层形成在图案化抗蚀层上，以免图案于后续处理期间降解。衬底经能量处理，其中能量物种依据形成于图案化抗蚀剂中的图案，穿透部分图案化抗蚀层和共形保护层而撞击磁化层及改变磁化层磁性。接着移除图案化抗蚀层和共形保护层而留下磁性衬底，所述磁性衬底具有形貌实质不变的磁性图案。
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公开(公告)号：CN102576548B
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201080047182.8
申请日：2010-10-20
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 马丁·A·希尔金 , 马修·D·斯科特奈伊-卡斯尔 , 皮特·I·波尔什涅夫 , 罗曼·古科 , 史蒂文·维哈维伯克
IPC: G11B5/84
CPC classification number: G11B5/855 , B82Y10/00 , G11B5/746 , H01J37/32412
Abstract: 本发明的具体实施例提供一种在用以形成图案的等离子体离子注入工艺期间减少热能聚积的方法，所形成的图案包括基板上的磁性敏感表面上的磁畴及非磁畴。于一具体实施例中，在等离子体离子注入工艺期间控制基板温度的方法包含下列步骤：(a)于处理腔室中，在基板上进行等离子体离子注入工艺的第一部份达第一时段，该基板上形成有磁性敏感层，其中该基板的温度被维持在低于约摄氏150度，(b)在完成等离子体离子注入工艺的第一部份之后，冷却该基板的温度，以及(c)在该基板上进行等离子体离子注入工艺的第二部份，其中该基板的温度被维持低于摄氏150度。
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公开(公告)号：CN107492386A
公开(公告)日：2017-12-19
申请号：CN201710611689.5
申请日：2011-07-25
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 克里斯托弗·D·本彻 , 罗曼·古科 , 史蒂文·维哈维伯克 , 夏立群 , 李龙元 , 马修·D·斯科特奈伊-卡斯特 , 马丁·A·希尔金 , 皮特·I·波尔什涅夫
Abstract: 提供一种用于形成磁性介质衬底的方法和设备。图案化抗蚀层形成在具有磁化层的衬底上。共形保护层形成在图案化抗蚀层上，以免图案于后续处理期间降解。衬底经能量处理，其中能量物种依据形成于图案化抗蚀剂中的图案，穿透部分图案化抗蚀层和共形保护层而撞击磁化层及改变磁化层磁性。接着移除图案化抗蚀层和共形保护层而留下磁性衬底，所述磁性衬底具有形貌实质不变的磁性图案。
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公开(公告)号：CN102576548A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201080047182.8
申请日：2010-10-20
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 马丁·A·希尔金 , 马修·D·斯科特奈伊-卡斯尔 , 皮特·I·波尔什涅夫 , 罗曼·古科 , 史蒂文·维哈维伯克
IPC: G11B5/84
CPC classification number: G11B5/855 , B82Y10/00 , G11B5/746 , H01J37/32412
Abstract: 本发明的具体实施例提供一种在用以形成图案的等离子体离子注入工艺期间减少热能聚积的方法，所形成的图案包括基板上的磁性敏感表面上的磁畴及非磁畴。于一具体实施例中，在等离子体离子注入工艺期间控制基板温度的方法包含下列步骤：(a)于处理腔室中，在基板上进行等离子体离子注入工艺的第一部份达第一时段，该基板上形成有磁性敏感层，其中该基板的温度被维持在低于约摄氏150度，(b)在完成等离子体离子注入工艺的第一部份之后，冷却该基板的温度，以及(c)在该基板上进行等离子体离子注入工艺的第二部份，其中该基板的温度被维持低于摄氏150度。
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