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公开(公告)号：CN108140549B
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN201680058294.0
申请日：2016-09-13
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/67 , H01L21/683 , H01L21/677
Abstract: 在此描述的实施方式一般涉及具有缩减空间的处理腔室，以执行超临界干燥处理或其他相变处理。该腔室包含可移动地设置于第一轨道上的基板支撑件和可移动地设置于第二轨道上的门。基板支撑件和门可经配置以相互独立地移动，且该腔室可经配置以最小化腔室内基板的垂直移动。
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公开(公告)号：CN108140603A
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201680058300.2
申请日：2016-09-14
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/683 , H01L21/67 , H01L21/02 , H01L21/687
CPC classification number: H01L21/02101 , H01L21/02057 , H01L21/67034 , H01L21/6719 , H01L21/68728 , H01L21/68785
Abstract: 提供一种基板支撑设备。该设备包含圆形底板和一个或更多个间隔器，绕着该底板的圆周设置间隔器。间隔器可从该底板的顶部表面延伸，且环形主体可耦合至间隔器。该环形主体可与该底板间隔开以界定该底板与该环形主体之间的孔隙。一个或更多个支撑柱可耦合至该底板且从该底板延伸。支撑柱可在从该环形主体的内表面径向向内的位置处耦合至该底板。
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公开(公告)号：CN104919574B
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201380057383.X
申请日：2013-11-21
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/302
CPC classification number: H01L21/67034 , B08B3/08 , B08B7/0021 , H01L21/02057 , H01L21/02101 , H01L21/67051 , H01L21/67109 , H01L21/67126 , H01L21/67742
Abstract: 本发明的实施例大体而言涉及一种清洁基板的方法及一种基板处理设备，所述基板处理设备设以进行所述清洁基板的方法。更具体地说，本发明的实施例涉及一种以减少或消除半导体器件特征之间的线黏附负面效应的方式清洁基板的方法。本发明的其它实施例涉及一种基板处理设备，所述基板处理设备允许以减少或消除形成在基板上的半导体器件特征之间的线黏附的方式清洁基板。
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公开(公告)号：CN104813402A
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201380058513.1
申请日：2013-11-05
Applicant: 应用材料公司
IPC: G11C11/15
CPC classification number: H01L43/12 , G11B5/746 , G11B5/855 , G11C11/16 , H01F41/34 , H01L21/2855 , H01L21/3081
Abstract: 描述了一种用于在基板上形成具有磁特性图案的磁性层的方法和装置。所述方法包括使用金属氮化物硬模层来通过等离子体暴露图案化所述磁性层。所述金属氮化物层是使用纳米压印图案化工艺用氧化硅图案负性材料来图案化的。使用含卤素和氧的远程等离子体来使图案在金属氮化物中，并且在等离子体暴露之后使用腐蚀性的湿式剥离工艺去除所述图案。所有的处理都在低温下进行，以避免热损伤磁性材料。
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公开(公告)号：CN103959380A
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201280057804.4
申请日：2012-10-16
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: H01F41/34 , G11B5/743 , G11B5/84 , H01L21/0332 , H01L21/67161 , H01L21/67736
Abstract: 本发明实施例提供用于形成供磁性媒体中使用的图案化磁性层的方法和设备。根据本案实施例，通过低温化学气相沉积形成的氧化硅层用以在硬掩模层中形成图案，且图案化硬掩模用以通过等离子体离子注入形成图案化磁性层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103069486A
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201180041059.X
申请日：2011-07-25
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 克里斯托弗·D·本彻 , 罗曼·古科 , 史蒂文·维哈维伯克 , 夏立群 , 李龙元 , 马修·D·斯科特奈伊-卡斯特 , 马丁·A·希尔金 , 皮特·I·波尔什涅夫
IPC: G11B5/84
Abstract: 提供一种用于形成磁性介质衬底的方法和设备。图案化抗蚀层形成在具有磁化层的衬底上。共形保护层形成在图案化抗蚀层上，以免图案于后续处理期间降解。衬底经能量处理，其中能量物种依据形成于图案化抗蚀剂中的图案，穿透部分图案化抗蚀层和共形保护层而撞击磁化层及改变磁化层磁性。接着移除图案化抗蚀层和共形保护层而留下磁性衬底，所述磁性衬底具有形貌实质不变的磁性图案。
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公开(公告)号：CN115527897A
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202211185197.1
申请日：2016-09-12
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/02 , H01L21/677 , H01L21/683 , H01L21/687 , B08B7/00 , C11D11/00 , F26B21/14
Abstract: 本文描述的实施方式一般涉及并入小热质量的处理腔室，所述腔室能够实现针对超临界干燥工艺的有效温度循环。所述腔室一般包含：主体、衬垫和隔离元件，所述隔离元件能够实现使衬垫展现出相对于主体的小热质量。所述腔室还构造有用于在腔室的处理容积内产生和/或维持超临界流体的合适的设备。
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公开(公告)号：CN107799391B
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN201710840913.8
申请日：2013-11-21
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/67 , H01L21/677 , B08B3/08 , B08B7/00
Abstract: 本发明的实施例大体而言涉及一种清洁基板的方法及一种基板处理设备，所述基板处理设备设以进行所述清洁基板的方法。更具体地说，本发明的实施例涉及一种以减少或消除半导体器件特征之间的线黏附负面效应的方式清洁基板的方法。本发明的其它实施例涉及一种基板处理设备，所述基板处理设备允许以减少或消除形成在基板上的半导体器件特征之间的线黏附的方式清洁基板。
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公开(公告)号：CN107611258A
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201710661170.8
申请日：2012-10-16
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L43/12 , H01L21/033 , H01L21/67 , H01L21/677 , G11B5/74 , G11B5/84 , H01F41/34
CPC classification number: H01F41/34 , G11B5/743 , G11B5/84 , H01L21/0332 , H01L21/67161 , H01L21/67736
Abstract: 本发明实施例提供用于形成供磁性媒体中使用的图案化磁性层的方法和设备。根据本案实施例，通过低温化学气相沉积形成的氧化硅层用以在硬掩模层中形成图案，且图案化硬掩模用以通过等离子体离子注入形成图案化磁性层。
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公开(公告)号：CN107492386A
公开(公告)日：2017-12-19
申请号：CN201710611689.5
申请日：2011-07-25
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 克里斯托弗·D·本彻 , 罗曼·古科 , 史蒂文·维哈维伯克 , 夏立群 , 李龙元 , 马修·D·斯科特奈伊-卡斯特 , 马丁·A·希尔金 , 皮特·I·波尔什涅夫
Abstract: 提供一种用于形成磁性介质衬底的方法和设备。图案化抗蚀层形成在具有磁化层的衬底上。共形保护层形成在图案化抗蚀层上，以免图案于后续处理期间降解。衬底经能量处理，其中能量物种依据形成于图案化抗蚀剂中的图案，穿透部分图案化抗蚀层和共形保护层而撞击磁化层及改变磁化层磁性。接着移除图案化抗蚀层和共形保护层而留下磁性衬底，所述磁性衬底具有形貌实质不变的磁性图案。
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