公开(公告)号：CN103891417B

公开(公告)日：2018-02-27

申请号：CN201280051755.3

申请日：2012-10-17

Applicant: 应用材料公司

Inventor： I·优素福 ,  M·J·萨里纳斯 ,  S·巴纳 ,  A·恩盖耶 ,  V·托多罗 ,  D·卢博米尔斯基 ,  A·阿加瓦尔 ,  K·贝拉

IPC: H05H1/24 ,  H05H1/28 ,  H01L21/205

Abstract: 于此提供一种用于处理基板的设备。于一些实施例中，设备包含：第一导电本体，绕处理腔室的内部容积中的基板支撑件而设置；第一导电环，具有内缘及外缘，该内缘耦接至第一导电本体的第一端，该外缘自内缘径向向外而设置；第二导电本体，耦接至第一导电环的外缘，并具有至少一部分设于第一导电环上，其中第二导电环的至少一部分和第一导电环部分地界定第一导电环上的第一区域；及加热器，经配置成加热第一导电本体、第二导电本体及第一导电环。

公开(公告)号：CN104412717A

公开(公告)日：2015-03-11

申请号：CN201380033928.3

申请日：2013-06-05

Applicant: 应用材料公司

Inventor： A·恩盖耶 ,  K·S·柯林斯 ,  K·拉马斯瓦米 ,  S·拉乌夫 ,  J·D·卡达希 ,  D·A·布齐伯格 ,  A·阿加瓦尔 ,  J·A·肯尼 ,  L·多尔夫 ,  A·巴拉克利斯纳 ,  R·福韦尔

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/205 ,  C23C16/50

CPC classification number: C23F1/08 ,  B01J12/002 ,  C23C14/28 ,  H01J37/321 ,  H01J37/3211 ,  H01J37/32733 ,  H01J37/32834 ,  H05H1/46

Abstract: 一种等离子体反应器具有架空的多线圈感应等离子体源及对称腔室排气，该等离子体源具有对称射频馈电，该腔室排气具有数个支柱穿过排气区域提供出入口至所局限的工作件支座。可包括用于自处理区域遮蔽支柱的空间效应的栅格。

公开(公告)号：CN103891417A

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN201280051755.3

申请日：2012-10-17

Applicant: 应用材料公司

Inventor： I·优素福 ,  M·J·萨里纳斯 ,  S·巴纳 ,  A·恩盖耶 ,  V·托多罗 ,  D·卢博米尔斯基 ,  A·阿加瓦尔 ,  K·贝拉

IPC: H05H1/24 ,  H05H1/28 ,  H01L21/205

Abstract: 于此提供一种用于处理基板的设备。于一些实施例中，设备包含：第一导电本体，绕处理腔室的内部容积中的基板支撑件而设置；第一导电环，具有内缘及外缘，该内缘耦接至第一导电本体的第一端，该外缘自内缘径向向外而设置；第二导电本体，耦接至第一导电环的外缘，并具有至少一部分设于第一导电环上，其中第二导电环的至少一部分和第一导电环部分地界定第一导电环上的第一区域；及加热器，经配置成加热第一导电本体、第二导电本体及第一导电环。

公开(公告)号：CN203895409U

公开(公告)日：2014-10-22

申请号：CN201420063262.8

申请日：2014-02-12

Applicant: 应用材料公司

Inventor： A·帕尔 ,  A·阿加瓦尔 ,  A·源 ,  J·崔 ,  J·Z·何

IPC: H01J37/32 ,  H01J37/02 ,  H01L21/67

Abstract: 本实用新型公开用于硅基板处理的高性能和持久边缘环。提供一种具有可嵌套在一起的外环主体和内环主体的边缘环组件。外环主体由石英材料制造且具有顶表面和基本上平行于顶表面的多个底表面。外环主体具有第一环形台阶、第二环形台阶和第三环形台阶。内环主体由碳化硅材料制造。边缘环组件可用于半导体处理腔室中。