用于等离子体处理应用的磁体保持结构

    公开(公告)号:CN116635569A

    公开(公告)日:2023-08-22

    申请号:CN202180081904.X

    申请日:2021-10-06

    Abstract: 本公开的实施例总体涉及半导体处理设备,并且更具体地涉及可在基板的等离子体处理期间与磁体一起使用的装置,例如,磁体保持结构。在实施例中,提供一种用于等离子体增强化学气相沉积腔室的磁体保持结构。磁体保持结构包括具有多个磁体固位构件的顶部件和具有多个磁体固位构件的底部件。顶部件具有第一内边缘和第一外边缘,并且底部件具有第二内边缘和第二外边缘。磁体保持结构进一步包括多个壳套。多个壳套中的每个壳套被配置成至少部分地封装磁体,并且每个壳套定位在顶部件的磁体固位构件与底部件的磁体固位构件之间。

    用于改良的气体分配的递归注入设备

    公开(公告)号:CN107750281B

    公开(公告)日:2020-07-07

    申请号:CN201680035326.5

    申请日:2016-06-24

    Inventor: A·米勒 K·贝拉

    Abstract: 一种用于处理包含注入器单元插入件的基板的设备与方法,该注入器单元插入件带有多个通向第一气室的流动路径,所述流动路径的每者提供基本上相同的停留时间、长度和/或传导性中的一者或多者。包含注入器单元插入件的注入器单元已增加流均匀性。

    等离子体源组件
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN107338423A

    公开(公告)日:2017-11-10

    申请号:CN201710545902.7

    申请日:2016-11-18

    Abstract: 公开了一种等离子体源组件,所述等离子体源组件包括:壳体,所述壳体具有气体入口和正面;在所述壳体中的RF热电极,所述RF热电极具有第一表面和第二表面,所述第二表面与所述第一表面相对并且限定所述RF热电极的厚度;在所述壳体中的第一返回电极,所述返回电极具有第一表面,所述第一表面与所述RF热电极的所述第一表面相隔开以形成第一间隙;以及在所述壳体中的第二返回电极,所述第二返回电极具有第一表面,所述第一表面与所述RF热电极的所述第二表面相隔开以形成第二间隙,从而使得相对于所述第一间隙,所述第二间隙在所述RF热电极的相对侧上。

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