公开(公告)号：CN102027810B

公开(公告)日：2014-08-13

申请号：CN200980117820.6

申请日：2009-05-13

Applicant: 应用材料公司

Inventor： S·巴纳 ,  V·托多罗 ,  K·拉马斯瓦米

IPC: H05H1/36 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32146 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32155 ,  H01J37/32174

Abstract: 本发明的实施例大体而言提供一种用于在广工艺窗口(wide process window)内进行脉冲等离子体工艺的方法及设备。在某些实施例中，设备可包括：RF电源，所述RF电源具有调频；及匹配网络，所述匹配网络耦接至所述RF电源，所述RF电源与所述匹配网络共享共同感应器，所述共同感应器用于读取反射回所述RF电源的反射RF功率。在某些实施例中，设备可包括：RF电源，所述RF电源具有调频；匹配网络，所述匹配网络耦接至所述RF电源；及通用控制器，所述通用控制器用于调谐各个所述RF电源及所述匹配网络，所述RF电源与所述匹配网络共享共同感应器，所述共同感应器用于读取反射回所述RF电源的反射RF功率。

公开(公告)号：CN103891417B

公开(公告)日：2018-02-27

申请号：CN201280051755.3

申请日：2012-10-17

Applicant: 应用材料公司

Inventor： I·优素福 ,  M·J·萨里纳斯 ,  S·巴纳 ,  A·恩盖耶 ,  V·托多罗 ,  D·卢博米尔斯基 ,  A·阿加瓦尔 ,  K·贝拉

IPC: H05H1/24 ,  H05H1/28 ,  H01L21/205

Abstract: 于此提供一种用于处理基板的设备。于一些实施例中，设备包含：第一导电本体，绕处理腔室的内部容积中的基板支撑件而设置；第一导电环，具有内缘及外缘，该内缘耦接至第一导电本体的第一端，该外缘自内缘径向向外而设置；第二导电本体，耦接至第一导电环的外缘，并具有至少一部分设于第一导电环上，其中第二导电环的至少一部分和第一导电环部分地界定第一导电环上的第一区域；及加热器，经配置成加热第一导电本体、第二导电本体及第一导电环。

公开(公告)号：CN104012185A

公开(公告)日：2014-08-27

申请号：CN201280062489.4

申请日：2012-10-15

Applicant: 应用材料公司

Inventor： V·托多罗 ,  S·巴纳 ,  I·优素福 ,  A·王 ,  G·勒雷

IPC: H05H1/34 ,  H05H1/46 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/6833 ,  H01J37/32642 ,  H01J37/32715 ,  H01L21/6831 ,  H02N13/00 ,  Y10T279/23

Abstract: 本发明中提供一种处理基板的装置。在一些实施例中，一种处理基板的装置可包括：基板支座，该基板支座包含设置于该基板支座内并具有周缘及第一表面的第一电极；设置于该第一电极的该第一表面上方的基板支座表面；以及第二电极，该第二电极设置于该基板支座内并径向延伸越过该第一电极的该周缘，其中该第二电极具有第二表面，该第二表面设置于该第一电极的该第一表面周围与上方。

公开(公告)号：CN103891417A

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN201280051755.3

申请日：2012-10-17

Applicant: 应用材料公司

Inventor： I·优素福 ,  M·J·萨里纳斯 ,  S·巴纳 ,  A·恩盖耶 ,  V·托多罗 ,  D·卢博米尔斯基 ,  A·阿加瓦尔 ,  K·贝拉

IPC: H05H1/24 ,  H05H1/28 ,  H01L21/205

Abstract: 于此提供一种用于处理基板的设备。于一些实施例中，设备包含：第一导电本体，绕处理腔室的内部容积中的基板支撑件而设置；第一导电环，具有内缘及外缘，该内缘耦接至第一导电本体的第一端，该外缘自内缘径向向外而设置；第二导电本体，耦接至第一导电环的外缘，并具有至少一部分设于第一导电环上，其中第二导电环的至少一部分和第一导电环部分地界定第一导电环上的第一区域；及加热器，经配置成加热第一导电本体、第二导电本体及第一导电环。

公开(公告)号：CN103890928B

公开(公告)日：2017-11-21

申请号：CN201280051925.8

申请日：2012-10-17

Applicant: 应用材料公司

Inventor： S·巴纳 ,  V·托多罗 ,  D·卢博米尔斯基

IPC: H01L21/683 ,  H02N13/00 ,  B23Q3/15

CPC classification number: H01L21/6831 ,  H01J37/32715 ,  H02N13/00

Abstract: 在此提供静电夹盘的实施例。在一些实施例中，一种用于支撑与保持具有给定宽度的基板的静电夹盘可包括：介电构件，具有支撑表面，该支撑表面被配置成支撑具有给定宽度的基板；电极，设置在该介电构件内位于该支撑表面下方，并且从该介电构件的中心向外延伸至超过该基板的外周边的区域，该外周边由该基板的该给定宽度所界定；RF电源，耦接该电极；以及DC电源，耦接该电极。

公开(公告)号：CN104012185B

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201280062489.4

申请日：2012-10-15

Applicant: 应用材料公司

Inventor： V·托多罗 ,  S·巴纳 ,  I·优素福 ,  A·王 ,  G·勒雷

IPC: H05H1/34 ,  H05H1/46 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/6833 ,  H01J37/32642 ,  H01J37/32715 ,  H01L21/6831 ,  H02N13/00 ,  Y10T279/23

Abstract: 本文中提供一种处理基板的装置。在一些实施例中，一种处理基板的装置可包括：基板支座，该基板支座包含设置于该基板支座内并具有周缘及第一表面的第一电极；设置于该第一电极的该第一表面上方的基板支座表面；以及第二电极，该第二电极设置于该基板支座内并径向延伸越过该第一电极的该周缘，其中该第二电极具有第二表面，该第二表面设置于该第一电极的该第一表面周围与上方。

公开(公告)号：CN103907403A

公开(公告)日：2014-07-02

申请号：CN201280053078.9

申请日：2012-10-23

Applicant: 应用材料公司

Inventor： S·巴纳 ,  W·比沙拉 ,  R·贾尔 ,  V·托多罗 ,  D·卢博米尔斯基 ,  K·坦蒂翁

IPC: H05H1/46 ,  H01F38/14 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H05H1/46 ,  H05H2001/4667

Abstract: 一种等离子体处理设备可包括：处理腔室；第一RF线圈、第二RF线圈及第三RF线圈；至少一个铁氧体遮罩(ferrite？shield)。该处理腔室具有内部处理容积；该第一RF线圈、该第二RF线圈及该第三RF线圈接近处理腔室设置以将RF能量耦合至处理容积中，其中第二RF线圈相对于第一RF线圈同轴地设置，且其中第三RF线圈相对于第一RF线圈及第二RF线圈同轴地设置；该至少一个铁氧体遮罩接近第一RF线圈、第二RF线圈或第三RF线圈中的至少一个设置，其中铁氧体遮罩经配置以局部导引通过RF电流产生的磁场，该RF电流经由第一RF线圈、第二RF线圈或第三RF线圈流向处理腔室，其中等离子体处理设备经配置以控制流经第一RF线圈、第二RF线圈或第三RF线圈中的每一个的每一RF电流的相位。

公开(公告)号：CN103890928A

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN201280051925.8

申请日：2012-10-17

Applicant: 应用材料公司

Inventor： S·巴纳 ,  V·托多罗 ,  D·卢博米尔斯基

IPC: H01L21/683 ,  H02N13/00 ,  B23Q3/15

CPC classification number: H01L21/6831 ,  H01J37/32715 ,  H02N13/00

Abstract: 在此提供静电夹盘的实施例。在一些实施例中，一种用于支撑与保持具有给定宽度的基板的静电夹盘可包括：介电构件，具有支撑表面，该支撑表面被配置成支撑具有给定宽度的基板；电极，设置在该介电构件内位于该支撑表面下方，并且从该介电构件的中心向外延伸至超过该基板的外周边的区域，该外周边由该基板的该给定宽度所界定；RF电源，耦接该电极；以及DC电源，耦接该电极。