公开(公告)号：CN103170478A

公开(公告)日：2013-06-26

申请号：CN201310055064.7

申请日：2009-05-28

Applicant: 应用材料公司

Inventor： R·萨卡拉克利施纳 ,  D·杜鲍斯 ,  G·巴拉苏布拉马尼恩 ,  K·杰纳基拉曼 ,  J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 ,  T·诺瓦克 ,  V·斯瓦拉马克瑞希楠 ,  H·姆萨德

IPC: B08B5/00 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455

CPC classification number: F16K31/0655 ,  B08B5/00 ,  B08B7/0021 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/4409 ,  C23C16/45561 ,  F16K1/221 ,  F16K1/224 ,  F16K31/06 ,  F16K31/088 ,  Y10S438/905

Abstract: 本发明提出一种用以清洁工艺腔室的方法与设备。在一个实施例中，本发明提供一种工艺腔室，包括远程等离子源与工艺腔室，所述工艺腔室具有至少两个工艺区域。各工艺区域包括：基材支撑组件，设置在所述工艺区域中；气体散布系统，配置以提供气体到所述基材支撑组件上方的所述工艺区域内；以及气体通道，配置以提供气体到所述基材支撑组件下方的所述工艺区域内。第一气体导管是配置以将清洁试剂从所述远程等离子源经由所述气体散布组件流入各所述工艺区域，而第二气体导管是配置以将来自所述第一气体导管的所述清洁试剂的一部分转向到各所述工艺区域的所述气体通道。

公开(公告)号：CN102067279B

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN200980124391.5

申请日：2009-05-28

Applicant: 应用材料公司

Inventor： R·萨卡拉克利施纳 ,  D·杜鲍斯 ,  G·巴拉苏布拉马尼恩 ,  K·杰纳基拉曼 ,  J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 ,  T·诺瓦克 ,  V·斯瓦拉马克瑞希楠 ,  H·姆萨德

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/205 ,  C23C16/44 ,  C23F4/00

CPC classification number: F16K31/0655 ,  B08B5/00 ,  B08B7/0021 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/4409 ,  C23C16/45561 ,  F16K1/221 ,  F16K1/224 ,  F16K31/06 ,  F16K31/088 ,  Y10S438/905

Abstract: 本发明提出一种用以清洁工艺腔室的方法与设备。在一个实施例中，本发明提供一种工艺腔室，包括远程等离子源与工艺腔室，所述工艺腔室具有至少两个工艺区域。各工艺区域包括：基材支撑组件，设置在所述工艺区域中；气体散布系统，配置以提供气体到所述基材支撑组件上方的所述工艺区域内；以及气体通道，配置以提供气体到所述基材支撑组件下方的所述工艺区域内。第一气体导管是配置以将清洁试剂从所述远程等离子源经由所述气体散布组件流入各所述工艺区域，而第二气体导管是配置以将来自所述第一气体导管的所述清洁试剂的一部分转向到各所述工艺区域的所述气体通道。

公开(公告)号：CN102714146A

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN201080055187.5

申请日：2010-12-21

Applicant: 应用材料公司

Inventor： D·杜鲍斯 ,  M·阿优伯 ,  R·金 ,  A·班塞尔 ,  M·福多尔 ,  B·恩古耶 ,  郑兆辉 ,  于航 ,  C·陈 ,  G·巴拉苏布拉马尼 ,  D·帕德希 ,  J·罗查

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/04 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/45589 ,  C23C16/4585

Abstract: 本发明的实施例考量一种遮蔽环，该遮蔽环在晶圆的边缘上提供增加的或减少的且更均匀的沉积。通过从该遮蔽环的顶表面和/或底表面移除材料，可实现增加的边缘沉积及斜面覆盖率。在一个实施例中，通过在该底表面上提供凹陷狭槽，来减少该底表面上的材料。通过增加该遮蔽环的材料量，可减少边缘沉积及斜面覆盖率。另一种调整晶圆的边缘处的沉积的方法包括增加或减小该遮蔽环的内直径。形成该遮蔽环的材料亦可变化，以改变晶圆的边缘处的沉积量。