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公开(公告)号：CN113557597B
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202080020738.8
申请日：2020-02-27
Applicant: 应用材料公司
Inventor： B·库玛 , G·巴拉苏布拉马尼恩 , V·B·沙赫 , 赵记恒
IPC: H01L21/683 , H02N13/00 , C23C16/458
Abstract: 本公开涉及用于在基板处理腔室中吸附的方法和系统。在一个实施方式中，一种在基板处理腔室中吸附一个或多个基板的方法包括：将吸附电压施加到基座。将基板设置在基座的支撑表面上。所述方法还包括：从施加的电压斜变吸附电压；在斜变吸附电压时检测阻抗偏移；确定发生阻抗偏移时的对应吸附电压；以及基于阻抗偏移和对应吸附电压来确定精确吸附电压。
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公开(公告)号：CN113557597A
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN202080020738.8
申请日：2020-02-27
Applicant: 应用材料公司
Inventor： B·库玛 , G·巴拉苏布拉马尼恩 , V·B·沙赫 , 赵记恒
IPC: H01L21/683 , H02N13/00 , C23C16/458
Abstract: 本公开涉及用于在基板处理腔室中吸附的方法和系统。在一个实施方式中，一种在基板处理腔室中吸附一个或多个基板的方法包括：将吸附电压施加到基座。将基板设置在基座的支撑表面上。所述方法还包括：从施加的电压斜变吸附电压；在斜变吸附电压时检测阻抗偏移；确定发生阻抗偏移时的对应吸附电压；以及基于阻抗偏移和对应吸附电压来确定精确吸附电压。
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公开(公告)号：CN113454552A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202080015312.3
申请日：2020-02-18
Applicant: 应用材料公司
IPC: G05B19/418 , G05B23/02 , G06N20/00
Abstract: 描述了用于传感器计量数据整合的方法、系统和非瞬时性计算机可读介质。一种方法包括接收传感器数据组和计量数据组。每组传感器数据包括与由制造设备生产对应产品相关联的对应传感器值和对应的传感器数据标识符。每组计量数据包括与由制造设备制造的对应产品相关联的对应计量值和对应的计量数据标识符。方法进一步包括确定每个对应的传感器数据标识符与每个对应的计量数据标识符之间的共同部分。方法进一步包括：对于每个传感器‑计量匹配，生成对应的聚合的传感器‑计量数据组并且存储聚合的传感器‑计量数据组，以训练机器学习模型。经训练的机器学习模型能够生成用于执行与制造设备相关联的校正动作的一个或多个输出。
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公开(公告)号：CN113302717A
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN201980088876.7
申请日：2019-10-11
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 蒋志钧 , G·巴拉苏布拉马尼恩 , A·罗伊巴曼 , H·湖尻 , 韩新海 , D·帕德希 , C·Y·王 , 陈玥 , D·R·本杰明拉吉 , N·S·乔拉普尔 , V·N·T·恩古耶 , M·S·方 , J·A·奥拉夫 , T·C·林
IPC: H01L21/02 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L27/11524 , H01L21/67 , C23C16/455 , H01J37/32
Abstract: 提供了一种形成具有减少的缺陷的膜堆叠的方法，并且所述方法包括：将基板定位在处理腔室内的基板支撑件上；以及依序沉积多晶硅层和氧化硅层以在基板上产生膜堆叠。所述方法还包括：在处理腔室内生成沉积等离子体的同时向等离子体分布调制器供应大于5安培(A)的电流；在沉积多晶硅层和氧化硅层的同时将基板暴露于沉积等离子体；以及在沉积多晶硅层和氧化硅层的同时，将处理腔室维持在大于2托到约100托的压力下。
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公开(公告)号：CN111602224A
公开(公告)日：2020-08-28
申请号：CN201980008285.4
申请日：2019-01-03
Applicant: 应用材料公司
Inventor： V·B·沙赫 , A·K·辛格 , B·库玛 , G·巴拉苏布拉马尼恩
IPC: H01L21/02 , H01L21/285 , H01L21/033
Abstract: 本公开内容的实施方式总的来说涉及硬掩模膜和用于沉积硬掩模膜的方法。更具体而言，本公开内容的实施方式总的来说涉及碳化钨硬掩模膜和用于沉积碳化钨硬掩模膜的工艺。在一个实施方式中，提供了形成碳化钨膜的方法。所述方法包括：在第一沉积速率下，在基板的含硅表面上形成碳化钨初始层。所述方法进一步包括：在第二沉积速率下，在碳化钨初始层上形成碳化钨膜，其中第二沉积速率大于第一沉积速率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106098527B
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201610255329.1
申请日：2016-04-22
Applicant: 应用材料公司
Inventor： K·阿拉亚瓦里 , 韩新海 , P·P·贾 , M·绪方 , Z·蒋 , A·柯 , N·O·木库提 , T·布里彻 , A·K·班塞尔 , G·巴拉苏布拉马尼恩 , J·C·罗查-阿尔瓦内兹 , 金柏涵
Abstract: 本公开提供了一种用于双通道喷头的方法和装置。在一个实施例中，该喷头包括主体，该主体包括导电材料，该导电材料具有通过该导电材料形成的多个第一开口和通过该导电材料形成的多个第二开口，该多个第一开口包括第一气体通道，该多个第二开口包括第二气体通道，该第二气体通道与该第一气体通道流体地分离，其中该第一开口中的每一个具有与该第二开口中的每一个不同的几何形状。
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公开(公告)号：CN107464774A
公开(公告)日：2017-12-12
申请号：CN201710413475.7
申请日：2017-06-05
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 林兴 , A·A·哈贾 , E·P·哈蒙德四世 , J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 , C·A·拉玛林格姆 , G·巴拉苏布拉马尼恩 , 段仁官 , 周建华 , J·J·斯特拉列
IPC: H01L21/683 , C04B35/581 , C04B35/622
CPC classification number: H01L21/6833 , H01L21/67103 , H01L21/6831 , C04B35/581 , C04B35/622 , C04B2235/3222 , C04B2235/3225 , C04B2235/656 , C04B2235/80 , H01L2221/683
Abstract: 本公开涉及具有用于实现最佳薄膜沉积或蚀刻工艺的性质的静电卡盘。公开一种受热支撑组件，所述受热支撑组件包括：主体，所述主体包含氧化镁掺杂的氮化铝，具有在约600摄氏度下约1×1010Ω-cm的体积电阻率；电极，所述电极嵌入在所述主体中；以及加热器网，所述加热器网嵌入在所述主体中。
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公开(公告)号：CN106133873A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201580013445.6
申请日：2015-02-17
Applicant: 应用材料公司
Inventor： G·巴拉苏布拉马尼恩 , J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 , R·萨卡拉克利施纳 , R·金 , D·R·杜鲍斯 , K·H·弗劳德 , A·K·班塞尔 , T·A·恩古耶
IPC: H01L21/02
Abstract: 提供一种用于处理基板的方法与设备。该设备包括基座与旋转构件，基座与旋转构件可移动地设置在处理腔室内。旋转构件适配成旋转设置在腔室中的基板。在处理期间，基板可由边缘环支撑。边缘环可选择性地啮合基座或旋转构件。在一个实施例中，在沉积工艺期间，边缘环啮合基座，并且在基板的旋转期间，边缘环啮合旋转构件。处理期间的基板的旋转可以是不连续的或连续的。
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公开(公告)号：CN102498558B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201080035135.1
申请日：2010-07-26
Applicant: 应用材料公司
Inventor： D·R·杜鲍斯 , J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 , S·巴录佳 , G·巴拉苏布拉马尼恩 , L·亚普 , J·周 , T·诺瓦克
IPC: H01L21/683 , H01L21/02 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/68 , C23C16/4585 , H01J37/32091 , H01L21/324 , H01L21/67103 , H01L21/68728 , H01L21/6875
Abstract: 本文提供加热腔室中的基板的方法与设备。一实施例中，该设备包括基板支撑组件，该基板支撑组件具有适以接收基板的支撑表面；及多个向心件，多个向心件用以在平行于支撑表面且相隔一距离处支撑该基板，并相对于实质垂直于支撑表面的参照轴让基板朝向中心。多个向心件沿着支撑表面周边而被可移动地放置，且多个向心件各自包括第一末端部分，该第一末端部分用以接触或支撑该基板的周围边缘。
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公开(公告)号：CN104685608A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201380049420.2
申请日：2013-09-23
Applicant: 应用材料公司
Inventor： J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 , A·K·班塞尔 , G·巴拉苏布拉马尼恩 , 周建华 , R·萨卡拉克利施纳 , M·A·阿优伯 , 陈建
IPC: H01L21/02 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/30 , H01J37/32091 , H01J37/32532
Abstract: 提供一种用于等离子体处理基板的装置。装置包含了处理腔室、设置于处理腔室里的基板支撑件，以及与处理腔室耦合的盖组件。盖组件包含了与电源耦合的导电性气体分配器。调节电极可设置在导电性气体分配器与腔室体之间用来调整等离子体的接地电路。第二调节电极可与基板支撑件耦合，且偏压电极亦可与基板支撑件耦合。
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