公开(公告)号：CN112204706B

公开(公告)日：2022-02-25

申请号：CN201980036655.5

申请日：2019-05-23

Applicant: 应用材料公司

Inventor： V·V·瓦茨 ,  H·俞 ,  D·帕德希 ,  李昌陵 ,  G·M·阿米科 ,  S·G·卡马斯

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/67 ,  C23C16/455 ,  H01J37/32 ,  H05H1/46 ,  H01L21/311

公开(公告)号：CN112204706A

公开(公告)日：2021-01-08

申请号：CN201980036655.5

申请日：2019-05-23

Applicant: 应用材料公司

Inventor： V·V·瓦茨 ,  H·俞 ,  D·帕德希 ,  李昌陵 ,  G·M·阿米科 ,  S·G·卡马斯

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/67 ,  C23C16/455 ,  H01J37/32 ,  H05H1/46 ,  H01L21/311

Abstract: 本公开的实施例涉及薄膜的原位沉积和处理以改善阶梯覆盖率的方法。一个实施例中，提供用于处理基板的方法。该方法包括：通过将基板暴露至第一前驱物与第二前驱物的气体混合物、同时等离子体存在于工艺腔室中，而在基板的多个图案化特征上形成介电层，其中该等离子体由第一脉冲RF功率形成；在工艺腔室中将介电层暴露于使用氮与氦的气体混合物的第一等离子体处理；以及通过将介电层暴露于由含氟前驱物与载气的气体混合物所形成的等离子体而执行等离子体蚀刻工艺，其中等离子体是在工艺腔室中由第二脉冲RF功率形成。